qlc nand 文章進(jìn)入qlc nand技術(shù)社區(qū)

研究機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)全球NAND閃存銷售額今年增至560億美元同比大增27%

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，研究機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)，銷售額在去年大幅下滑的NAND閃存，在今年將大幅增長(zhǎng)，同比增長(zhǎng)率將達(dá)到27.2%，銷售額將達(dá)到560.07億美元。從研究機(jī)構(gòu)的預(yù)計(jì)來(lái)看，在集成電路的33個(gè)產(chǎn)品類別中，NAND閃存今年銷售額的同比增長(zhǎng)率，將是最高的，是增長(zhǎng)最明顯的一類。就預(yù)期的銷售金額而言，NAND閃存依舊會(huì)是集成電路中的第二大細(xì)分市場(chǎng)，僅次于DRAM，后者的銷售額預(yù)計(jì)為645.55億美元，較NAND閃存高85.48億美元。在研究機(jī)構(gòu)的預(yù)計(jì)中，在全球集成電路市場(chǎng)，NAND閃存今年的銷售額將占到15.2%，僅次于
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KLA推出全新突破性的電子束缺陷檢測(cè)系統(tǒng)

近日?KLA公司?宣布推出革命性的eSL10?電子束圖案化晶圓缺陷檢查系統(tǒng)。該系統(tǒng)具有獨(dú)特的檢測(cè)能力，能夠檢測(cè)出常規(guī)光學(xué)或其他電子束檢測(cè)平臺(tái)無(wú)法捕獲的缺陷，從而加速了高性能邏輯和存儲(chǔ)芯片的上市時(shí)間（包括那些依賴于極端紫外線（EUV）光刻技術(shù)的芯片）。eSL10的研發(fā)是始于最基本的構(gòu)架，針對(duì)研發(fā)生產(chǎn)存在多年的問(wèn)題而開發(fā)出了多項(xiàng)突破性技術(shù)，可提供高分辨率，高速檢測(cè)功能，這是市場(chǎng)上任何其他電子束系統(tǒng)都難以比擬的。KLA電子束部門總經(jīng)理Amir Azordegan 表示：“利用單一的高能量電子
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游戲新機(jī)上市填補(bǔ)云端需求空缺三季度NAND Flash價(jià)格波動(dòng)有限

根據(jù)TrendForce內(nèi)存儲(chǔ)存研究(DRAMeXchange)調(diào)查，盡管消費(fèi)性產(chǎn)品及智能型手機(jī)受到疫情沖擊導(dǎo)致需求下降，但云端服務(wù)、遠(yuǎn)距教學(xué)的需求也同步催生，加上部份客戶因擔(dān)憂供應(yīng)鏈中斷而提前備貨，促使NAND Flash市場(chǎng)在2020年第一季與第二季呈現(xiàn)缺貨。整體而言，目前需求以SSD占最大宗，與手機(jī)、消費(fèi)性較相關(guān)的eMMC、UFS及wafer市場(chǎng)較為冷卻。根據(jù)TrendForce分析師葉茂盛指出，當(dāng)前為NAND Flash第三季議價(jià)的關(guān)鍵時(shí)刻，初步觀察因新款游戲機(jī)的年底上市計(jì)劃不變，首次轉(zhuǎn)進(jìn)SSD的
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國(guó)產(chǎn)128層QLC閃存問(wèn)世武漢基地二期開工

4年前的2016年，國(guó)家在武漢建設(shè)了國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目一期，不僅量產(chǎn)了64層閃存，今年初還研發(fā)成功128層QLC閃存。昨天國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目二期也在武漢東湖高新區(qū)未來(lái)科技城正式啟動(dòng)，整個(gè)項(xiàng)目投資高達(dá)240億美元，約合1697億元。在開工儀式上，紫光集團(tuán)、長(zhǎng)江存儲(chǔ)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)介紹了項(xiàng)目有關(guān)情況。他表示，國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目一期開工建設(shè)以來(lái)，從一片荒蕪之地變成了一座世界領(lǐng)先的存儲(chǔ)器芯片工廠，實(shí)現(xiàn)了技術(shù)水平從跟跑到并跑的跨越。趙偉國(guó)表示，國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目于2016年12月30日開工，計(jì)劃分兩期建設(shè)3D NAND
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三星電子擬投資8萬(wàn)億韓元在平澤建NAND閃存生產(chǎn)線

