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            電動汽車BMS的技術趨勢及恩智浦的解決方案

            • 1? ?電動汽車BMS的技術趨勢對恩智浦而言,我們所觀察到的電動汽車制造商在規(guī)劃整個車型電氣化過程中正在面對如下挑戰(zhàn),這也代表了現(xiàn)在技術發(fā)展的趨勢。1)? ?電池成本的持續(xù)降低是電動車普及以及車廠盈利的重要決勝點。除電芯降本外,還需要不斷優(yōu)化電子電氣以及機械架構,并制作支持自動化組裝的生產線,這樣才能提高生產效率。2)? ?延長里程需要提高比能量,縮短充電時間則要增加比功率,在逐漸挑戰(zhàn)比能量和比功率極限的過程中,電池管理功能安全的等級、診斷的精度
            • 關鍵字: BMS  SiC  

            SiC在電動汽車的功率轉換中扮演越來越重要的角色

            • 1? ?中國新能源汽車市場的需求特點首先,中國的電動化發(fā)展速度很快,中國企業(yè)的創(chuàng)新力旺盛,而且直接從傳統(tǒng)汽車向新能源汽車過渡,沒有美國或歐洲企業(yè)所面臨的復雜的“技術遺產”問題。相比歐美,新興的中國車企更期待新能源汽車。在中國,功率轉換系統(tǒng)在汽車中的應用非常廣泛,這就是為什么ST專注于與中國客戶合作開發(fā)電源管理系統(tǒng)。ST汽車和分立器件產品部大眾市場業(yè)務拓展負責人公司戰(zhàn)略辦公室成員Giovanni Luca SARICA2? ?SiC在成本上有優(yōu)勢嗎SiC解決方案的成本
            • 關鍵字: 新能源汽車  SiC  

            TI為何把首款GaN FET定位于汽車和工業(yè)應用

            • GaN(氮化鎵)作為新一代半導體材料,正有越來越廣泛的應用。近日,德州儀器(TI)宣布其首款帶集成驅動器、內部保護和有源電源管理的GaN FET,分別面向車用充電器和工業(yè)電源,可以實現(xiàn)2倍的功率密度和高達99%的效率。TI如何看待GaN在汽車和工業(yè)方面的機會?此次GaN FET的突破性技術是什么?為此,電子產品世界記者線上采訪了TI高壓電源應用產品業(yè)務部GaN功率器件產品線經理Steve Tom。TI高壓電源應用產品業(yè)務部GaN功率器件產品線經理Steve Tom1? ?GaN在電源領
            • 關鍵字: GaN  FET  SiC  

            推動更快、更安全、更高效EV充電器的技術

            • 隨著電動汽車(EV)數(shù)量的增加,對創(chuàng)建更加節(jié)能的充電基礎設施系統(tǒng)的需求也在日益增長,如此便可更快地為車輛充電。與先前的電動汽車相比,新型電動汽車具有更高的行駛里程和更大的電池容量,因此需要開發(fā)快速直流充電解決方案以滿足快速充電要求。150 kW或200 kW的充電站約需要30分鐘才能將電動汽車充電至80%,行駛大約250 km。根據(jù)聯(lián)合充電系統(tǒng)和Charge de Move標準, 快速DC充電站 可提供高達400 kW的功率。今天,我們將研究驅動更快、更安全、更高效的充電器的半導體技術
            • 關鍵字: EV  SiC  IGBT  MOSEFT  CMTI  

            UnitedSiC與益登科技簽署分銷協(xié)議

            • 領先的碳化硅(SiC)功率半導體制造商 UnitedSiC 近日宣布與益登科技簽署代理協(xié)議,益登科技是總部位于臺灣的半導體產品主要分銷商和解決方案供應商。益登科技將與UnitedSiC合作,助其將產品推向亞洲市場,為包括電動汽車、電池充電、IT基礎設施、可再生能源和電路保護等高增長應用領域的客戶提供產品方案。UnitedSiC全球銷售和營銷副總裁Yalcin BulutUnitedSiC全球銷售和營銷副總裁Yalcin Bulut 表示:“亞洲市場正在迅速崛起,急需采用能夠實現(xiàn)新產品差異化的新技術。益登的
            • 關鍵字: SiC  電動汽車  

