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爾必達采用TSV技術SDRAM芯片開始供貨

　　爾必達存儲器宣布，開始樣品供貨采用TSV(Through Silicon Via，硅貫通孔)技術積層4個2Gbit DDR3 SDRAM芯片和1個接口芯片的單封裝DDR3 SDRAM。爾必達表示采用TSV技術實現(xiàn)32bit的輸入輸出“在全球尚屬首次”。據(jù)爾必達介紹，與采用引線鍵合(Wire Bonding)技術的現(xiàn)有SO-DIMM(Small-Outline Dual Inline Memory Module)相比，新產品可以大幅削減耗電量和封裝體積，因此有助于平板終端和超薄型筆記本電腦(PC)等節(jié)省
關鍵字：爾必達 SDRAM

DDR SDRAM在高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中的應用

在數(shù)據(jù)處理中為了更好地對被測對象進行處理和分析，研究人員們把重點更多的放在高速、高精度、高存儲深度的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的研究上由于A／D芯片及高性能的FPGA的出現(xiàn)，已經可以實現(xiàn)高速高精度的數(shù)據(jù)處理，則
關鍵字： SDRAM DDR 高速數(shù)據(jù) 采集系統(tǒng)

處理器外接SDRAM的控制技術介紹

處理器外接SDRAM的控制技術介紹,現(xiàn)代的處理器(SoC)或DSP都內建有內存控制器，它是外部SDRAM、FLASH、EEPROM、SRAMhellip;hellip;等內存的控制接口。但不同處理器內部的內存控制方式都不盡相同，而且它們的控制程序大部分都位于開機程序內，皆屬于
關鍵字：介紹技術控制 SDRAM 處理器

DDR測試技術和工具是否跟上了時代步伐？

　　DDR是雙倍數(shù)據(jù)速率的SDRAM內存，如今大多數(shù)計算機系統(tǒng)、服務器產品的主流存儲器技術，并且不斷向嵌入式系統(tǒng)應用領域滲透。孰不知，隨著iPhone等大牌智能手機的采納，DDR內存儼然成為智能手機轉變的方向之一，例如韓國泛泰去年底最新推出的Android智能手機Vega X就搭載了512MB的DDR2內存。　　DDR技術不斷發(fā)展，并行總線達到了串行技術的速度，時鐘速度達到1GHz。目前，DDR3現(xiàn)在已經具備1.6Gb/s的數(shù)據(jù)速率，而DDR3-1866及更高速率版本正在開發(fā)中，很快就會出現(xiàn)在市場上。
關鍵字： SDRAM DDR測試

基于FPGA與SDRAM的數(shù)字電視信號采集系統(tǒng)的設計與實

要FPGA與的數(shù)字信號采集系統(tǒng)?？梢蕴峁┐笕萘康拇鎯臻g。提供優(yōu)秀的系統(tǒng)適應能力。該方案通過計算機并口實現(xiàn)與計算機的通信 ,但是高性能的邏輯分析儀價格昂貴,而且存取深度不足限制了對于海量數(shù)字電視信號的分析能力
關鍵字： SDRAM FPGA 數(shù)字電視信號采集系統(tǒng)

一種基于FPGA的立體視頻轉換系統(tǒng)研究設計

自由立體顯示器是一種無需佩戴輔助裝置就能觀看三維立體效果的顯示器。由于立體顯示器能夠真實還原三維...
關鍵字： FPGA 立體視頻轉換 SDRAM DVI

如何實現(xiàn)FPGA到DDR3 SDRAM存儲器的連接

采用90nm工藝制造的DDR3 SDRAM存儲器架構支持總線速率為600 Mbps-1.6 Gbps (300-800 MHz)的高帶寬，工作電壓低至1.5V，因此功耗小，存儲密度更可高達2Gbits。該架構無疑速度更快，容量更大，單位比特的功耗更低，但問
關鍵字： SDRAM FPGA DDR3 存儲器

基于FPGA的LED大屏幕控制系統(tǒng)的設計實現(xiàn)

相比于液晶顯示、投影顯示等其他大屏幕顯示技術，LED顯示技術有其獨特的優(yōu)越性：高亮度、寬可視角度、豐富...
關鍵字： LED大屏幕 FPGA 反γ校正 SDRAM

基于SDRAM文件結構存儲方式的數(shù)據(jù)緩存系統(tǒng)