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，三星電子日前表示，計(jì)劃投資8萬(wàn)億韓元（約合人民幣466億元）在韓國(guó)平澤工業(yè)園區(qū)建NAND閃存生產(chǎn)線。三星電子生產(chǎn)線建設(shè)上月已經(jīng)開始，預(yù)計(jì)2021年下半年開始生產(chǎn)三星最先進(jìn)的V-NAND產(chǎn)品。三星電子表示，此次投資旨在應(yīng)對(duì)隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等第四次工業(yè)革命，以及5G普及而來(lái)的NAND需求。上月，三星電子還透露，已在平澤投資建設(shè)生產(chǎn)線，新產(chǎn)線專注于基于極紫外光刻（EUV）技術(shù)的5nm、及以下制程。新產(chǎn)線已開始建設(shè)，預(yù)計(jì)明年下半年開始量產(chǎn)5nm芯片。三星電子表示，加上平澤生產(chǎn)線，韓國(guó)將擁有7條
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集邦咨詢：數(shù)據(jù)中心需求大增，NAND Flash營(yíng)收成長(zhǎng)8.3%

根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查，2020年第一季NAND Flash（閃存）位元出貨量較前一季大致持平，加上平均銷售單價(jià)上漲，帶動(dòng)整體產(chǎn)業(yè)營(yíng)收季成長(zhǎng)8.3%，達(dá)136億美元。延續(xù)去年第四季開始的數(shù)據(jù)中心強(qiáng)勁采購(gòu)力道，第一季Enterprise SSD仍是供不應(yīng)求。此外，自年初起，各供應(yīng)商當(dāng)時(shí)的庫(kù)存水位多已恢復(fù)至正常，也帶動(dòng)主要產(chǎn)品合約價(jià)呈現(xiàn)上漲。隨后在農(nóng)歷春節(jié)期間爆發(fā)新冠肺炎疫情，根據(jù)集邦咨詢當(dāng)時(shí)的調(diào)查，服務(wù)器供應(yīng)鏈的恢復(fù)狀況優(yōu)于筆記本電腦及智能手機(jī)，也因此對(duì)于數(shù)據(jù)中心需求
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集邦咨詢：數(shù)據(jù)中心需求大增，第一季NAND Flash營(yíng)收成長(zhǎng)8.3%

根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查，2020年第一季NAND Flash（閃存）位元出貨量較前一季大致持平，加上平均銷售單價(jià)上漲，帶動(dòng)整體產(chǎn)業(yè)營(yíng)收季成長(zhǎng)8.3%，達(dá)136億美元。
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美光推出性能型和經(jīng)濟(jì)型客戶端 NVMe? SSD 新品，搭載業(yè)界領(lǐng)先的容量和 QLC NAND 技術(shù)

新聞要點(diǎn)●? ?全新的性能型和經(jīng)濟(jì)型 SSD 的靈活選擇滿足了從輕薄筆記本到高性能工作站客戶端PC系統(tǒng)的存儲(chǔ)需求；●? ?M.2 外形規(guī)格的美光 2300 SSD 采用美光創(chuàng)新的 96 層 3D NAND 技術(shù)，具備行業(yè)領(lǐng)先的 2TB 容量[1]；●? ?美光 2210 SSD 兼具SSD 的性能和性價(jià)比；與機(jī)械硬盤相比，采用了美光 QLC 架構(gòu)的 2210 SSD的功耗降低了 15 倍之多。內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Techn
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英特爾最新發(fā)展藍(lán)圖：明年或全面轉(zhuǎn)向144層堆疊NAND

處理器龍頭英特爾(Intel)近期在快閃存儲(chǔ)器的發(fā)展上也隨著其他各家廠商的腳步，開始有了新的進(jìn)度。根據(jù)外媒報(bào)導(dǎo)，英特爾的快閃存儲(chǔ)器部門最近公布了發(fā)展藍(lán)圖，在目前其他各家NAND快閃存儲(chǔ)器供應(yīng)商都已經(jīng)開始向1xx層堆疊的發(fā)展當(dāng)下，作為主要NAND制造商之一的英特爾也預(yù)計(jì)在2021年全面轉(zhuǎn)向144層堆疊的產(chǎn)品發(fā)展。
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群聯(lián)全系列控制芯片支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND

電子醫(yī)療設(shè)備、電競(jìng)游戲機(jī)、NB筆記本電腦、電視機(jī)頂盒、云端服務(wù)器服務(wù)等因?yàn)樾鹿诜窝?(COVID-19) 所產(chǎn)生的醫(yī)護(hù)或宅經(jīng)濟(jì)需求上升，不僅刺激了閃存儲(chǔ)存裝置 (NAND StorageDevices) 維持穩(wěn)健的成長(zhǎng)動(dòng)能，更讓NAND Flash產(chǎn)業(yè)成為這波疫情的少數(shù)成長(zhǎng)亮點(diǎn)之一。而近期受到討論的閃存 (NAND Flash) 產(chǎn)業(yè)新人長(zhǎng)江存儲(chǔ) (YMTC)，在2016年加入NAND Flash設(shè)計(jì)生產(chǎn)后，也為市場(chǎng)添增了一股活力。
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Intel SSD將全面轉(zhuǎn)向144層3D QLC閃存：PLC研發(fā)中

