nand 文章進(jìn)入nand技術(shù)社區(qū)

09年固態(tài)硬盤市場份額不會(huì)大提升

　　雖然固態(tài)硬盤迅速成為了各大媒體主要的宣傳內(nèi)容,但是由于價(jià)格過高的原因今年固態(tài)硬盤的市場份額將不會(huì)太高.根據(jù)DRAMeXchange的最新調(diào)查報(bào)告表明,固態(tài)硬盤在標(biāo)準(zhǔn)筆記本電腦的市場份額2009年將維持在1%-1.5%,同時(shí)由于眾多廠商在主流存儲(chǔ)設(shè)備上依然選擇的是機(jī)械式硬盤,因此在低端PC上的市場份額將不到10%,這里應(yīng)該主要指的是上網(wǎng)本產(chǎn)品. 　　較高的價(jià)格明顯妨礙了固態(tài)硬盤向更深市場的侵入,根據(jù)市場調(diào)研公司的分析,考慮到16Gb和32Gb內(nèi)存芯片的價(jià)格走勢,SSD產(chǎn)品的市場接受度將會(huì)下降. 　　
關(guān)鍵字：固態(tài)硬盤 NAND 內(nèi)存芯片

Intel兩周內(nèi)發(fā)布基于34納米NAND固態(tài)硬盤

　　近來謠言越來越厲，市場盛傳英特爾將于未來2周里發(fā)布基于34納米制程N(yùn)AND芯片的固態(tài)硬盤。之前有報(bào)道稱英特爾Chipzilla芯片實(shí)驗(yàn)室將于去年Q4發(fā)布新34納米閃存，不過時(shí)間表早已大大推后。固態(tài)硬盤出現(xiàn)的時(shí)間不久，其成本高，容量有限，有時(shí)候人們甚至懷疑其可靠性。如果新的34納米制程N(yùn)AND閃存推出，固態(tài)硬盤的價(jià)格將大大降低，容量也將達(dá)到320GB左右。　　固態(tài)硬盤的存儲(chǔ)單元分為MLC(Multi-Level Cell，多層單元)和SLC(Single Layer Cell，單層單元)兩種。MLC
關(guān)鍵字：英特爾 NAND 34納米 MLC SLC

利潤驚人 iPhone 3GS成本僅179美元

　　雖然蘋果iPhone有著驚人的利潤已經(jīng)是婦孺皆知的事情，但新款iPhone 3GS的成本究竟是多少還是引起了不少人的好奇。日前，以經(jīng)常拆卸廣受歡迎的消費(fèi)電子產(chǎn)品而聞名的iSuppli，通過初步拆解和分析首次向大家披露了iPhone3GS的關(guān)鍵部件的供應(yīng)商及評(píng)估產(chǎn)品成本。據(jù)悉，第三代蘋果手機(jī)iPhone3GS的成本為178.96美元，比iPhone 3G增加了4.63美元。但仍低于第一代iPhone220美元的成本估價(jià)。　　通常而言，最新一代產(chǎn)品的成本要低于上一代，尤其對(duì)于iPh
關(guān)鍵字：蘋果 NAND GPS 處理芯片

恒憶與三星電子共同合作開發(fā) PCM

　　恒憶 (Numonyx) 與三星電子 (Samsung Electronics Co., Ltd) 宣布將共同開發(fā)制定相變存儲(chǔ)器 (Phase Change Memory，PCM) 產(chǎn)品的市場規(guī)格，此新一代存儲(chǔ)技術(shù)可滿足載有大量內(nèi)容和數(shù)據(jù)平臺(tái)的性能及功耗要求，從而幫助多功能手機(jī)及移動(dòng)應(yīng)用、嵌入式系統(tǒng)*、高級(jí)運(yùn)算裝置的制造商應(yīng)對(duì)設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。制定針對(duì)PCM 產(chǎn)品的通用軟硬件兼容標(biāo)準(zhǔn)，將有效簡化設(shè)計(jì)流程并縮短產(chǎn)品開發(fā)時(shí)間，使制造商能在短時(shí)間內(nèi)采用這兩家公司推出的高性能、低功耗 PCM 存儲(chǔ)產(chǎn)品。　　相較于
關(guān)鍵字： Numonyx NAND NOR PCM SDRAM