            安森美全面布局碳化硅市場:汽車、新能源、5G

            • 目前,碳化硅市場正處于快速增長中,根據(jù)各大咨詢機構統(tǒng)計,碳化硅在電源的功率因數(shù)校正(PFC)、太陽能逆變器、光伏逆變器、不間斷電源、5G、通信電源、高頻開關電源等領域都擁有非常廣闊的市場。與傳統(tǒng)硅材料相比,新一代的寬禁帶半導體材料碳化硅可提供高場強、高能隙,以及高電子移動速度和熱導率,讓下一代半導體器件的性能得到革命性提升。
            • 關鍵字: 安森美  SiC  碳化硅  

            5A、3.3V和5V電源符合嚴格的EMI輻射標準

            • 嚴苛的汽車和工業(yè)環(huán)境中的噪聲敏感型應用需要適用于狹小空間的低噪聲、高效率降壓穩(wěn)壓器。通常會選擇內置MOSFET功率開關的單片式降壓穩(wěn)壓器,與傳統(tǒng)控制器IC和外部MOSFET相比,這種整體解決方案的尺寸相對較小??稍诟哳l率(遠高于AM頻段的2 MHz范圍內)下工作的單片式穩(wěn)壓器也有助于減小外部元件的尺寸。此外,如果穩(wěn)壓器的最小導通時間(TON)較低,則無需中間穩(wěn)壓,可直接在較高的電壓軌上工作,從而節(jié)約空間并降低復雜性。減少最小導通時間需要快速開關邊沿和最小死區(qū)時間控制,以有效減少開關損耗并支持高開關頻率操作
            • 關鍵字: EMI  FET  AM  SSFM  PWM  IC  MOSFET  

            安森美半導體的碳化硅(SiC)功率模塊 將支持臺達的太陽能光伏逆變器

            • 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體(ON Semiconductor),推出一款適用于?太陽能逆變器應用?的?全SiC功率模塊?,該產品已被全球領先的電源和熱管理方案供應商臺達選用,用于支持其M70A三相光伏組串逆變器。?NXH40B120MNQ系列全SiC功率模塊集成了一個1200 V、40 mΩ SiC MOSFET和具有雙升壓級的1200 V,40 A SiC升壓二極管。 SiC技術的使用提供了實現(xiàn)太陽能逆變器等應用中所要求高能效水平所需的低反向恢復和快速
            • 關鍵字: MOSFET  SiC  PIM  光伏逆變器  

            寬禁帶生態(tài)系統(tǒng):快速開關和顛覆性的仿真環(huán)境

            • 寬禁帶?材料實現(xiàn)了較當前硅基技術的飛躍。 它們的大帶隙導致較高的介電擊穿,從而降低了導通電阻(RSP)。 更高的電子飽和速度支持高頻設計和工作,降低的漏電流和更好的導熱性有助于高溫下的工作。安森美半導體提供圍繞寬禁帶方案的獨一無二的生態(tài)系統(tǒng),包含從旨在提高強固性和速度的碳化硅(SiC)二極管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC門極驅動器。 除了硬件以外,我們還提供spice物理模型,幫助設計人員在仿真中實現(xiàn)其應用性能,縮短昂貴的測試周期。我們的預測性離散建??梢赃M行系統(tǒng)級仿真
            • 關鍵字: IC  RDS(on)  CAD  MOSFET  SiC  MOS  

            臻驅科技與羅姆成立碳化硅技術聯(lián)合實驗室

            • 中國新能源汽車電驅動領域高科技公司臻驅科技(上海)有限公司(以下簡稱“臻驅科技”)與全球知名半導體廠商ROHM Co., Ltd.(以下簡稱“羅姆”)宣布在中國(上海)自由貿易區(qū)試驗區(qū)臨港新片區(qū)成立“碳化硅技術聯(lián)合實驗室”,并于2020年6月9日舉行了揭牌儀式。與IGBT*1等硅(Si)功率元器件相比,碳化硅(SiC)功率元器件具有傳導損耗、開關損耗*2小、耐溫度變化等優(yōu)勢,作為能夠顯著降低損耗的半導體,在電動汽車車載充電器以及DC/DC轉換器等方面的應用日益廣泛。自2017年合作以來,臻驅科技和羅姆就采
            • 關鍵字: MOSEFT  SiC  