在QLC閃存的商用上，Intel和曾經(jīng)的親密戰(zhàn)友美光（英睿達(dá)）步子最靠前，660p、P1系列都在渠道開賣了很長(zhǎng)一段時(shí)間。日前，Intel非易失性存儲(chǔ)解決方案負(fù)責(zé)人Rob Crooke透露，Intel的QLC SSD出貨量超1000萬(wàn)。她同時(shí)公布，基于144層3D QLC閃存（內(nèi)部命名為Arbordale Plus技術(shù)，家族第四代閃存）的SSD（代號(hào)Keystone Harbor）會(huì)在今年底出貨，Intel準(zhǔn)備在2021年內(nèi)將整個(gè)SSD產(chǎn)品線都遷移到144層閃存芯片上。不僅如此，Intel確認(rèn)，容量密度更高
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群聯(lián)全系列控制芯片支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND

電子醫(yī)療設(shè)備、電競(jìng)游戲機(jī)、NB筆記本電腦、電視機(jī)頂盒、云端服務(wù)器服務(wù)等因?yàn)樾鹿诜窝?(COVID-19) 所產(chǎn)生的醫(yī)護(hù)或宅經(jīng)濟(jì)需求上升，不僅刺激了閃存儲(chǔ)存裝置 (NAND StorageDevices) 維持穩(wěn)健的成長(zhǎng)動(dòng)能，更讓NAND Flash產(chǎn)業(yè)成為這波疫情的少數(shù)成長(zhǎng)亮點(diǎn)之一。而近期受到討論的閃存 (NAND Flash) 產(chǎn)業(yè)新人長(zhǎng)江存儲(chǔ) (YMTC)，在2016年加入NAND Flash設(shè)計(jì)生產(chǎn)后，也為市場(chǎng)添增了一股活力。
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中國(guó)剛突破128層QLC閃存三星將首發(fā)160層閃存

上周中國(guó)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)公司宣布攻克128層3D閃存技術(shù),QLC類型容量做到了1.33Tb容量,創(chuàng)造了三個(gè)世界第一。國(guó)產(chǎn)閃存突飛猛進(jìn),三星等公司也沒(méi)閑著,三星正在開發(fā)160堆棧的3D閃存。對(duì)3D閃存來(lái)說(shuō),堆棧層數(shù)越多,容量就越大,存儲(chǔ)密度就越高,這是3D閃存的核心競(jìng)爭(zhēng)力,2020年全球?qū)⒋笠?guī)模量產(chǎn)100+層的3D閃存。不過(guò)每家的技術(shù)方案不同,東芝、西數(shù)的BiCS 5代3D閃存是112層的,美光、SK海力士有128層的,Intel的是144層,而且是浮柵極技術(shù)的,三星去年推出的第六代V-NAND閃存做到了136層
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美光發(fā)布全新容量和功能的5210 ION企業(yè)級(jí)SATA固態(tài)硬盤

新聞要點(diǎn)●? ?美光率先在業(yè)界推出面向數(shù)據(jù)中心的四層單元 (QLC) NAND 技術(shù)；●? ?基于 QLC 技術(shù)的美光5210 SATA SSD 正在引領(lǐng)數(shù)據(jù)中心從 HDD 過(guò)渡到 QLC SSD，憑借其全新容量和創(chuàng)新的工作負(fù)載洞察，滿足通用服務(wù)器和存儲(chǔ)的需求；●? ??強(qiáng)勁的客戶需求和 OEM 廠商驗(yàn)證，推動(dòng)美光 QLC SSD 進(jìn)入市場(chǎng)。內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)：128層3D NAND技術(shù)會(huì)按計(jì)劃在今年推出

據(jù)證券時(shí)報(bào)消息，長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧在接受采訪時(shí)談及了該公司最先進(jìn)的128層3D NAND技術(shù)的研發(fā)進(jìn)度。楊士寧表示，128層3D NAND技術(shù)研發(fā)進(jìn)度短期確實(shí)會(huì)有所波及。但目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)已實(shí)現(xiàn)全員復(fù)工，從中長(zhǎng)期來(lái)看，這次疫情并不會(huì)影響總體進(jìn)度。128層技術(shù)會(huì)按計(jì)劃在2020年推出。今年早些時(shí)候，長(zhǎng)江存儲(chǔ)市場(chǎng)與銷售資深副總裁龔翔表示，接下來(lái)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將跳過(guò)如今業(yè)界常見的96層，直接投入128層閃存的研發(fā)和量產(chǎn)工作。▲長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND閃存晶圓了解到，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司成立于2016年7月，總
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