nand 文章進入nand技術(shù)社區(qū)

DRAM跌價襲擊　模塊廠1月營收處變不驚

　　2010年1月農(nóng)歷春節(jié)前的補貨行情落空，DRAM價格大跌，所幸NAND Flash價格比預(yù)期強勢，存儲器模塊廠1月營收可望維持平穩(wěn)，與2009年12月相較，呈現(xiàn)小漲或小跌的局面，整體第1季營收受到2月農(nóng)歷過年工作天數(shù)減少影響，而呈現(xiàn)下滑，但整體行情不看淡;模塊廠認(rèn)為，DDR3目前仍是缺貨，往下修正的幅度有限，一方面DDR3利潤較高，另一方面DDR3短期會被DDR2價格帶下來，但整體第1季DDR3供貨仍相對吃緊。　　存儲器模塊廠2009年交出豐厚的成績單，創(chuàng)見、威剛都賺足1個股本，但2010年1月立
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韓國成功改良NOR芯片可大幅提升手機性能

　　韓聯(lián)社(Yonhap)引述首爾大學(xué)說法指出，1組韓國工程師已改良手機用芯片技術(shù)，可大幅提升手機性能。　　首爾大學(xué)表示，該團隊研發(fā)的NOR芯片，可克服過去的諸多缺點。負(fù)責(zé)人表示，盡管NOR芯片能快速回溯資料，但卻因為NOR芯片的容量上限僅有1GB，且更較耗能，而被NAND芯片擊敗。相較之下，NAND Flash可儲存32GB的資料，占據(jù)更大優(yōu)勢。NAND芯片可用于MP3、攝影機和USB存儲器等裝置上。　　一般的NOR芯片通常并不特別，不過首爾大學(xué)工程師所開發(fā)的芯片卻有重要特點。該團隊負(fù)責(zé)教授表示
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英特爾和美光計劃下周公布閃存芯片的新進展

　　英特爾公司和美光科技計劃下周公布閃存芯片的新進展。　　兩家公司有一個生產(chǎn)NAND閃存芯片的合資企業(yè)，這種芯片應(yīng)用于手機，音樂播放器和其他驅(qū)動器上。　　2009年，兩家公司表示，它們正開發(fā)提高閃存芯片性能的技術(shù)，在芯片的存儲單元上存儲三位數(shù)據(jù)。大多數(shù)NAND芯片單元儲存一位或兩位數(shù)據(jù)。　　這樣，兩家公司就能以更高的存儲性能，更低的成本生產(chǎn)芯片。
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2010年NAND Flash價格發(fā)展持續(xù)兩極化

　　NAND Flash市場未脫傳統(tǒng)淡季，仍在等待蘋果(Apple)補貨效應(yīng)出現(xiàn)，2010年1月下旬NAND Flash合約價大致持平，高容量32Gb和64Gb芯片有小幅調(diào)漲，低容量芯片要嚴(yán)防3-bit-per-cell架構(gòu)的TLC(Triple- Level Cell)成為市場的價格殺手，但高容量產(chǎn)品新增產(chǎn)能又相當(dāng)有限，因此2010年NAND Flash價格發(fā)展持續(xù)兩極化。　　近期NAND Flash現(xiàn)貨價和合約價都有止跌的跡象，1月下旬NAND Flash合約價持平開出，在高容量32Gb和64Gb
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海力士第4季獲利6,570億韓元　創(chuàng)3年新高

　　全球第2大計算機存儲器制造商海力士(Hynix)公布2009年第4季財報，隨著全球個人計算機(PC)景氣回溫，海力士獲利創(chuàng)下3年來新高。　　2009年第4季海力士營收為2.8兆韓元(約24.7億美元)，較第3季大幅成長32%，海力士營收成長主因為DRAM及NAND Flash存儲器出貨量成長，同時，DRAM平均售價也上揚，此外，第4季海力士凈利為6,570億韓元，更較第3季大幅成長167%。　　和2009年第3季相較，2009年第4季海力士DRAM平均售價及出貨量分別成長26%及12%，至于N
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內(nèi)存業(yè)醞釀地震：傳金士頓1億美元購買海力士