NAND Flash再刮大風(fēng)　30納米世代競賽起跑

　　全球NAND Flash需求仍相當(dāng)疲弱，盡管東芝(Toshiba)宣布增產(chǎn)重創(chuàng)市場信心，然存儲(chǔ)器業(yè)者透露，由于東芝43納米制程N(yùn)AND Flash芯片日前打入蘋果(Apple)iPhone供應(yīng)鏈，推測其增產(chǎn)系為蘋果供貨做準(zhǔn)備，近期更需關(guān)注的是，三星電子(Samsung Electronics)除采用既有42納米制程應(yīng)戰(zhàn)，亦開始準(zhǔn)備最新版35納米制程N(yùn)AND Flash芯片，且已陸續(xù)送樣給控制芯片廠，這不僅將對(duì)東芝和英特爾(Intel)、美光(Micron)聯(lián)盟造成壓力，亦將影響NAND Flash市場
關(guān)鍵字：三星 NAND 30納米 43納米

三星電子和Numonyx將聯(lián)合開發(fā)下一代記憶體PCM

　　6月24日消息,三星電子和Numonyx表示，雙方將聯(lián)合開發(fā)前途光明的下一代記憶體科技--相變化記憶體技術(shù)。　　三星電子和Numonyx表示，雙方將合作開發(fā)PCM的通用規(guī)范，該技術(shù)有望用于高級(jí)聽筒、移動(dòng)電話和電腦設(shè)備中。英特爾和意法半導(dǎo)體(STM去年合資組建了Numonyx.。三星電子和Numonyx稱，PCM讀寫速度非?？?，但耗電量卻低于傳統(tǒng)的NOR和NAND快閃記憶體。　　三星電子和Numonyx還表示，雙方的通用規(guī)范將于今年完成，預(yù)計(jì)明年將推出兼容設(shè)備。
關(guān)鍵字：三星 NAND NOR PCM 相變化記憶體

09年SSD硬盤市占率不升反降

　　據(jù)市調(diào)公司DRAM Exchange的調(diào)查，2009年，傳統(tǒng)筆記本市場上的SSD硬盤使用率僅僅只有1-1.5%，而在低端市場SSD硬盤的占有率也只有不到10%。造成這種現(xiàn)象的原因是16Gb/32Gb NAND閃存價(jià)格的上漲。今年上半年，這種規(guī)格閃存的價(jià)格不斷上揚(yáng)，而由此產(chǎn)生的利潤空間自然就減小了。　　DRAM Exchange聲稱上網(wǎng)本與傳統(tǒng)筆記本中使用SSD硬盤的比率今年出現(xiàn)持續(xù)下降的態(tài)勢，結(jié)果導(dǎo)致“SSD銷量總體表現(xiàn)很糟糕”。相比傳統(tǒng)機(jī)械硬盤，SSD硬盤的每GB價(jià)格依
關(guān)鍵字： SSD NAND 上網(wǎng)本

三星電子與東芝就芯片業(yè)務(wù)達(dá)成交叉授權(quán)交易

　　6月22日消息，據(jù)路透社報(bào)道，三星電子周一表示，已與日本東芝就半導(dǎo)體業(yè)務(wù)簽署交叉授權(quán)交易。　　東芝是繼三星電子之后，全球第二大NAND快閃記憶體(閃存)芯片制造商。
關(guān)鍵字：三星 NAND 芯片制造

