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同步降壓 MOSFET 電阻比的正確選擇

　　進(jìn)行這種折中處理可得到一個(gè)用于 FET 選擇的非常有用的起始點(diǎn)。通常，作為設(shè)計(jì)過(guò)程的一個(gè)組成部分，你會(huì)有一套包括了輸入電壓范圍和期望輸出電壓的規(guī)范，并且需要選擇一些 FET。另外，如果你是一名 IC 設(shè)計(jì)人員，你還會(huì)有一定的預(yù)算，其規(guī)定了 FET 成本或者封裝尺寸。這兩種輸入會(huì)幫助您選擇總 MOSFET 芯片面積。之后，這些輸入可用于對(duì)各個(gè) FET 面積進(jìn)行效率方面的優(yōu)化。　　　　圖 1 傳導(dǎo)損耗與 FET 電阻比和占空比相關(guān) 　　首先，F(xiàn)ET 電阻與其面積成反比例關(guān)系。
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看懂MOSFET數(shù)據(jù)表，第5部分—開關(guān)參數(shù)

　　最后，我們來(lái)到了這個(gè)試圖破解功率MOSFET數(shù)據(jù)表的“看懂MOSFET數(shù)據(jù)表”博客系列的收尾部分。在這個(gè)博客中，我們將花時(shí)間看一看MOSFET數(shù)據(jù)表中出現(xiàn)的某些其它混合開關(guān)參數(shù)，并且檢查它們對(duì)于總體器件性能的相關(guān)性(或者與器件性能沒什么關(guān)系)。　　另一方面，諸如FET固有體二極管的輸出電荷 (QOSS) 和反向恢復(fù)電荷(Qrr) 等開關(guān)參數(shù)是造成很多高頻電源應(yīng)用中大部分FET開關(guān)損耗的關(guān)鍵因素。不好意思，我說(shuō)的這些聽起來(lái)有點(diǎn)兒前言不搭后語(yǔ)，不過(guò)設(shè)計(jì)人員在根據(jù)這些參數(shù)比較不同
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估算熱插拔 MOSFET 的瞬態(tài)溫升——第 2 部分

　　在《估算熱插拔 MOSFET 的瞬態(tài)溫升——第 1 部分》中，我們討論了如何設(shè)計(jì)溫升問(wèn)題的電路類似方法。我們把熱源建模成了電流源。根據(jù)系統(tǒng)組件的物理屬性，計(jì)算得到熱阻和熱容。遍及整個(gè)網(wǎng)絡(luò)的各種電壓代表各個(gè)溫度?！　”疚闹?，我們把圖 1 所示模型的瞬態(tài)響應(yīng)與圖 3 所示公開刊發(fā)的安全工作區(qū)域(SOA 曲線)部分進(jìn)行了對(duì)比。　　　　圖 1 將散熱容加到&nb
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估算熱插拔 MOSFET 的瞬態(tài)溫升——第 1 部分

　　在本文中，我們將研究一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡(jiǎn)單方法?！　岵灏坞娐酚糜趯㈦娙葺斎朐O(shè)備插入通電的電壓總線時(shí)限制浪涌電流。這樣做的目的是防止總線電壓下降以及連接設(shè)備運(yùn)行中斷。通過(guò)使用一個(gè)串聯(lián)組件逐漸延長(zhǎng)新連接電容負(fù)載的充電時(shí)間，熱插拔器件可以完成這項(xiàng)工作。結(jié)果，該串聯(lián)組件具有巨大的損耗，并在充電事件發(fā)生期間產(chǎn)生溫升。大多數(shù)熱插拔設(shè)備的制造廠商都建議您查閱安全工作區(qū)域 (SOA) 曲線，以便設(shè)備免受過(guò)應(yīng)力損害。圖 1 所示
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看懂MOSFET數(shù)據(jù)表，第2部分—連續(xù)電流額定值

　　今天我們來(lái)談一談MOSFET電流額定值，以及它們是如何變得不真實(shí)的。好，也許一個(gè)比較好的解釋就是這些額定值不是用確定RDS(ON)?和柵極電荷等參數(shù)的方法測(cè)量出來(lái)的，而是被計(jì)算出來(lái)的，并且有很多種不同的方法可以獲得這些值。　　例如，大多數(shù)部件中都有FET“封裝電流額定值”，這個(gè)值同與周圍環(huán)境無(wú)關(guān)，并且是硅芯片與塑料封裝之間內(nèi)在連接線的一個(gè)函數(shù)。超過(guò)這個(gè)值不會(huì)立即對(duì)FET造成損壞，而在這個(gè)限值以上長(zhǎng)時(shí)間使用將開始減少器件的使用壽命。高于這個(gè)限值的故障機(jī)制包括但不限于線路融合、成型復(fù)合材料的熱降
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場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）檢測(cè)方法與經(jīng)驗(yàn)