　　業(yè)內(nèi)人士日前透露,美國金士頓科技公司(Kingston Technology )預(yù)付了1億美元給韓國海力士半導(dǎo)體公司以購買其2010年需要的內(nèi)存和NAND閃存. 　　此外,該業(yè)內(nèi)人士還表示,總部在臺灣的威剛科技(a-data technology)正在尋求途徑,增加其2010年的芯片供應(yīng)商數(shù)量并且保證能通過預(yù)付款的方式獲得足夠多的芯片供應(yīng),而威剛所需要的內(nèi)存此前主要來自韓國供應(yīng)商. 　　內(nèi)存模塊制造商正在擺脫對三星電子的依賴,因為三星電子優(yōu)先向PC和系統(tǒng)OEM廠商供貨. 　　另外有消息稱,海力士
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為什么存儲器是產(chǎn)業(yè)的風(fēng)向標(biāo)

　　存儲器通常包括DRAM，NAND，NOR及SRAM。在半導(dǎo)體業(yè)中經(jīng)常分成兩類，DRAM及閃存類。由于其兩大特征，能大量生產(chǎn)以及應(yīng)用市場面寬，使其半導(dǎo)體業(yè)中有獨特的地位。業(yè)界有人稱它為半導(dǎo)體業(yè)的風(fēng)向標(biāo)。　　縱觀DRAM發(fā)展的歷史，幾乎每8至10年一次大循環(huán)，最終一定有大型的存儲器廠退出，表示循環(huán)的結(jié)束。如1980年代的TI及IBM等退出;1990年代的東芝，日立及NEC退出，如今2000年代的奇夢達最先退出。奇夢達的退出使市場少了10萬片的月產(chǎn)能。　　在全球硅片尺寸轉(zhuǎn)移中，存儲器也是走在前列，如
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金士頓砸1億美元　綁樁海力士產(chǎn)能

　　2010年存儲器產(chǎn)業(yè)熱度急速升溫，許多熬過景氣低潮期但口袋空空的存儲器大廠，紛積極募資搶錢，而最直接方式便是向下游存儲器模塊廠借錢，未來再以貨源抵債，近期海力士(Hynix)便獲得金士頓(Kingston)達1億美元金援，未來將以DRAM和NAND Flash貨源償還，形成魚幫水、水幫魚的上下游緊密合作關(guān)系。海力士可望以此筆金援將NAND Flash制程大量轉(zhuǎn)進32奈米，全力從美光(Micron)手上搶回全球NAND Flash三哥寶座，并防止三星電子(Samsung Electronics)和東芝(
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三星推出64GB moviNAND閃存芯片

　　三星近日公布了兩款采用新制程技術(shù)的閃存產(chǎn)品。其中moviNAND閃存芯片產(chǎn)品使用了三星最新的3xnm制程NAND芯片，單片封裝的最大容量可達64GB，封裝內(nèi)部堆疊了16塊超薄設(shè)計的4GB芯片，并集成了閃存控制器，而整個芯片封裝的厚度僅不足0.06英寸。　　64GB moviNAND 　　另外，三星還計劃升級自己的microSDHC閃存卡產(chǎn)品。將三星microSDHC閃存卡的最高容量提升為32GB(內(nèi)部由8片4GB芯片堆疊而成)，比目前的最高容量提升了一倍。于此同時，閃存卡的最
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重塑產(chǎn)業(yè)前景迎接2010年IC業(yè)的大發(fā)展

　　編者點評(莫大康 SEMI China顧問)：國際上有許多市場分析公司與機構(gòu)，如 Gartner，iSuppli，IC Insight，Semico，VLSI及SEMI，SIA，WSTS等。為什么它們的預(yù)測值不同，有時差異還不小。據(jù)編者的看法任何預(yù)測都有三類，即樂觀、中等和悲觀。另外，由于每個市場分析公司其數(shù)據(jù)來源及分析的范圍各不同，所以數(shù)據(jù)不一樣是正常的。那該如何來觀察與判斷呢?通常要找品牌，即有些公司的數(shù)據(jù)相對可靠(經(jīng)驗值)，如半導(dǎo)體數(shù)據(jù)是WSTS，SIA，Gartner，iSuppli，而設(shè)備材
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飚速度355MB/s 鎂光將發(fā)布6Gbps SSD

