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      EEPW首頁 >> 主題列表 >> run-from-flash

      中國下個購并標的:NAND Flash控制芯片

      •   中國政府近來積極透過中資集團陸續(xù)收購或入資海外半導體公司,期建立自有半導體供應鏈?,F(xiàn)階段,邏輯晶片從設計、制造到封裝測試皆已具雛型,反觀記憶體領域則為主要發(fā)展缺口。資策會MIC認為,中資集團下一波購并目標將鎖定NAND Flash控制晶片業(yè)者,并設法取得大規(guī)模制造產(chǎn)能,以補強記憶體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。   資策會MIC產(chǎn)業(yè)顧問兼主任洪春暉表示,中國近期積極透過購并,來改善半導體自制比例過低的情形,現(xiàn)今中國在本土邏輯IC設計、晶圓代工、邏輯IC封測等產(chǎn)業(yè)鏈上,已有一定程度的發(fā)展,上述領域皆具有本土廠商或已與外商
      • 關鍵字: NAND Flash  芯片  

      TrendForce:經(jīng)濟前景未明,2016年全球NAND Flash產(chǎn)值增長有限

      •   全球經(jīng)濟依舊前景不明,各項NAND Flash終端需求廠商態(tài)度相對保守,TrendForce旗下存儲事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示,由于終端設備平均搭載量與固態(tài)硬盤(SSD)需求增長,2016年整體NAND Flash需求位量將較2015年增長44%,然而生產(chǎn)端為了快速降低成本以刺激更多的需求,NAND Flash廠商將會加速3D-NAND Flash的開發(fā),整體NAND Flash年度位元產(chǎn)出增長率將大幅增長50%。   DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示,2016年NAND Fl
      • 關鍵字: NAND Flash  TLC  

      掌握ECC/壞區(qū)塊管理眉角 NAND Flash嵌入式應用效能增

      •   NAND Flash記憶體在出廠時是允許部分晶片含有壞區(qū)塊,或者好的區(qū)塊中含有一些錯誤位元,因此在實際應用時,須搭配使用控制器,透過硬體與軟體進行壞區(qū)塊管理,以及利用錯誤更正編碼(ECC)演算法修正錯誤位元,方能提升嵌入式系統(tǒng)儲存效能。   NAND型快閃記憶體(NAND Flash) IC的技術演進快速,平均每1∼2年就前進一個制程世代來降低成本,在售價大幅下降情況下,愈來愈多嵌入式系統(tǒng),例如:藍光播放器、電視、數(shù)位相機、印表機等應用均采用NAND低成本的優(yōu)勢,取代原本使用的NOR型快閃記
      • 關鍵字: NAND Flash  

      中國NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的布局日趨完整

      •   研究機構TrendForce表示,隨著清華紫光投資NAND Flash儲存相關公司的腳步加快,以及中國半導體業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的布局日趨完整,中國業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)地位也越來越關鍵。   TrendForce 旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示,雖然NAND Flash短期內(nèi)受到供過于求的影響呈現(xiàn)較為疲軟的格局,但長遠來看,NAND Flash的相關應用成長依舊快速。SSD與eMMC在各種電子產(chǎn)品的能見度越來愈高,NAND Flash成為未來儲存
      • 關鍵字: NAND Flash  SSD  

      中國NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的布局日趨完整

      •   研究機構TrendForce表示,隨著清華紫光投資NAND Flash儲存相關公司的腳步加快,以及中國半導體業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的布局日趨完整,中國業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)地位也越來越關鍵。   TrendForce 旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示,雖然NAND Flash短期內(nèi)受到供過于求的影響呈現(xiàn)較為疲軟的格局,但長遠來看,NAND Flash的相關應用成長依舊快速。SSD與eMMC在各種電子產(chǎn)品的能見度越來愈高,NAND Flash成為未來儲存
      • 關鍵字: AND Flash  

      科技行業(yè)為Flash準備“葬禮”

      • 過去多年時間里,來自Adobe的熱門軟件Flash讓網(wǎng)絡變得更豐富,然而,F(xiàn)lash的安全性一直飽受詬病,而近期發(fā)生的信息安全事故再次表明,F(xiàn)lash應當走向消亡。
      • 關鍵字: Adobe  Flash  

      基于ARM7軟中斷程序的設計

      •   筆者在設計一項目時采用LPC2458。此CPU為ARM7內(nèi)核,帶512K字節(jié)的片內(nèi)FLASH,98k字節(jié)的片內(nèi)RAM,支持片外LOCAL BUS總線,可從片外NOR FLASH啟動CPU.由于代碼量較大,程序放在片外的NOR FLASH中。且存在片外NOR FLASH在運行程序時,需對片外的NOR FLASH擦寫的需求。圖1為存儲部分框圖。        圖1存儲部分原理框圖   在設計中,片外NOR FLASH的大小為16M字節(jié)。其中2M規(guī)劃為存放運行程序,剩余的空間用于產(chǎn)品運
      • 關鍵字: ARM7  FLASH  

      研調(diào):NAND Flash需求漸加溫,估Q3擺脫供過于求

      •   TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查報告顯示,受到新款智慧型手機上市以及今(2015)年度蘋果新款iPhone即將開始拉貨的影響,NAND Flash市況將逐漸增溫,預估在第三季將擺脫供過于求,轉(zhuǎn)為供需較為平衡的格局。   從供給面觀察,雖然各家NAND Flash廠商陸續(xù)宣布3D -NAND Flash的量產(chǎn)時程,但嵌入式產(chǎn)品應用仍須考量控制晶片的搭配,與各種系統(tǒng)端搭配的相容性問題,DRAMeXchange預估,2015年3D-NAND Flash的產(chǎn)出比重將僅
      • 關鍵字: TrendForce  NAND Flash  

