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一種基于MCU內(nèi)部Flash的仿真器設(shè)計方法
- 摘要：提出了一種基于MCU內(nèi)部Flash的仿真器設(shè)計方法，并完成了設(shè)計和仿真。 關(guān)鍵詞：微控制器 在線仿真 開發(fā)系統(tǒng) Flash SRAM 由于市場對MCU功能的要求總是不斷變化和升級，MCU應用的領(lǐng)域也不斷擴展， 因此往往需要對最初的設(shè)計進行修改。Flash MCU與以往OTP/MASK MCU相比，最大的優(yōu)點就在于可進行高達上萬次的擦寫操作，順應了MCU功能不斷修改的需求;另一方面，F(xiàn)lash MCU市場價格也在不斷下降。因此，許多OEM已將Flash MCU用于產(chǎn)品的批量生產(chǎn)。對于F
- 關(guān)鍵字： MCU Flash 仿真器
終端需求多元化帶動NAND Flash市場穩(wěn)健增長
- TrendForce旗下內(nèi)存儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查顯示，由于智能手機、平板電腦等移動裝置需求穩(wěn)健增長，固態(tài)硬盤在筆記本電腦以及服務器與數(shù)據(jù)中心的需求增加，而物聯(lián)網(wǎng)應用也將逐漸導入NANDFlash，2015年NANDFlash整體產(chǎn)業(yè)規(guī)模將提升至266億美元，年增長9%。 DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，2014年NANDFlash需求位增長率為36%，在更多元化的產(chǎn)品開始導入NANDFlash的挹注下，2015年的需求位增長率將依舊有35%。市場趨勢觀察的重
- 關(guān)鍵字： NAND Flash 穿戴性裝置
基于ARM7軟中斷程序的設(shè)計
- 摘要：本文以ARM7內(nèi)核的MCU LPC2458在片外FLASH上運行程序時，采用SWI軟中斷的方法實現(xiàn)同時寫片外FLASH的例子，詳細講述ARM7內(nèi)核的MCU如何設(shè)計SWI軟中斷程序的流程、方法和應用原理。 1 背景描述 筆者在設(shè)計一項目時采用LPC2458。此CPU為ARM7內(nèi)核，帶512K字節(jié)的片內(nèi)FLASH，98k字節(jié)的片內(nèi)RAM，支持片外LOCAL BUS總線，可從片外NOR FLASH啟動CPU。由于代碼量較大，程序放在片外的NOR FLASH中。且存在片外NOR FLASH在
- 關(guān)鍵字： ARM7 LPC2458 FLASH MCU SWI CPU 201409
上海海爾：向通用MCU進發(fā)
- 今年上半年，上海海爾集成電路公司推出十幾款單片機產(chǎn)品，有其自主知識產(chǎn)權(quán)內(nèi)核的HR7P155~170、201、192、196等系列，還有新的觸摸按鍵芯片等，容量涵蓋0.5~64kB，管腳數(shù)從10pin至80pin。豐富的資源為客戶的方案設(shè)計提供了多樣選擇。 專注于專用MCU的上海海爾，為何此次在如此多的通用產(chǎn)品上發(fā)力?在芯片本土化的熱潮下，上海海爾的愿景是什么? 處于從專用向通用MCU升級的開端 MCU(單片機，微控制器)一般有通用和專用兩類。很多歐美大公司喜歡推出通用單片機，而日本、
- 關(guān)鍵字： 海爾 MCU Flash 201408
基于SRAM芯片立體封裝大容量的應用
- 靜態(tài)隨機存儲器(static?RAM)，簡稱SRAM。在電子設(shè)備中，常見的存儲器有SRAM(靜態(tài)隨機訪問存儲器)、FLASH(閃速存儲器)、DRAM(動態(tài)存儲器)等。其中不同的存儲器有不同的特性，SRAM無需刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。而DRAM每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會消失。與SDRAM相比，SRAM不需要時鐘信號，即可保持數(shù)據(jù)不丟失。 1、VDMS16M32芯片介紹 VDSR16M32是一款工作電壓3.3V，16Mbit，32位數(shù)據(jù)總線的立體封裝SRAM模
- 關(guān)鍵字： SRAM FLASH DRAM VDSR16M32
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