　　鎂光剛剛宣布了其34納米NAND SSD產(chǎn)品線，一個原生6Gbps的SATA設(shè)備引起了廣泛注意，鎂光透露它將被置于其子公司Lexar Media的Crucial品牌下發(fā)布。　　這款SSD具體型號RealSSD C300，2.5寸外形設(shè)計，包含128和256GB兩種型號，讀取速度高達355MB/s,寫入速度達215MB/s，向下兼容3Gbps SATA。預(yù)計將面向北美、英國和歐洲大陸發(fā)布，128GB版售價大約450美元。　　
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東芝32nm制程NAND閃存SSD硬盤將于二季度上市

　　日本東芝公司在NAND閃存制造領(lǐng)域的地位可謂舉足輕重，其有關(guān)產(chǎn)品的產(chǎn)銷量僅次于三星公司，目前東芝公司推出的SSD硬盤產(chǎn)品中采用了自己設(shè)計的 NAND閃存控制器，這種產(chǎn)品在OEM廠商中口碑甚好。去年第三季度，東芝已經(jīng)開始量產(chǎn)32nm NAND閃存芯片，不過目前東芝所售出的SSD硬盤產(chǎn)品仍以43nm NAND型產(chǎn)品為主力，這樣OEM廠商乃至終端客戶便無法享受到32nm制程技術(shù)帶來低成本實惠。　　不過東芝近日宣布，他們將開始測試部分采用32nm NAND閃存芯片試制的SSD硬盤產(chǎn)品，并將于本季度推出
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一季度半導(dǎo)體供應(yīng)商將繼續(xù)維持低庫存

　　據(jù)iSuppli公司，經(jīng)過2009年對膨脹的庫存大幅削減，全球半導(dǎo)體供應(yīng)商預(yù)計將在2010年第一季度維持低量庫存，以期在不明朗的經(jīng)濟環(huán)境中能獲益。　　半導(dǎo)體供應(yīng)商的庫存天數(shù)(DOI)預(yù)計將在第一季度下降到68.3，比2009年第四季度的68.5低。由于第四季度的DOI已經(jīng)比歷史平均水平低了2.9%，第一季度的庫存預(yù)計比這一標(biāo)準(zhǔn)還低6.9%。而第一季度的庫存會維持在可滿足要求的平衡水平上，庫存將達到非常低的水平--甚至有幾種具體設(shè)備會接近短缺的邊緣。　　圖示為iSuppli
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iSuppli：全球芯片庫存保持緊縮 NAND閃存或短缺

　　據(jù)市場研究公司iSuppli的調(diào)查，全球半導(dǎo)體供應(yīng)商預(yù)計將在第一季度保持輕庫存，以便在不確定的經(jīng)濟形勢下保持盈利。　　第一季度末庫存天數(shù)預(yù)計將減少至68.3天，上季度為68.5天。去年第四季度，庫存天數(shù)已經(jīng)少于歷史平均水平2.9%，第一季度預(yù)計將較普通水平少6.9%。　　iSuppli預(yù)測，由于庫存量仍將保持在較低水平，某些特殊器件將面臨短缺。　　2010年，預(yù)計庫存天數(shù)將穩(wěn)定在近70天左右。緊縮的庫存管理將幫助半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)獲得兩位數(shù)增長，增長幅度預(yù)計為15.4%，而2009年減少12.4%
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威剛陳立白：今年DRAM市場多處于缺貨狀態(tài)

　　存儲器模塊大廠威剛2009年獲利交出賺進1個股本的豐碩成績單，董事長陳立白表示，2010年的DRAM產(chǎn)業(yè)多數(shù)時間將處于缺貨的狀態(tài)，只要價格維持平穩(wěn)，預(yù)計對于模塊產(chǎn)業(yè)絕對是好事，往年會是傳統(tǒng)淡季的第2季，2010年將會見到淡季不淡，也不見五窮六絕;而NAND Flash產(chǎn)業(yè)價格則預(yù)計會起起伏伏，整體而言，DRAM表現(xiàn)會優(yōu)于NAND Flash產(chǎn)業(yè)。　　威剛2009年進行高層人士調(diào)整，延攬前三星電子(Samsung Electronics)存儲器部門資深營銷副總金一雄擔(dān)任威剛總經(jīng)理一職，與原有的總經(jīng)理
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nand介紹

一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR. 簡單的來說，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲存數(shù)據(jù)為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。 NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [ 查看詳細(xì) ]