基于SDRAM文件結構存儲方式的數(shù)據(jù)緩存系統(tǒng),O 引言　　面對不同的應用場景，原始采樣數(shù)據(jù)可能包含多種不同樣式的信號，這給傳統(tǒng)基于連續(xù)存儲方式的數(shù)據(jù)緩存系統(tǒng)帶來了挑戰(zhàn)。除此之外，由于對不同信號的處理往往需要不同的數(shù)據(jù)幀結構，緩存系統(tǒng)的設計需要保存原
關鍵字：方式數(shù)據(jù) 系統(tǒng) 存儲結構 SDRAM 文件基于

基于Xilinx 和FPGA的DDR2 SDRAM存儲器接口控制器的設計

基于Xilinx 和FPGA的DDR2 SDRAM存儲器接口控制器的設計,　　本白皮書討論各種存儲器接口控制器設計所面臨的挑戰(zhàn)和 Xilinx 的解決方案，同時也說明如何使用 Xilinx軟件工具和經過硬件驗證的參考設計來為您自己的應用(從低成本的 DDR SDRAM 應用到像 667 Mb/sDDR2 SDRAM 這樣
關鍵字：接口控制器設計存儲器 SDRAM Xilinx FPGA DDR2 基于

茂德、鈺創(chuàng)攜手進軍SDRAM

　　臺系DRAM廠陸續(xù)啟動多角化產品線策略，近期茂德悄悄與鈺創(chuàng)進行結盟，將在中科12寸晶圓廠為鈺創(chuàng)代工高容量256Mb DDR2產品，采用72納米制程，目前已進入試產，這是茂德跨入消費性電子市場重要里程碑，對鈺創(chuàng)而言，亦在SDRAM產能吃緊情況下獲得及時雨。　　2008~2009 年DRAM產業(yè)低潮雖然僅淘汰歐系奇夢達(Qimonda)，但各家DRAM業(yè)者都意識到太過執(zhí)著于標準型DRAM產品，終究是一條不歸路，因此自 2010年開始，陸續(xù)傳出DRAM廠開始布局非標準型DRAM產品領域，包括SDRAM、
關鍵字： Qimonda DRAM SDRAM

Cyclone II如何實現(xiàn)的DDR SDRAM接口

Cyclone II如何實現(xiàn)的DDR SDRAM接口,在不增加電路板復雜度的情況下要想增強系統(tǒng)性能，改善數(shù)據(jù)位寬是一個有效的手段。通常來說，可以把系統(tǒng)頻率擴大一倍或者把數(shù)據(jù)I/O管腳增加一倍來實現(xiàn)雙倍的數(shù)據(jù)位寬。這兩種方法都是我們不希望用到的，因為它們會增加
關鍵字： SDRAM 接口 DDR 實現(xiàn) II 如何 Cyclone

力晶王其國：DRAM制程難度提升　摩爾定律放緩

　　力晶總經理王其國表示，目前12寸晶圓廠不論在標準型DRAM或是代工業(yè)務如LCD驅動IC芯片、SDRAM產品上，產能都相當吃緊，未來DRAM業(yè)者在轉制程和蓋新廠上，會因為財務問題而放緩腳步，因此短期內不擔心供過于求的問題，尤其是相當看好智能型手機(Smart Phone)對于DRAM產能的消耗量，算是殺手級的應用，對于未來DRAM產業(yè)看法相當正面。　　王其國表示，過去摩爾定律認為每隔18個月晶圓產出數(shù)量可多出1倍，但未來隨著DRAM產業(yè)制程技術難度增加，制程微縮的腳步放緩，可能較難達成，加上現(xiàn)在轉進
關鍵字：力晶 SDRAM DRAM

基于A3P125和SDRAM實現(xiàn)多功能、高分辨率顯示方案

采用A3P125和SDRAM該方案采用A3P125和SDRAM的方式實現(xiàn)，由于A3125資源較為豐富，除了可以實現(xiàn)高分辨率的顯示以外，還可以實現(xiàn)多圖層的功能，功能上高于上述的方案。

　　功能特點：
　　1、采用Actel中等容量
關鍵字：分辨率顯示方案多功能實現(xiàn) A3P125 SDRAM 基于

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sdram介紹

　　SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory,同步動態(tài)隨機存取存儲器，同步是指Memory工作需要同步時鐘，內部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準；動態(tài)是指存儲陣列需要不斷的刷新來保證數(shù)據(jù)不丟失；隨機是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲，而是由指定地址進行數(shù)據(jù)讀寫。　　SDRAM從發(fā)展到現(xiàn)在已經經歷了四代，分別是：第一代SDR SDRAM，第二代DDR [ 查看詳細 ]