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	sic mosfet
            

            
	
            
    	
            
    	  	
            
              	
                                
            
                  

                                
            
                    
            英飛凌第35億顆高壓MOSFET順利下線
            
                                                            
              
                    	
            • 　　英飛凌位于奧地利菲拉赫工廠生產(chǎn)的第35億顆CoolMOS高壓MOSFET順利下線。這使英飛凌成為全球最成功的500V至900V晶體管供應(yīng)商。通過不斷改進(jìn)芯片架構(gòu)，使得CoolMOS晶體管技術(shù)不斷優(yōu)化，這為取得成功奠定了堅實基礎(chǔ)。
　　
              • 
                    	                        
            • 關(guān)鍵字：
                        英飛凌  MOSFET                          
              • 
                   	
            
                    
            
                
            
                                
            
                    
            安森美半導(dǎo)體推出6款單通道功率MOSFET
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 　　應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出6款新的通過AEC-Q101認(rèn)證邏輯電平單通道功率MOSFET，用于汽車模塊，采用小型扁平引腳(FL)封裝。
　　
              • 
                    	                        
            • 關(guān)鍵字：
                        安森美  MOSFET                          
              • 
                   	
            
                    
            
                
            
                                
            
                    
            IR推出車用平面MOSFET系列
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出車用平面 MOSFET 系列，適用于內(nèi)燃機(jī) (ICE) 、混合動力和全電動汽車平臺的多種應(yīng)用。
　　
              • 
                    	                        
            • 關(guān)鍵字：
                        IR   MOSFET                          
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            在升壓變換器中利用新型MOSFET減少開關(guān)損耗
            
                                                            
              
                    	
            • 摘要：升壓變換器通常應(yīng)用在彩色監(jiān)視器中。為提高開關(guān)電源的效率，設(shè)計者必須選擇低開關(guān)損耗的MOSFET。在升壓變換器中，利用QFET新型MOSFET能夠有效地減少系統(tǒng)損耗。1引言　　在開關(guān)電源設(shè)計中，效率是一個關(guān)鍵性的參
              • 
                    	                        
            • 關(guān)鍵字：
                        減少  開關(guān)  損耗  MOSFET  新型  變換器  利用  升壓                          
              • 
                   	
            
                    
            
                
            
                                
            
                    
            安森美半導(dǎo)體推出六款汽車用功率MOSFET器件
            
                                                            
              
                    	
            • 六款新的邏輯電平功率MOSFET通過AEC-Q101認(rèn)證，采用小型扁平引腳封裝，兼具大額定電流及低導(dǎo)通阻抗，針對汽車...
              • 
                    	                        
            • 關(guān)鍵字：
                        MOSFET  安森美半導(dǎo)體                          
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            UniFET?II MOSFET功率轉(zhuǎn)換器[飛兆半導(dǎo)體]
            
                                                            
                    
            
                
            
                                
            
                    
            電源設(shè)計小貼士 28：估算熱插拔 MOSFET 的瞬態(tài)溫升――第 1 部分
            
                                                            
              
                    	
            • 在本電源設(shè)計小貼士以及下次的小貼士中，我們將研究一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法。熱插拔電路用于將電容輸入設(shè)備插入通電的電壓總線時限制浪涌電流。這樣做的目的是防止總線電壓下降以及連接設(shè)備運行中斷。
              • 
                    	                        
            • 關(guān)鍵字：
                        溫升  1部分  MOSFET  估算  設(shè)計  電源  TI  德州儀器                          
              • 
                   	
            
                    
            
                
            
                                
            
                    
            電源設(shè)計小貼士 29：估算熱插拔 MOSFET 的瞬態(tài)溫升――第 2 部分
            
                                                            
              
                    	
            • 在本《電源設(shè)計小貼士》中，我們將最終對一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法進(jìn)行研究。在《電源設(shè)計小貼士28》中，我們討論了如何設(shè)計溫升問題的電路類似方法。我們把熱源建模成了電流源。根據(jù)系統(tǒng)組件的物理屬性
              • 
                    	                        
            • 關(guān)鍵字：
                        溫升  2部分  MOSFET  估算  設(shè)計  電源  TI  德州儀器                          
              • 
                   	
            
                    
            
                
            
                                
            
                    
            估算熱插拔MOSFET溫升的方案
            
                                                            
              
                    	
            • 　本電源設(shè)計小貼士以及下次的小貼士中，我們將研究一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法。熱插拔電路用于將電容輸入設(shè)備插入通電的電壓總線時限制浪涌電流。這樣做的目的是防止總線電壓下降以及連接設(shè)備運行中斷。
              • 
                    	                        
            • 關(guān)鍵字：
                        MOSFET  熱插拔  方案                            
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            估算熱插拔MOSFET的瞬態(tài)溫升
            
                                                            
              
                    	
            • 在本電源設(shè)計小貼士以及下次的小貼士中，我們將研究一種估算熱插拔MOSFET溫升的簡單方法。熱插拔電路用于將電...
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            • 關(guān)鍵字：
                        MOSFET  溫升                          
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            MOSFET雪崩能量的應(yīng)用考慮
            
                                                            
              
                    	
            • 　在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復(fù)脈沖雪崩能量EAR等參數(shù)，而許多電子工程師在設(shè)計電源系統(tǒng)的過程中，很少考慮到這些參數(shù)與電源系統(tǒng)的應(yīng)用有什么樣的聯(lián)系，如何在實際的應(yīng)用中
              • 
                    	                        
            • 關(guān)鍵字：
                        考慮  應(yīng)用  能量  雪崩  MOSFET                          
              • 
                   	
            
                    
            
                
            
                                
                                
            
                    
            國際整流器公司擴(kuò)大汽車專用MOSFET 組合
            
                                                            
              
                    	
            • 　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布擴(kuò)大了旗下包括邏輯電平器件系列在內(nèi)的 40V 至 100V 汽車專用 MOSFET 組合。新系列 MOSFET 適合傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī) (ICE) 平臺以及微型混合動力和全混合動力平臺上的重載應(yīng)用。
　　
              • 
                    	                        
            • 關(guān)鍵字：
                        IR  MOSFET                          
              • 
                   	
            
                    
            
                
            
                                
            
                    
            RF功率MOSFET產(chǎn)品及工藝
            
                                                            
              
                    	
            • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
              • 
                    	                        
            • 關(guān)鍵字：
                        3G  MOSFET  RF功率放大器  RF                          
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            恩智浦發(fā)布業(yè)界最低RDSon的30V MOSFET
            
                                                            
              
                    	
            • 　　恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V.今天發(fā)布了NextPower系列首款30V Power-SO8 MOSFET，擁有業(yè)界最低RDSon，4.5V時僅為1.4mΩ。全新的MOSFET器件PSMN1R0-30YLC，專門針對4.5V開關(guān)應(yīng)用優(yōu)化，采用LFPAK封裝技術(shù)，是目前業(yè)界最牢固的Power-SO8封裝。NextPower技術(shù)已專門針對高性能DC-DC轉(zhuǎn)換應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，例如隔離電源和電源OR-ing中的同步降壓調(diào)節(jié)器、同步整流器。
　　技術(shù)要點：
　　&mi
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            • 關(guān)鍵字：
                        恩智浦  MOSFET                          
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