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            三星每年提高一倍代工芯片產能 目標直指臺積電

            •   據報道,為了更加快速的追趕臺積電,三星計劃將以后每年的代工芯片產能提高一倍直至達到臺積電的規(guī)模。   根據iSuppli的統計,去年全球芯片代工市場的產值為190億美元,而臺積電獨自占據了其中的100億美元。   三星是全球第二大芯片制造商,在DRAM內存和NAND閃存市場處于領先地位,但是他們在代工市場的收入卻只有可憐的幾億美元。三星發(fā)言人近日表示,三星已經決定擴大其代工產能,目標直指臺積電。   三星目前在韓國器興(Giheung)有一座占地350英畝的晶圓廠,專門用于代工業(yè)務。三星一直強調
            • 關鍵字: 臺積電  芯片代工  DRAM  NAND  

            三星開始量產兩種新型30nm制程NAND閃存芯片

            •   三星近日宣布將開始量產兩款30nm制程NAND閃存芯片產品。其中一種閃存產品采用類似DDR內存的雙倍傳輸技術,據三星公司宣稱,這種產品的讀取帶寬 是傳統閃存芯片的3倍左右,單顆這樣的DDR MLC閃存芯片數據傳輸峰值帶寬可達133Mbps,而舊款閃存芯片則只能達到40Mbps的水平。   即便將這種芯片應用到閃存卡中,也能夠保持60Mbps的持續(xù)讀取速率,同樣比傳統閃存芯片的17Mbps快三倍左右。這種閃存芯片產品既適合智能手機,便攜多媒體播放器等產品,也同樣適用于SSD硬盤等設備。   另外一款
            • 關鍵字: 三星  30nm  NAND  

            2009年12月4日,西爾特推出MTK手機平臺NAND Flash 編程解決方案

            •   2009年12月4日,西爾特最新推出MTK(聯發(fā)科)手機平臺NAND Flash 編程解決方案。
            • 關鍵字: 西爾特  MTK  NAND  Flash  

            三星擬明年投資60億美元擴大芯片業(yè)務

            •   北京時間12月2日消息,據國外媒體報道,《韓國先驅報》援引匿名消息人士的話報道稱,三星2010年計劃投資約7萬億韓元(約合60億美元)擴大芯片業(yè)務。   消息稱,其中約5萬億韓元(約合43億美元)將用于擴大DRAM芯片業(yè)務,2萬億(約合17億美元)韓元將用于擴大NAND閃存和邏輯芯片業(yè)務。   三星2010年芯片投資將比2009年的4萬億韓元(約合34億美元)高75%。10月份發(fā)布第三季度財報時,三星曾表示明年芯片投資將超過5.5萬億韓元(約合47億美元)。
            • 關鍵字: 三星  NAND  邏輯芯片  DRAM  

            某閃存廠商指控蘋果在閃存市場上“欺行霸市”

            •   近日,有某匿名廠商指控蘋果在NAND閃存市場上“欺行霸市”,威逼閃存廠商。該廠商指蘋果經常向韓系三星,海力士等廠商超額訂貨?!俄n國時報》還報道稱蘋果經常采取等待閃存由于供過于求而出現價格下降時,才采購少量閃存的采購策略,這很容易導致閃存廠商的庫存再次出現積壓現象。   由于海力士與三星兩家廠商的閃存業(yè)務對蘋果依賴甚大,因此他們對蘋果的這種策略可謂敢怒不敢言,只好被迫接受蘋果將簽訂的長期訂貨協約價下調4%。這家未具名廠商的高管指這種行為“極為不合理”。
            • 關鍵字: 三星  NAND  

