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            力晶聚焦NAND Flash 挑戰(zhàn)20納米

            •   近期臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)獲得經(jīng)濟部補助,聯(lián)合茂德、晶豪打算從NAND Flash產(chǎn)業(yè)重起爐灶,加上力晶、旺宏亦紛投入NAND Flash市場,3方人馬點燃臺灣NAND Flash戰(zhàn)火。力晶董事長黃崇仁6日表示,力晶耕耘NAND Flash產(chǎn)業(yè)6年來投入新臺幣70億元,是臺灣血統(tǒng)最純正技術(shù),目前力晶NAND Flash技術(shù)腳步相較于國際大廠仍晚1個世代,但若未來成功走向20納米制程,對臺灣NAND Flash研發(fā)是很大突破。   事實上,力晶NAND Flash產(chǎn)品系師承日商瑞薩(Renes
            • 關(guān)鍵字: TIMC  NAND   

            NAND閃存芯片價格三季度將上漲

            •   據(jù)iSuppli稱,隨著消費電子廠商準(zhǔn)備圣誕假日的產(chǎn)品,今年第三季度NAND閃存芯片將供不應(yīng)求。   iSuppli高級半導(dǎo)體分析師Rick Pierson說,當(dāng)市場供貨量緊張的時候,平均銷售價格將上漲。NAND閃存芯片一般用于數(shù)碼相機、智能手機和視頻攝像機等電子產(chǎn)品存儲數(shù)據(jù)。   今年第二季度NAND閃存芯片供貨量充足導(dǎo)致價格出現(xiàn)下降的趨勢。但是,智能手機等產(chǎn)品正在集成視頻攝像機等組件,從而產(chǎn)生了額外的存儲需求。   廠商產(chǎn)量不會由于超過了需求而進行限制。但是,供應(yīng)商將根據(jù)合同義務(wù)和關(guān)系向關(guān)鍵
            • 關(guān)鍵字: NAND  閃存芯片  

            因供不應(yīng)求 NAND 閃存芯片價格三季度將上漲

            •   據(jù)iSuppli稱,隨著消費電子廠商準(zhǔn)備圣誕假日的產(chǎn)品,今年第三季度NAND閃存芯片將供不應(yīng)求。   iSuppli高級半導(dǎo)體分析師Rick Pierson說,當(dāng)市場供貨量緊張的時候,平均銷售價格將上漲。NAND閃存芯片一般用于數(shù)碼相機、智能手機和視頻攝像機等電子產(chǎn)品存儲數(shù)據(jù)。今年第二 季度NAND閃存芯片供貨量充足導(dǎo)致價格出現(xiàn)下降的趨勢。但是,智能手機等產(chǎn)品正在集成視頻攝像機等組件,從而產(chǎn)生了額外的存儲需求。   廠商產(chǎn)量不會由于超過了需求而進行限制。但是,供應(yīng)商將根據(jù)合同義務(wù)和關(guān)系向關(guān)鍵的合作
            • 關(guān)鍵字: NAND  閃存芯片  

            三星電子擬向其美國芯片生產(chǎn)廠投入36億美元

            •   6月10日消息,據(jù)路透社報道,全球最大的記憶體芯片生產(chǎn)商韓國三星電子周四表示,計劃投資36億美元,擴大其在美國的芯片生產(chǎn)能力。   三星電子的海外唯一一家芯片廠就設(shè)在美國得克薩斯州的奧斯汀,此次產(chǎn)能擴增主要是針對生產(chǎn)大型積體電路(LSI)芯片的設(shè)備。   奧斯汀工廠主要生產(chǎn)用于手機和數(shù)碼相機的NAND型閃存芯片。三星電子在聲明中稱,工廠擴產(chǎn)計劃還包括增聘500名員工。
            • 關(guān)鍵字: 三星電子  NAND  

            10個理由看好或看衰半導(dǎo)體業(yè)

            •   至此,對于今年全球電子工業(yè)的看法是樂觀的,而且是有相當(dāng)大的增長。   但是作為一個編輯者仍有些擔(dān)憂,以下是對于2010年有10個理由來看好或者是看衰半導(dǎo)體業(yè)。   1. IC熱,然后冷   Gartner分析師Bryan Lewis及Peter Middleleton表示,2010年全球半導(dǎo)體銷售額達(dá)2900億美元, 與2009年銷售額2280億美元相比增長27.1%。與Gartner之前在第一季度的預(yù)測,2010年增長19.9%相比有明顯提高。   芯片銷售額的增長明顯超過系統(tǒng)產(chǎn)品銷售額的增
            • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  DRAM  NAND  

