qlc nand 文章進(jìn)入qlc nand技術(shù)社區(qū)

2018年內(nèi)存芯片收入有望實(shí)現(xiàn)創(chuàng)紀(jì)錄增長(zhǎng)

　　全球半導(dǎo)體行業(yè)在2017年創(chuàng)下了10年以來的最好成績(jī)，年收入比2016年增長(zhǎng)了22%，達(dá)到4291億美元。　　這是根據(jù)英國分析公司IHS Markit的新統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)得出的，HIS認(rèn)為市場(chǎng)對(duì)內(nèi)存芯片處理能力需求的大幅增加歸因于新興應(yīng)用如大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)和機(jī)器學(xué)習(xí)。　　這一需求的增長(zhǎng)使得三星電子作為全球領(lǐng)先芯片制造商占據(jù)第一位置，領(lǐng)先于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手英特爾，而英特爾已經(jīng)占據(jù)第一的位置有25年之久。2017年，三星的收入增長(zhǎng)了54%。　　IHS表示，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片的銷售總額增長(zhǎng)了77%，而閃存芯片
關(guān)鍵字：內(nèi)存 NAND

中美貿(mào)易戰(zhàn)，韓國半導(dǎo)體最受傷？

中國已經(jīng)提出,提高從美國進(jìn)口半導(dǎo)體芯片的比例,取代來自韓國和中國臺(tái)灣的產(chǎn)品。
關(guān)鍵字： DRAM NAND

三星中國西安NAND Flash工廠二期項(xiàng)目動(dòng)工

　　在當(dāng)前NandFlash存儲(chǔ)器仍舊供不應(yīng)求，市場(chǎng)價(jià)格依舊居高不下的情況下，日前全球NandFlash存儲(chǔ)器龍頭企業(yè)的韓國三星，日前宣布將在本月底正式動(dòng)工的中國西安NandFlash存儲(chǔ)器廠的擴(kuò)建計(jì)劃，28日正式動(dòng)工，預(yù)計(jì)將在2019年完工啟用。　　據(jù)了解，該項(xiàng)總金額高達(dá)70億美元，工程期間達(dá)到3年的擴(kuò)廠計(jì)劃，是三星在2017年的8月間所宣布。目前三星西安廠的第一期產(chǎn)線是在2014年所建置，月產(chǎn)能為12萬片。如今，新的產(chǎn)線動(dòng)工建置，未來完成之后將可再為三星增加每月20萬片的產(chǎn)能。　　只是，該新的
關(guān)鍵字：三星 NAND

存儲(chǔ)器/嵌入式存儲(chǔ)器的市場(chǎng)機(jī)會(huì)　

美光科技嵌入式產(chǎn)品事業(yè)部市場(chǎng)副總裁Kris Baxter在2018年“慕尼黑上海電子展”期間，介紹了美光及多家行業(yè)分析師對(duì)存儲(chǔ)器尤其是嵌入式存儲(chǔ)器市場(chǎng)的預(yù)測(cè)，重點(diǎn)是DRAM和NAND在汽車和工業(yè)領(lǐng)域的趨勢(shì)。
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器 DRAM NAND 汽車攝像頭 201804

美光科技宣布推出適用于旗艦級(jí)智能手機(jī)的尖端移動(dòng)3D NAND解決方案

　　美光科技有限公司今日宣布推出三種全新 64 層第二代 3D NAND 存儲(chǔ)產(chǎn)品，這三種產(chǎn)品均支持高速通用閃存存儲(chǔ) (UFS) 2.1 標(biāo)準(zhǔn)。全新美光移動(dòng) 3D NAND 產(chǎn)品提供 256GB、128GB 和 64GB 三種容量選擇?！　≡撊乱苿?dòng)解決方案基于美光業(yè)界領(lǐng)先的三級(jí)單元 (TLC) 3D NAND 技術(shù)，
關(guān)鍵字：美光 NAND

春節(jié)不停工，武漢國家存儲(chǔ)器基地要在今年實(shí)現(xiàn)3D NAND量產(chǎn)？

　　打造萬億級(jí)產(chǎn)業(yè)集群,推動(dòng)武漢經(jīng)濟(jì)高質(zhì)量發(fā)展。春節(jié)闔家團(tuán)圓之時(shí),仍有大量建設(shè)者、生產(chǎn)者堅(jiān)守崗位,為城市發(fā)展貢獻(xiàn)“加速度”。過年期間,分布在譽(yù)為“黃金大道”的8公里左嶺大道上的多個(gè)重大產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目上,有超過2000多人堅(jiān)守崗位過大年,光谷“芯片—顯示—智能終端”萬億級(jí)產(chǎn)業(yè)集群正在“加速度”中加快鍛造。　　在國家存儲(chǔ)器基地,有600多人在建設(shè)工地上忙碌。據(jù)了解,目前,他們正在進(jìn)行廠內(nèi)潔凈室
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器 NAND