      基于TFFS的成像聲吶文件系統(tǒng)設計

      •   1 VxWorks系統(tǒng)的啟動流程   嵌入式VxWorks操作系統(tǒng)的啟動包括兩個階段,一是BootRom引導,二是VxWorks操作系統(tǒng)映像的啟動。BootRom映像也叫做啟動映像,它主要是初始化串口、網(wǎng)口等很少的硬件系統(tǒng)來下載VxWorks映像。VxWorks映像包含完整的VxWorks OS,是真正在目標板上運行的操作系統(tǒng)。它啟動后會重新初始化幾乎所有的硬件系統(tǒng),這樣操作系統(tǒng)才可以在目標板上正常運行。兩種映像的區(qū)別如表 1所示。   VxWorks內(nèi)核有多種啟動流程。本文基于的聲吶原型機采
      • 關鍵字: VxWorks  嵌入式  TFFS  Flash  MTD  

      NAND flash市占,三星美光增、東芝獨垂淚!

      •   2014年NAND flash銷售數(shù)據(jù)出爐,IHS報告稱,前四大業(yè)者中,三星電子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)銷售皆有成長,唯有二哥東芝(Toshiba)疑似因為產(chǎn)品出包遭蘋果召回,市占和業(yè)績雙雙下滑。   BusinessKorea報導,IHS 13日報告稱,三星電子穩(wěn)居NAND flash老大,去年銷售年增4%至90.84億美元,市占率成長0.1%至36.5%。二哥東芝去年市占率由34.3%減至31.8%,銷售也大減將近3億美元。
      • 關鍵字: 三星  NAND flash  

      儲存市場新廠突圍 傳統(tǒng)大廠嚴陣以待

      •   儲存裝置市場正醞釀一波小型新創(chuàng)公司革命。過去由惠普(HP)、IBM、NetApp與EMC等業(yè)者把持的儲存市場,目前已遭到許多小型新創(chuàng)公司崛起并搶走市場。調(diào)查也發(fā)現(xiàn),消費者預期未來將擴大使用Flash存儲器與固態(tài)硬碟(SSD),因此,傳統(tǒng)大廠必須調(diào)整策略才能扭轉(zhuǎn)頹勢。   據(jù)TechRadar報導,全球四大儲存大廠惠普、IBM、NetApp與EMC近期受到甫成立不久的新創(chuàng)公司推出快閃技術產(chǎn)品,因此,其外部硬碟儲存市場占有率已逐漸流失。   據(jù)IDC調(diào)查發(fā)現(xiàn),截至2014年第2季為止,由四大廠供應的高
      • 關鍵字: IBM  SSD  Flash  

      東芝傳年內(nèi)量產(chǎn)3D Flash 技術更勝三星

      •   三星電子(Samsung Electronics)領先全球同業(yè)、于去年10月?lián)屜攘慨a(chǎn)3D架構的NAND型快閃存儲器(Flash Memory)產(chǎn)品,但三星的領先優(yōu)勢恐維持不了多久,因為三星NAND Flash最大競爭對手東芝(Toshiba)傳出將在今年下半年量產(chǎn)3D NAND Flash、且其制造技術更勝三星一籌!   日本媒體產(chǎn)經(jīng)新聞25日報導,三星于去年量產(chǎn)的3D NAND Flash產(chǎn)品為垂直堆疊32層,但東芝已研發(fā)出超越三星的制造技術、可堆疊48層,且東芝計劃于今年下半年透過旗下四日市工廠
      • 關鍵字: 東芝  3D Flash   

      大陸手機市場驚人Mobile DRAM消費量陡升

      •   中國大陸智能型手機的高成長,使得內(nèi)存等零組件的消耗激增。這也使得南韓的內(nèi)存供應商不管是從零組件競爭還是手機整機的競爭上都倍感壓力。
      • 關鍵字: DRAM  NAND Flash  

      半導體市場今年迎向高規(guī)格之爭

      •   2015年由行動裝置帶動的高規(guī)格半導體之爭蓄勢待發(fā);行動應用處理器、LPDDR4、UFS(Universal Flash Storage;UFS)、三階儲存單元(Triple Level Cell;TLC)等新一代半導體需求增加,被視為半導體產(chǎn)業(yè)成長新動能。   據(jù)韓媒亞洲經(jīng)濟的報導,智慧型手機的功能高度發(fā)展,讓核心零組件如應用處理器(Application Processor;AP)、LPDDR4、UFS、TLC等下一代半導體的需求日漸增加。首先是AP從32位元進化到64位元,可望讓多工與資料處理
      • 關鍵字: 半導體  NAND Flash  LPDDR4  

      淡季影響銷售,NAND Flash 供應商 Q1 將供過于求

      •   根據(jù) TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 最新報告顯示,第四季 NAND Flash 市況雖依舊維持健康水準,但在三星電子、東芝與晟碟各自面臨價格與產(chǎn)銷端的壓力影響營收、及第三季呈現(xiàn)微幅衰退的情況下,品牌供應商營收僅較第三季成長 2% 至 87.5 億美元。DRAMeXchange 研究協(xié)理楊文得表示,因需求端面臨淡季效應,2015 年第一季整體市況將轉(zhuǎn)為供過于求,在價格滑落幅度轉(zhuǎn)趨明顯的情況下,業(yè)者將藉由加速先進制程的轉(zhuǎn)進,改善成本架構,以減低價格跌幅的沖擊。  
      • 關鍵字: NAND Flash  三星  東芝  
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