            存儲器市場高漲 20大IC供應(yīng)商重排座次

            •   按IC Insight報告,在DRAM 及NAND市場高漲下,導(dǎo)致與之相關(guān)連的全球前20大半導(dǎo)體制造商排名中有10家位置發(fā)生更迭。   IC Insight的McLean的5月最新報告表示,Toshiba、Hynix、Micron及Elpida存儲器廠,它們的排名至少前進了一位,其中 Elpida前進了6位,列于第10。   同時列于第2的三星電子,估計2010年它的銷售額離300億美元僅一步之遙,IC銷售額增長達(dá)50%以上。   三星在本月初時,它將擴大今年半導(dǎo)體的投資達(dá)96億美元, 也即表示
            • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  半導(dǎo)體制造  

            金士頓創(chuàng)辦人稱:看好DRAM下半年銷售

            •   6月3日消息,據(jù)臺灣媒體報道,全球DRAM模組龍頭美國金士頓創(chuàng)辦人孫大衛(wèi)昨天在臺表示,DRAM廠的制程轉(zhuǎn)換技術(shù)門檻不低,再加上智能手機等新的應(yīng)用產(chǎn)品,帶動DRAM需求,他認(rèn)為下半年的DRAM市況應(yīng)該會好。   孫大衛(wèi)表示,DRAM制造廠越來越少,各大廠多進入制程轉(zhuǎn)換的階段,總產(chǎn)出量恐比實際預(yù)期要低。而在智能手機、3D電視等多元化的新應(yīng)用產(chǎn)品紛紛出線下,下半年的DRAM供需不僅趨于平衡,甚至可能出現(xiàn)供不應(yīng)求的情況。   南韓三星電子大舉提高資本支出的計劃,讓臺系廠商非常緊張。孫大衛(wèi)則認(rèn)為,目前全球的
            • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  智能手機  

            NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計

            • NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計,閃存存儲器主要分為NAND和XOR兩種類型,其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲設(shè)計。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類型的閃存芯片。一個NAND類型的閃存芯片的存儲空間是由塊(Block)構(gòu)成,每個塊又劃分為固定大小的頁,塊是擦
            • 關(guān)鍵字: 閃存  設(shè)計  映射  適應(yīng)  NAND  

            存儲器市場高漲 引發(fā)全球前20大IC供應(yīng)商排名大變

            •   按IC Insight報告,在DRAM 及NAND市場高漲下,導(dǎo)致與之相關(guān)連的全球前20大半導(dǎo)體制造商排名中有10家位置發(fā)生更迭。   IC Insight的McLean的5月最新報告表示,Toshiba、Hynix、Micron及Elpida存儲器廠,它們的排名至少前進了一位,其中 Elpida前進了6位,列于第10。   同時列于第2的三星電子,估計2010年它的銷售額離300億美元僅一步之遙,IC銷售額增長達(dá)50%以上。   三星在本月初時,它將擴大今年半導(dǎo)體的投資達(dá)96億美元, 也即表示
            • 關(guān)鍵字: Hynix  存儲器  DRAM  NAND  

            南北韓戰(zhàn)事升溫 三星命懸一線

            •   才剛對全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投下史上最高資本支出震撼彈的三星電子(Samsung Electronics),再度因南北韓政治對立情勢升溫,戰(zhàn)事恐一觸即發(fā),而成為科技產(chǎn)業(yè)關(guān)心的焦點。業(yè)界聚焦重點放在DRAM和NAND Flash產(chǎn)業(yè),三星在此兩大產(chǎn)業(yè)中,DRAM市占率分別超過30%,NAND Flash市占率逼近40%,未來南北韓關(guān)系若持續(xù)緊繃,甚至有戰(zhàn)事發(fā)生,將使得全球個人計算機(PC)和消費性電子產(chǎn)品供應(yīng)鏈造成巨大變化。   全球DRAM和NAND Flash生產(chǎn)大廠:三星   根據(jù)DIGITIMES
            • 關(guān)鍵字: 三星電子  DRAM  NAND  