美光將推出QLC固態(tài)硬盤：SATA產(chǎn)品，定位企業(yè)市場(chǎng)

　　2月13日消息，回憶起2017，相信各位小伙伴最難忘的就是固態(tài)硬盤、內(nèi)存、顯卡漲價(jià)了，不少小伙伴望著那飆升的價(jià)格，只能暫時(shí)放棄自己的攢機(jī)計(jì)劃，就在紛紛配件紛紛漲價(jià)的時(shí)候，TLC的固態(tài)硬盤開始有退出市場(chǎng)的跡象了，存儲(chǔ)密度更大的QLC來到了市場(chǎng)，雖然很多消費(fèi)者很排斥QLC，認(rèn)為QLC在壽命上有問題，但是市場(chǎng)的腳步無法阻擋，因?yàn)槊拦獾腝LC就要來了?！　〗?，美光在倫敦的A3 Techchnology Live Conference大會(huì)中表示，在2018年美光將會(huì)推出QLC的存儲(chǔ)產(chǎn)品，定位企業(yè)市場(chǎng)。MX50
關(guān)鍵字：美光 QLC

空氣產(chǎn)品公司將為三星電子西安第二座3D V-NAND芯片廠供氣

　　全球領(lǐng)先的工業(yè)氣體供應(yīng)商——空氣產(chǎn)品公司 (Air Products，紐約證券交易所代碼：APD) 今天宣布將為三星電子位于西安市的第二座半導(dǎo)體工廠供應(yīng)工業(yè)氣體?！　∥挥谖靼哺咝录夹g(shù)開發(fā)區(qū)的芯片廠是三星電子最大的海外投資項(xiàng)目之一，也是中國最先進(jìn)的半導(dǎo)體工廠之一。其生產(chǎn)的3D V-NAND閃存芯片廣泛應(yīng)用于嵌入式NAND存儲(chǔ)、固態(tài)硬盤、移動(dòng)設(shè)備和其它消費(fèi)電子產(chǎn)品。　　空氣產(chǎn)品公司西安工廠自2014年起開始服務(wù)于這一項(xiàng)目，目前運(yùn)作兩座大型空氣分離裝置、一座氫氣生產(chǎn)裝
關(guān)鍵字：三星 V-NAND

買個(gè)32G內(nèi)存的手機(jī)為啥只有20幾個(gè)G？看完你就懂了

　　現(xiàn)在市面上存在NAND FLASH和eMMC這兩種的大容量存儲(chǔ)介質(zhì)，就是各類移動(dòng)終端及手機(jī)的主要存儲(chǔ)介質(zhì)。兩者有何區(qū)別，存儲(chǔ)芯片的實(shí)際大小與標(biāo)稱值又有什么關(guān)系呢?　　我們總是在說手機(jī)內(nèi)存，那到底是用什么介質(zhì)存儲(chǔ)的呢?99%是用NAND Flash和eMMC這兩種的存儲(chǔ)介質(zhì)。eMMC是近幾年智能手機(jī)興起后，為滿足不斷增大的系統(tǒng)文件而誕生的，是NAND Flash的升級(jí)版,他的結(jié)構(gòu)如下：　　　　我們接觸到的16G、32G等手機(jī)，為何實(shí)際
關(guān)鍵字： eMMC NAND

旺宏2017NOR市占達(dá)30%，稱霸全球

　　旺宏昨日召開財(cái)報(bào)會(huì)表示，2017年在NOR型快閃存儲(chǔ)器的市占率約30%，為全球霸主。另外，小于75納米制程產(chǎn)品占2017年第四季NOR營(yíng)收60%，旺宏并預(yù)計(jì)NOR型快閃存儲(chǔ)器2018年成長(zhǎng)動(dòng)力將來自于數(shù)據(jù)中心、電信與車用產(chǎn)品等。NOR型快閃存儲(chǔ)器占上季旺宏?duì)I收48%為最大產(chǎn)品線。　　旺宏電子總經(jīng)理盧志遠(yuǎn)表示，預(yù)期今年高品質(zhì)的NOR型快閃存儲(chǔ)器價(jià)格仍穩(wěn)定微揚(yáng)，旺宏不做低階產(chǎn)品，也仍看好SLC NAND市況，因此對(duì)今年?duì)I運(yùn)看法樂觀。　　就短期來看，盧志遠(yuǎn)表示，本季整體需求預(yù)估會(huì)比去年第四季緩和;雖
關(guān)鍵字： NOR NAND