            新基建驅動電力電源變革,ST祭出一攬子解決方案

            • 我國正在大力進行新基建,工業(yè)物聯(lián)網、汽車充電樁、5G手機等對電力與電源提出了更高的能效要求。與此同時,SiC、GaN等第三代半導體材料風生水起,奠定了堅實的發(fā)展基礎。充電樁、工業(yè)物聯(lián)網、手機需要哪些新電力與電源器件?近日,ST(意法半導體)亞太區(qū)功率分立器件和模擬產品部區(qū)域營銷及應用副總裁Francesco MUGGERI接受了電子產品世界記者的采訪,分享了對工業(yè)市場的預測,并介紹了ST的新產品。ST亞太區(qū) 功率分立器件和模擬產品部 區(qū)域營銷及應用副總裁 Francesco MUGGERI1 工業(yè)電源市場
            • 關鍵字: 電源  SiC  IGBT  GaN  

            電源管理設計小貼士#94:倒置降壓器如何提供非隔離反激器的拓撲選擇

            • 離線電源是最常見的電源之一,也稱為交流電源。隨著旨在集成典型家用功能的產品數(shù)量的增加,對所需輸出能力小于1瓦的低功率離線轉換器的需求也越來越大。對于這些應用程序,最重要的設計方面是效率、集成和低成本。在決定拓撲結構時,反激通常是任何低功耗離線轉換器的首選。但是,如果不需要隔離,這可能不是最好的方法。假設終端設備是一個智能燈開關,用戶可以通過智能手機的應用程序進行控制。在這種情況下,用戶在操作過程中不會接觸到暴露的電壓,因此不需要隔離。對于離線電源來說,反激拓撲是一個合理的解決方案,因為它的物料清單(BOM
            • 關鍵字: BOM  FET  VDD  

            緯湃科技和羅姆攜手打造SiC電源解決方案

            • 汽車電動化領域的領先供應商——緯湃科技(以下簡稱“Vitesco”)近日宣布選擇SiC功率元器件的領軍企業(yè)——羅姆(以下簡稱“ROHM”)作為其SiC技術的首選供應商,并就電動汽車領域電力電子技術簽署了開發(fā)合作協(xié)議(2020年6月起生效)。通過使用SiC功率元器件,大陸集團旗下的Vitesco將能夠進一步提高電動汽車用電力電子器件的效率。由于SiC功率元器件具有高效率等特性,因而可以更有效地利用電動汽車電池的電能。這將非常有助于延長電動汽車的續(xù)航里程并削減電池體積。Vitesco電氣化技術事業(yè)部執(zhí)行副總裁
            • 關鍵字: SiC  電氣  

            聚焦“寬禁帶”半導體——SiC與GaN的興起與未來

            • 隨著硅與化合物半導體材料在光電子、電力電子和射頻微波等領域器件性能的提升面臨瓶頸,不足以全面支撐新一代信息技術的可持續(xù)發(fā)展......
            • 關鍵字: 寬禁帶  半導體  SiC  GaN  

            碳化硅發(fā)展勢頭強 英飛凌650V CoolSiC MOSFET推高創(chuàng)新浪潮

            • 近期,多家公司發(fā)布了碳化硅(SiC)方面的新產品。作為新興的第三代半導體材料之一,碳化硅具備哪些優(yōu)勢,現(xiàn)在的發(fā)展程度如何?不久前,碳化硅的先驅英飛凌科技公司推出了650V的CoolSiC? MOSFET,值此機會,電子產品世界訪問了英飛凌電源管理及多元化市場事業(yè)部大中華區(qū)開關電源應用高級市場經理陳清源先生。英飛凌,電源管理及多元化市場事業(yè)部,大中華區(qū),開關電源應用,高級市場經理,陳清源碳化硅與氮化鎵、硅材料的關系碳化硅MOSFET是一種新器件,它的出現(xiàn)使一些以前硅材料很難被應用的電源轉換結構,例如電流連續(xù)
            • 關鍵字: SiC  UPS  
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