            三星宣布開始量產兩種30nm制程NAND閃存芯片

            •   三星近日宣布將開始量產兩款30nm制程NAND閃存芯片產品。其中一種閃存產品采用類似DDR內存的雙倍傳輸技術,據三星公司宣稱,這種產品的讀取帶寬是傳統閃存芯片的3倍左右,單顆這樣的DDR MLC閃存芯片數據傳輸峰值帶寬可達133Mbps,而舊款閃存芯片則只能達到40Mbps的水平。   即便將這種芯片應用到閃存卡中,也能夠保持60Mbps的持續(xù)讀取速率,同樣比傳統閃存芯片的17Mbps快三倍左右。這種閃存芯片產品既適合智能手機,便攜多媒體播放器等產品,也同樣適用于SSD硬盤等設備。   另外一款三
            • 關鍵字: 三星  30nm  NAND  

            NAND記憶卡需求轉強 封測產能缺到明年初

            •   據悉,包括三星、LG、諾基亞等手機大廠第四季將上市銷售的手機,已將MicroSD等NAND記憶卡列為標準內建配備,加上消費者擴充手機記憶卡的需求也明顯轉強,帶動第四季記憶卡銷售量大增。力成董事長蔡篤恭表示,MicroSD記憶卡封測產能吃緊現象將延續(xù)到明年1、2月。   NAND晶片大廠三星下半年開始跨足記憶卡市場,并與創(chuàng)見合作銷售,新帝(SanDisk)也傳出介入貼牌白卡市場,只是手機用小型記憶卡需采用較先進的基板打線封裝(COB)制程,但兩家大廠自有封測廠產能已多年未曾擴充,因此8、9月后已大量將
            • 關鍵字: SanDisk  NAND  封測  

            內存廠商:SSD將在2011年成為主流

            •   臺灣DigiTimes報道,數家內存廠商最近聚集在臺北探索建立對大陸和臺灣的固態(tài)存儲產業(yè)共同標準,與會者們預計隨著制程逐漸過渡到20nm,NAND閃存價格將出現大幅下跌,最終實現一個可負擔的水平,不過這一時間點被認為是2011年以后。   此外,來自大陸的工業(yè)代表敦促盡快發(fā)展和規(guī)范SSD的規(guī)格,以解決來自國際供應商控制的核心技術。   去年Fusion-io公司首席科學家Steven Wozniak曾表示,他并不認為SSD硬盤會很快就能替換普通硬盤。不過由于SSD硬盤功耗更低,同時性能更高,也不需
            • 關鍵字: NAND  SSD  

            蘋果NAND Flash減單 三星、新帝策略轉向

            •   由于傳出大客戶蘋果(Apple)開始減少下單,加上原本三星電子(Samsung Electronics)供應NAND Flash數量相當有限,12月供應量控制亦開始松動,以及白牌記憶卡在市面上流通數量增加,使得淡季需求明顯反映在現貨及合約價上,近2個月NAND Flash價格從高檔連續(xù)緩跌,累計回檔幅度相當深。不過,多數存儲器業(yè)者認為,由于價格跌幅已大,預計后續(xù)再大跌機率不大,25日NAND Flash 11月下旬合約價開出,便呈現持平到小跌局面。   存儲器業(yè)者表示,蘋果對于NAND Flash供
            • 關鍵字: 蘋果  NAND  SSD  

            NAND成本優(yōu)勢明顯,NOR成明日黃花

            •   市場研究機構水清木華日前發(fā)布“2009年手機內存行業(yè)研究報告”指出,NOR閃存在512Mb是個門檻。高于350Mb,NOR閃存的成本飛速增加。同時,NOR閃存的應用領域單一,應用廠家很少;而NAND閃存則容量越大,成本優(yōu)勢越明顯,應用領域更廣泛,應用廠家也多。手機市場變化迅速,現在每一款手機的生命周期通常都小于5年,NOR最強大的優(yōu)勢“長壽”也不復存在。盡管NOR閃存的成本在進入65納米后也大幅度下降,但是專心NOR領域的只有Spansion。而NAND
            • 關鍵字: 手機  NAND  NOR  