3D NAND-microSD 卡為視頻監(jiān)控帶來重大突破

　　由于人們對(duì)周遭環(huán)境(住宅、建筑、工廠、企業(yè)或基礎(chǔ)設(shè)施的內(nèi)外環(huán)境)的視覺感知需求不斷增長(zhǎng)，全球范圍的視頻監(jiān)控市場(chǎng)都在飛速發(fā)展。然而，所部署系統(tǒng)的數(shù)量和部署位置更多地受限于視頻攝像頭供應(yīng)方的經(jīng)濟(jì)狀況，以及用于部署、管理和監(jiān)控這些系統(tǒng)的基礎(chǔ)設(shè)施的復(fù)雜性?！　?nbsp; 　　上一次視頻監(jiān)控行業(yè)的重大突破得益于圖像傳感器和數(shù)字化技術(shù)的一些重大改進(jìn)，以及互聯(lián)網(wǎng)協(xié)議(IP) 網(wǎng)絡(luò)的廣泛應(yīng)用。當(dāng)下，一些強(qiáng)大的新技術(shù)趨勢(shì)——例如使用諸如美光科技提供的基于 3D
關(guān)鍵字： NAND microSD

2018年內(nèi)存產(chǎn)業(yè)DRAM/NAND Flash恐是兩樣情

大廠3D NAND良率大躍進(jìn)，供給過剩問題已經(jīng)提前在2017年第四季引爆，至少2018年上半年恐怕都不會(huì)太理想。
關(guān)鍵字： DRAM NAND

美光科技推出業(yè)界首款基于領(lǐng)先的64層3D NAND技術(shù)構(gòu)建的企業(yè)級(jí)SATA固態(tài)硬盤

　　美光科技有限公司今日推出 Micron® 5200 系列 SATA 固態(tài)硬盤 (SSD)，該產(chǎn)品可提供業(yè)界領(lǐng)先的性能、一致性、容量、可靠性和整體基礎(chǔ)設(shè)施價(jià)值。美光 5200 系列固態(tài)硬盤基于美光科技業(yè)界領(lǐng)先的全新 64 層 3D NAND 技術(shù)構(gòu)建，對(duì)于OLTP、BI/DSS、VDI、塊/對(duì)象和媒體流等在硬盤上無法一展身手的業(yè)務(wù)關(guān)鍵型虛擬化工作負(fù)載，可為其提供經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的 SATA 平臺(tái)。　　利用廣受好評(píng)的 5100 SATA 固態(tài)硬盤的成熟架構(gòu)和業(yè)界領(lǐng)先的性能及容量，美光 5200 系列提
關(guān)鍵字：美光科技 NAND

2018年內(nèi)存產(chǎn)業(yè)DRAM/NAND Flash恐是兩樣情

　　2017年，整體內(nèi)存產(chǎn)業(yè)不論DRAM或NAND Flash，都度過了一個(gè)黃金好年，那么2018年可否持續(xù)榮景呢? 綜合目前業(yè)界的看法，DRAM熱度可望延續(xù)，供不應(yīng)求態(tài)勢(shì)依舊，但NAND部分，恐怕就不會(huì)那么樂觀了，由于大廠3D NAND良率大躍進(jìn)，供給過剩問題已經(jīng)提前在2017年第四季引爆，至少2018年上半年恐怕都不會(huì)太理想，最快2018年第二季供需平衡，第三季再度供給吃緊，屆時(shí)產(chǎn)業(yè)由悲轉(zhuǎn)喜。　　DRAM無新增產(chǎn)能　　首先就DRAM部分，以大方向來說，2018年在Fab端并無新增產(chǎn)能，頂多就
關(guān)鍵字： DRAM NAND

Linux驅(qū)動(dòng)之Nand Flash四問，原理、工作方式都包含了

　　Nand Flash 是一個(gè)存儲(chǔ)芯片。　　那么：這樣的操作很理“讀地址A的數(shù)據(jù)，把數(shù)據(jù)B寫到地址A”　　問1：原理圖上的Nand Flash和SC2440之間只有數(shù)據(jù)線，怎么傳輸?shù)刂?　　答：在Data0-Data7上既傳輸數(shù)據(jù)，又傳輸?shù)刂?，?dāng)ALE為高電平時(shí)傳輸?shù)氖堑刂贰　?：從Nand Flash芯片手冊(cè)可知，要操作Nand Flash需要先發(fā)出命令，怎么傳入命令。　　答：在Data0-Data7既傳輸數(shù)據(jù)，又傳輸?shù)刂?，也傳輸命令　　?dāng)ALE為高
關(guān)鍵字： Linux Nand