- 亞洲最大半導體交易市場Dramexchange分析師西恩·楊15號(周三)表示，東芝旗下一家芯片工廠突發(fā)短時電力故障，以致NAND芯片出現(xiàn)停產。該分析師還表示，到2011年1月中旬之前，包括iPad在內等多款產品均在使用的這款NAND閃存芯片價格或將上漲15%。
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NAND iPad
- 根據(jù)Gartner發(fā)布的報告，該公司下調對于明(2011)年度半導體設備市場的預測;原先該公司預期將成長4.9%，現(xiàn)在預期將縮減1%。另外，Gartner原先預估今年成長113%，現(xiàn)在估計可達131%至384億美元。該公司分析家KlausRinnen指出，今年產業(yè)創(chuàng)造了有史以來最強勁的成長，不過2011年度的市場將比較疲軟，屆時設備采購主要的重點將在于產能的擴充而不是在技術設備上。他表示由于媒體平板電腦的拉抬，NAND將是記憶體領域中資本投資最多者。
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半導體設備 NAND
- 2010年全球半導體市場成長幅度超過30%，這是在歷經(jīng)過去幾年全球不景氣之后，經(jīng)濟復蘇所展現(xiàn)出的成果。而據(jù)Semico預測，2011年全球半導體銷售額年成長幅度大約小于10%。乍看之下，這比2010年成長率要低得多，它代表壞消息嗎?事實上，這個溫和的成長數(shù)據(jù)代表著半導體市場正在回歸正常軌道。
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東芝 半導體 NAND
- 美系存儲器大廠美光(Micron)2010年全球NAND Flash市占率大躍進，已擠下海力士(Hynix)坐穩(wěn)全球三哥寶座，在擴產速度上，美光在2011年也不會缺席，與英特爾(Intel)合資的新加坡廠也將在2011年第2季開始投產，對于三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)2011年也有擴產計畫，美光表示不擔心供過于求，在產能增加的同時，平板計算機等應用也大幅崛起，預計2011年NAND Flash市場供需可維持健康的狀態(tài)。
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美光 NAND
- 臺灣長久缺席的快閃存儲器產業(yè)終于出現(xiàn)曙光，由于既有NAND Flash技術在20納米制程以下面臨天險，全球大廠紛競逐下世代技術，近期國家納米元件實驗室(NDL)成功在R-RAM(Resistive Random-Access Memory)技術架構下，研發(fā)出全球最小的9納米電阻式存儲器，計劃在2011年下半正式成立“16-8納米元件聯(lián)盟”，將廣邀存儲器廠及晶圓代工廠加入，首波會先洽談臺系存儲器廠，目標5~10年內將此技術導入量產，讓臺灣正式加入NAND Flash產業(yè)戰(zhàn)局。
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NAND 9納米
- 亞洲最大的半導體交易市場Dramexchange分析師周三表示，由于東芝一家芯片工廠因短時電力故障而停產的影響，到2011年1月中旬之前，NAND閃存芯片的價格可能會上漲15%。
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東芝 NAND
- 華爾街日報(WSJ)報導，東芝(Toshiba)位于四日市(Yokkaichi)的NAND跳電事件恐怕會影響接下來的產能，普遍使用于智能型手機(Smartphone)、平板計算機(TabletPC)及數(shù)碼音樂播放器的NAND價格將因此跟漲。
東芝表示，這次的跳電事件可能影響未來2個月的產能，減少20%的產出。東芝與新帝(SanDisk)合資生產，總產出約占市場產能的3分之1，出貨量僅次于排名全球第1的三星電子(SamsungElectronics)。
接下來幾個月，全球的快閃存儲器市場的供
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東芝 NAND
- 2010年在半導體存儲器業(yè)界，各廠商紛紛恢復了在2008年秋季的雷曼事件后處于凍結狀態(tài)的大型設備投資。由此，市場上的份額競爭再次變得激烈起來。 2008～2009年導致各廠商收益惡化的價格下跌在2010年上半年僅出現(xiàn)了小幅下跌。然而，進入2010年下半年后，以DRAM為中心、價格呈現(xiàn)出大幅下降的趨勢。2011年很有可能再次進入殘酷的實力消耗戰(zhàn)。技術方面，微細化競爭愈演愈烈，以突破現(xiàn)有存儲器極限為目標的新存儲器的開發(fā)也越來越活躍。
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存儲器 NAND
- 針對2011年半導體資本支出的趨勢，設備大廠應用材料(Applied Materials)指出，2011年NAND Flash廠資本支出將大幅成長，幅度將勝過DRAM產業(yè)，晶圓代工也仍然相當強勁，預估整體半導體設備市場將有持平至5%的成長幅度。
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應用材料 NAND
- 集邦科技發(fā)布近日報告稱，明年全球閃存芯片銷售額將達到215億美元，同比上漲16%，但是其平均價格將同比下降35%。
集邦科技稱，新款智能機、平板機的發(fā)布以及春節(jié)期間的采購將緩解明年一季度閃存市場受到的季節(jié)性銷售因素影響。到二季度時，閃存市場的供需就會更加平衡，價格下降幅度不會太大。
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NAND 20nm
- 根據(jù)VLSIResearch發(fā)布的報告，該公司預測2010年度全球IC市場將成長32%，2011年度將成長8%;2010年度設備市場將成長103%，2011年度將成長10.6%。該公司認為目前的全球IC市場呈現(xiàn)出一些正面與負面的跡象;
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IC NAND
- O 引言 Flash是一種非易失存儲器，它在掉電條件下仍然能夠長期保持數(shù)據(jù)。由于它具有容量大、速度快、功耗低、抗震性能好等優(yōu)點，近幾年在U盤、SD卡、SSD硬盤等各種移動存儲設備中得到了廣泛的應用。本文給出了
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芯片 設計 控制 flash SD NAND 用于
- 據(jù)iSuppli公司，由于智能手機以及平板電腦的使用量增加，2010年全球NAND閃存營業(yè)收入將達到最高紀錄。
預計2010年NAND閃存營業(yè)收入將達到187億美元，比去年的135億美元勁增38%，部分利益于智能手機和蘋果iPad等消費電子產品的使用量增加。由于今年下半年和明年供需雙雙增長，2011年NAND閃存市場將繼續(xù)增長，盡管不及今年強勁。iSuppli公司的數(shù)據(jù)顯示，預計明年NAND閃存市場上升25%至225億美元。
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NAND 智能手機
- 2010年對于全球半導體產業(yè)而言，可說是值得紀念的一年，拓墣產業(yè)研究所研究員陳蘭蘭表示，2010年全球半導體產業(yè)年成長率將高達30%，創(chuàng)下10年以來新高紀錄。然而，受到PC產業(yè)成長趨緩影響，2011年全球半導體產業(yè)僅將成長5%，移動通訊產品反成為支撐整體產業(yè)成長的重要動能。預估2011年移動通訊用產品占總體半導體比重將從2010年的26%提升至30%，Mobile DRAM和NAND Flash的重要性，也將隨著智能手機等移動通訊產品興起而與日俱增。
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