　　本文總結(jié)了場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)檢測(cè)方法與經(jīng)驗(yàn)　　一、用指針式萬(wàn)用表對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)行判別　　(1)用測(cè)電阻法判別結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的電極　　根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象，可以判別出結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)電極。具體方法：將萬(wàn)用表?yè)茉赗×1k檔上，任選兩個(gè)電極，分別測(cè)出其正、反向電阻值。當(dāng)某兩個(gè)電極的正、反向電阻值相等，且為幾千歐姆時(shí)，則該兩個(gè)電極分別是漏極D和源極S。因?yàn)閷?duì)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管而言，漏極和源極可互換，剩下的電極肯定是柵極G。也可以將萬(wàn)用表的黑表筆(紅表筆也行)任意接觸一個(gè)電極，另一只表筆
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看懂MOSFET數(shù)據(jù)表，第1部分—UIS/雪崩額定值

　　在看到MOSFET數(shù)據(jù)表時(shí)，你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數(shù)很顯眼，也一目了然，其它的一些參數(shù)會(huì)十分的含糊不清、模棱兩可，而其它的某些參數(shù)自始至終就毫無(wú)用處(比如說(shuō)：開關(guān)時(shí)間)。在這個(gè)即將開始的博文系列中，我們將試著破解FET數(shù)據(jù)表，這樣的話，讀者就能夠很輕松地找到和辨別那些對(duì)于他們的應(yīng)用來(lái)說(shuō)，是最常見的數(shù)據(jù)，而不會(huì)被不同的生產(chǎn)商為了使他們的產(chǎn)品看起來(lái)更吸引人而玩兒的文字游戲所糊弄。　　自從20世紀(jì)80年代中期在MOSFET 數(shù)據(jù)表中廣泛使用的以來(lái)，無(wú)鉗位電感開關(guān) (UIS) 額定值就已經(jīng)被
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一種寬范圍可調(diào)的小型DC-DC降壓變換器

提出了一種小型可調(diào)壓DC-DC降壓變換器的結(jié)構(gòu)。主電路由MOSFET管、電感器及濾波電容器構(gòu)成。通過(guò)PWM波控制，由于PWM波的驅(qū)動(dòng)能力較差，設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路通過(guò)與PWM發(fā)生器一同控制MOSFET管的通斷。通過(guò)改變PWM波的占空比來(lái)改變輸出電壓以達(dá)到可調(diào)壓的目的。該降壓變換器設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單、經(jīng)濟(jì)適用、體積較小，輸出電壓可調(diào)。主要由主電路和驅(qū)動(dòng)電路組成。該變換器適用于較低壓工作場(chǎng)合，輸入電壓在5V至20V之間，輸出電壓在3V至18V之間。對(duì)電路的工作原理和結(jié)構(gòu)進(jìn)行了深入分析，并通過(guò)實(shí)物制作驗(yàn)證其可行性。
關(guān)鍵字： DC-DC降壓 PWM MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路 201601

意法半導(dǎo)體（ST）推出新款功率MOSFET，實(shí)現(xiàn)更小、更環(huán)保的汽車電源

　　意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)針對(duì)汽車市場(chǎng)推出了新系列高壓N溝道功率MOSFET。新產(chǎn)品通過(guò)AEC-Q101汽車測(cè)試認(rèn)證，采用意法半導(dǎo)體最先進(jìn)、內(nèi)置快速恢復(fù)二極管的MDmeshTM DM2超結(jié)制造工藝，擊穿電壓范圍為400V至650V，可提供D2PAK、TO-220及TO-247三種封裝?！　?00V和500V兩款新產(chǎn)品是市場(chǎng)上同級(jí)產(chǎn)品中首個(gè)獲得AEC-Q101認(rèn)證的功率MOSFET，而600V和650V產(chǎn)品性能則高于現(xiàn)有競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品。全
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如何通過(guò)配置負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器提供負(fù)電壓或隔離輸出電壓

　　在溫度高達(dá) 210 攝氏度或需要耐輻射解決方案的惡劣環(huán)境應(yīng)用中，集成型降壓解決方案可充分滿足系統(tǒng)需求。有許多應(yīng)用需要負(fù)輸出電壓或諸如 +12V 或 +15V 等隔離輸出電壓為 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器電路供電或者為運(yùn)算放大器實(shí)現(xiàn)偏置。我們將在本文中探討如何使用 TPS50x01 配置降壓轉(zhuǎn)換器，提供負(fù)輸出電壓。此外，我們還將討論如何通過(guò)提供高于輸入壓的電壓來(lái)滿足應(yīng)用需求?！　PS50601-SP和TPS50301-HT都是專為耐輻射、地質(zhì)、重工業(yè)以及油氣應(yīng)用等惡劣環(huán)境開發(fā)的集成型同步降壓轉(zhuǎn)換器解決方
關(guān)鍵字： MOSFET TPS50601-SP 電壓隔離