            三星的行動讓業(yè)界生畏

            •   三星在DRAM及NAND中稱霸,年產(chǎn)值達(dá)200億美元。然而近期的幾件事讓人聯(lián)想泛泛,三星擬再奪全球代工的寶座。   南韓半導(dǎo)體大廠三星電子(Samsung Electronics)日前提高資本支出,其中在系統(tǒng)LSI(System LSI)部門,資本支出亦增加逾50%,達(dá)2兆韓元(約18億美元),以滿足手機等系統(tǒng)單芯片(SoC)需求,顯示三星有意加強晶圓代工業(yè)務(wù)。業(yè)界對此解讀,三星主要系著眼于最大客戶高通(Qualcomm)手機芯片訂單,未來是否會擴大分食高通在臺積電訂單,高通訂單版圖移轉(zhuǎn)變化有待觀察
            • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  NAND  

            迎戰(zhàn)三星 臺塑集團準(zhǔn)備好了

            •   南韓三星電子大張旗鼓擴充DRAM產(chǎn)能,引發(fā)各方關(guān)注。臺塑集團總裁王文淵日前于內(nèi)部會議表示,原先預(yù)期三星明年下半年啟動擴產(chǎn),其進度比預(yù)期快得多,惟集團與美光合作的30納米制程已完成開發(fā),今年將切入50、42納米制程,技術(shù)超越臺系廠商;對照先前65納米,生產(chǎn)成本優(yōu)勢將提升約40%至50%,臺塑集團已積極審慎應(yīng)戰(zhàn)。   三星大張旗鼓擴充DRAM、NAND產(chǎn)能,由于比原先預(yù)期將在明年下半年啟動快的多,也使臺灣廠商將被迫提前面臨新產(chǎn)業(yè)淘汰賽,但也突顯三星對DRAM后續(xù)產(chǎn)業(yè)前景,有偏多的立場。   南亞科董事
            • 關(guān)鍵字: 三星電子  DRAM  NAND  50納米  

            NAND閃存銷售Q1微增 三星東芝主宰市場

            •   據(jù)市場研究公司iSuppli發(fā)表的按美元統(tǒng)計的第一季度全球NAND閃存市場的銷售收入數(shù)字顯示,三星和東芝主宰了NAND閃存市場,僅給其它所有的公司留下了較少的市場份額。三星今年第一季度的市場份額是38.5%,緊隨其后的東芝的市場份額是33.8%。其它每一個廠商爭奪的市場份額只有27.7%。   按美元統(tǒng)計,今年第一季度全球NAND閃存市場的銷售收入是43.6億美元,比 2009年第四季度的43.3億美元增長了0.6%。因此,你可以計算出供應(yīng)商的實際銷售收入。iSuppli稱,這是一個好消息,因為歷史
            • 關(guān)鍵字: Numonyx  NAND  閃存  

            Intel鎂光宣布開始量產(chǎn)銷售25nm制程NAND閃存芯片

            •   繼今年二月份宣布成功試制出25nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品之后,Intel與鎂光的合資公司IMFT( Intel-Micron Flash Technologies)近日宣布開始正式對外銷售量產(chǎn)的25nm制程NAND閃存芯片,這種新制程的芯片產(chǎn)品容量將比34nm制程產(chǎn)品提升一倍。   這次采用25nm制程技術(shù)制作的NAND閃存芯片產(chǎn)品主要是8GB容量的芯片產(chǎn)品,這種8GB芯片的面積僅為167平方毫米,其容量可容納2000首歌曲,7000張照片或8小時時長的視頻片段。   目前還不清楚首款配置這
            • 關(guān)鍵字: Intel  25nm  NAND  

            今年 Q1 NAND閃存市調(diào)報告出爐 三星東芝占據(jù)大半江山

            •   據(jù)iSuppli市調(diào)公司2010年第一季度的NAND閃存市場調(diào)查報告顯示,三星與東芝公司兩家占據(jù)了NAND閃存市場的絕大部分份額,其中三星的營收 份額最高,達(dá)到了38.5%,東芝則位居第二為33.8%,兩者合在一起占據(jù)了72.3%的NAND閃存市場營收份額。按美元計算,今年第一季度NAND 閃存的市場總值達(dá)到43.6億美元,比去年第四季度NAND閃存市場總值43.3億美元提升了0.6%。由于季節(jié)性因素的影響,每年的第一季度閃存市場一 般都會比上一年最后一季度有所萎縮,而今年則反其道而行,iSuppli
            • 關(guān)鍵字: 三星  NAND  閃存  
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