            恒憶躍居世界最大NOR閃存供應商

            •   盡管IC產業(yè)在步入2009年的時候還是前景迷茫,但在歲末之際,曾深受經濟危機影響的存儲產業(yè)終于看到了復蘇的曙光。面對市場可預期的需求增長,恒憶 (Numonyx) 通過兩方面的舉措響應市場需求,擴充產能。一是通過從高節(jié)點技術向低節(jié)點技術的制程升級,進一步擴大位級產能;二是充分發(fā)揮“靈活資產(Asset Smart)”策略的優(yōu)勢,與合資晶圓廠、代工伙伴一起增加產能。   展望2010年的市場前景,主管恒憶亞洲區(qū)嵌入式業(yè)務及渠道的銷售副總裁龔翊表示:“作為全球存儲器解
            • 關鍵字: Numonyx  NAND  NOR閃存  PCM  

            恒憶樂觀展望2010年發(fā)展前景

            •   盡管 IC 產業(yè)在步入 2009 年的時候還是前景迷茫,但在歲末之際,曾深受經濟危機影響的存儲產業(yè)終于看到了復蘇的曙光。面對市場可預期的需求增長,恒憶 (Numonyx) 通過兩方面的舉措響應市場需求,擴充產能。一是通過從高節(jié)點技術向低節(jié)點技術的制程升級,進一步擴大位級產能;二是充分發(fā)揮“靈活資產(Asset Smart)”策略的優(yōu)勢,與合資晶圓廠、代工伙伴一起增加產能。   展望2010年的市場前景,主管恒憶亞洲區(qū)嵌入式業(yè)務及渠道的銷售副總裁龔翊表示:“作為全球
            • 關鍵字: Numonyx  NAND  NOR閃存  

            手機內存:NAND優(yōu)勢愈加明顯,NOR風光不再

            •   市場研究機構水清木華日前發(fā)布"2009年手機內存行業(yè)研究報告"指出,NOR閃存在512Mb是個門檻.高于350Mb,NOR閃存的成本飛速增加.同時,NOR閃存的應用領域單一,應用廠家很少;而NAND閃存則容量越大,成本優(yōu)勢越明顯,應用領域更廣泛,應用廠家也多.手機市場變化迅速,現在每一款手機的生命周期通常都小于5年,NOR最強大的優(yōu)勢"長壽"也不復存在.盡管NOR閃存的成本在進入65納米后也大幅度下降,但是專心NOR領域的只有Spansion.而NAND領域,三
            • 關鍵字: 三星  NAND  NOR  RAM  

            IEEE:NAND閃存技術將在十年之內遭遇技術極限

            •   《IEEE Transactions on Magnetics》上最近發(fā)表了卡內基梅隆大學教授Mark Kryder、博士生Chang Soo kim的一篇研究文章。師徒倆研究了13種非易失性存儲技術,看它們到2020年的時候能否在單位容量成本上超越機械硬盤,結果選出了兩個最有希望的候選 者:相變隨機存取存儲(PCRAM)、自旋極化隨機存取存儲(STTRAM)。   PCRAM我們偶爾會有所耳聞。它基于硫系玻璃的結晶態(tài)和非結晶態(tài)相變屬性,單元尺寸較小,而且每個單元內能保存多個比特,因此存儲密度和成本
            • 關鍵字: NAND  閃存  相變存儲  

            TIMC與DRAM產業(yè)再造計劃

            •   2008年DRAM產業(yè)跌落谷底,臺灣DRAM廠開門做生意平均每天虧新臺幣1億元,且龐大的負債成為臺灣科技產業(yè)的巨大問題,因此經濟部為挽救臺灣內存演產業(yè),宣布要進行產業(yè)再造,成立臺灣內存公司(Taiwan Memory Company;TMC),之后因為此名字已被其它公司注冊,因此改名為Taiwan Innovation Memory Company,簡稱為TIMC。   TIMC正式于2009年7月31日登記成立,董事長為聯電榮譽副董事長宣明智,帶領臺灣內存產業(yè)再造的任務,目的在于協助臺灣DRAM產
            • 關鍵字: TIMC  DRAM  NAND Flash  
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