意法半導(dǎo)體（ST）推出新款電源芯片，將大幅降低家電、照明及工業(yè)設(shè)備中的待機(jī)功耗

　　橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST)推出符合國(guó)際零待機(jī)功耗標(biāo)準(zhǔn)的新電源管理芯片，率先為白色家電(white good)、照明及工業(yè)設(shè)備提供喚醒功能智能管理方式。這也代表著電能吸血鬼(裝置在被關(guān)掉或處于閑置狀態(tài)時(shí)仍在消耗電能)將不復(fù)存在。　　最大限度降低用電設(shè)備的待機(jī)耗電量(也稱：電能吸血鬼)是設(shè)計(jì)人員長(zhǎng)期努力的目標(biāo)，這也推動(dòng)了全世界啟用IEA[1]等國(guó)際組織提出的節(jié)能建議，即在2010年和2013年前將電器待機(jī)功耗分別降至1W和0
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意法半導(dǎo)體（ST）推出世界首款1500V超結(jié)功率MOSFET，實(shí)現(xiàn)更環(huán)保、更安全的電源應(yīng)用

　　意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST)的新系列功率MOSFET讓電源設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品效能最大化，同時(shí)提升工作穩(wěn)健性和安全系數(shù)。MDmeshTM K5產(chǎn)品是世界首款兼?zhèn)涑Y(jié)技術(shù)優(yōu)點(diǎn)與1500V漏源(drain-to-source)擊穿電壓(breakdown voltage)的晶體管，并已贏得亞洲及歐美主要客戶用于其重要設(shè)計(jì)中。　　新產(chǎn)品瞄準(zhǔn)計(jì)算機(jī)服務(wù)器及工業(yè)自動(dòng)化市場(chǎng)。服務(wù)器要求更高的輔助開關(guān)式電源輸出功率，同時(shí)電源穩(wěn)健性是最大限度減少斷電停機(jī)時(shí)間的關(guān)鍵要素，電焊、工廠自
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更小、更快、更酷、更高效，900V SiC MOSFET在PFC中的應(yīng)用

　　Wolfspeed (原CREE Power產(chǎn)品)推出業(yè)界首款900V SiC MOSFET系列產(chǎn)品，拓展了高頻電力電子應(yīng)用的范圍。相比于相當(dāng)于硅MOSFET，這一突破900V SiC使我們的產(chǎn)品的新市場(chǎng)通過(guò)擴(kuò)大我們?cè)诮K端系統(tǒng)解決功率范圍。該系列產(chǎn)品提供了更高的開關(guān)速率和更低的開關(guān)損耗，從而為電力電子工程師們提供了設(shè)計(jì)出更小，更快，更酷，更高效的電源解決方案可能。　　新的900V SiC MOSFET系列產(chǎn)品極大的擴(kuò)大了產(chǎn)品應(yīng)用空間，能夠更好的應(yīng)對(duì)不斷發(fā)展變化的應(yīng)用領(lǐng)域，更高的直流母線電壓可以覆蓋
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性價(jià)比：SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一點(diǎn)點(diǎn)

　　Si MOSFET管因?yàn)槠漭斎胱杩垢?，隨著其反向耐壓的提高，通態(tài)電阻也急劇上升，從而限制了其在高壓場(chǎng)合的應(yīng)用。SiC作為一種寬禁代半導(dǎo)體器件，具有飽和電子漂移速度高、電場(chǎng)擊穿強(qiáng)度高、介電常數(shù)低和熱導(dǎo)率高等特性。世強(qiáng)代理的Wolfspeed的SiC MOSFET管具有阻斷電壓高、工作頻率高且耐高溫能力強(qiáng)，同時(shí)又具有通態(tài)電阻低和開關(guān)損耗小等特點(diǎn)，是高頻高壓場(chǎng)合功率密度提高和效率提高的應(yīng)用趨勢(shì)。　　SiC與Si性能對(duì)比　　簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，SiC主要在以下3個(gè)方面具有明顯的優(yōu)勢(shì)為:擊穿電壓強(qiáng)度高(10倍于S
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Diodes全新100V MOSFET優(yōu)化以太網(wǎng)供電應(yīng)用

　　Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DMN10H120SFG MOSFET作為符合IEEE 802.3標(biāo)準(zhǔn)的48V以太網(wǎng)供電 (PoE) 系統(tǒng)的開關(guān)，能夠通過(guò)以太網(wǎng)線纜向無(wú)線接入點(diǎn)、VoIP網(wǎng)絡(luò)電話、銷售點(diǎn)終端、呼叫系統(tǒng)、IP網(wǎng)絡(luò)監(jiān)控鏡頭及樓房管理設(shè)備等終端應(yīng)用供電。　　在局域網(wǎng)路由器及中跨設(shè)備等供電設(shè)備內(nèi)，100V N通道MOSFET把電源接到五類或六類網(wǎng)線。然后網(wǎng)線就會(huì)借由消除供終端設(shè)備內(nèi)的電源降低成本，并提供電力和數(shù)據(jù)。該器件還保障了終端用戶，因?yàn)橐蕴W(wǎng)
關(guān)鍵字： Diodes MOSFET