閃存價(jià)格上漲　SSD技術(shù)普及受威脅

　　今年前兩個(gè)季度NAND閃存的平均銷售價(jià)格(ASP)反彈，令供應(yīng)商非常高興，使其在2008年經(jīng)受慘重?fù)p失之后又獲得了希望。　　為了盡快恢復(fù)盈利，這些供應(yīng)商在2008年紛紛削減產(chǎn)能以應(yīng)對(duì)市場需求疲弱的局面。據(jù)iSuppli公司，此后，NAND閃存價(jià)格在第一季度上漲了11%，在第二季度估計(jì)上漲了28%。　　雖然這對(duì)于閃存供應(yīng)商來說是好事，但卻可能對(duì)固態(tài)硬盤(SSD)在主流PC市場的普及帶來負(fù)面影響。SSD的90%由閃存部件構(gòu)成。　　SSD上網(wǎng)本失色　　在全球電子市場面臨不確定性之際，PC制造
關(guān)鍵字： SSD NAND 上網(wǎng)本

內(nèi)容與模式體現(xiàn)消費(fèi)電子差異性

　　SD(安全數(shù)碼卡)目前是我們的主要應(yīng)用產(chǎn)品市場之一。由于有新的標(biāo)準(zhǔn)和產(chǎn)品出現(xiàn)，MMC(多媒體卡)逐漸走向嵌入式應(yīng)用。SD/MMC目前占我們營收比重仍是最大的，約在30%左右，其實(shí)這部分業(yè)務(wù)在2008年是下滑的，而新業(yè)務(wù)帶來的收入在增長，2008年慧榮的出貨量增長了35%左右。我們在全球NAND型控制芯片市場占有很大的比重，但由于價(jià)格的下降，我們的銷售額與2007年持平。　　總的來說，慧榮擁有3大產(chǎn)品線：移動(dòng)存儲(chǔ)、多媒體單芯片及移動(dòng)通信。移動(dòng)存儲(chǔ)產(chǎn)品提供管理閃存的控制芯片，應(yīng)用范圍包括閃存卡、U盤、
關(guān)鍵字： SD NAND 移動(dòng)存儲(chǔ) 多媒體單芯片移動(dòng)通信

東芝整頓虧損的芯片業(yè)務(wù) 將關(guān)閉部分生產(chǎn)線

　　據(jù)日本經(jīng)濟(jì)新聞報(bào)道，東芝表示將關(guān)閉部份芯片生產(chǎn)部門，取消近期宣布的分拆決定，以整頓虧損累累的芯片業(yè)務(wù)。　　報(bào)導(dǎo)指出，東芝計(jì)劃關(guān)掉Kitakyushu廠兩條生產(chǎn)線，而巖手縣Toshiba Electronics Co部門6寸晶圓產(chǎn)能則將腰斬。　　據(jù)報(bào)載，公司將裁減生產(chǎn)線的臨時(shí)雇員，部份全職員工將改派至芯片部門以外的業(yè)務(wù)單位。　　東芝預(yù)估，廢棄生產(chǎn)設(shè)備及采取相關(guān)措施所耗費(fèi)的重整費(fèi)用將達(dá)300億日元(約合3億美元)。東芝打算減少6寸或更小尺寸晶圓三成的產(chǎn)量。　　公司意圖透過整頓虧損連連的芯片
關(guān)鍵字：東芝芯片晶圓 NAND

龔翊出任恒憶亞洲區(qū)嵌入式業(yè)務(wù)部副總裁

　　全球非易失性存儲(chǔ)領(lǐng)先廠商恒憶(Numonyx)宣布任命龔翊(Grace Gong)為恒憶亞洲區(qū)嵌入式業(yè)務(wù)部副總裁。在加入恒憶前龔翊任飛索半導(dǎo)體(Spansion)嵌入式事業(yè)部亞洲區(qū)副總裁，龔翊的加入將為恒憶帶來更多針對(duì)亞洲嵌入式市場的經(jīng)驗(yàn)。作為副總裁，她將負(fù)責(zé)恒憶亞洲區(qū)嵌入式產(chǎn)品的銷售與業(yè)務(wù)管理，帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)為亞洲客戶和合作伙伴提供更完善的服務(wù)與支持。　　“亞洲在全球嵌入式產(chǎn)品市場具有重要的戰(zhàn)略地位，恒憶致力于提供相關(guān)產(chǎn)品與技術(shù)支持，以滿足嵌入式市場的需求”，恒憶全球嵌入式業(yè)務(wù)
關(guān)鍵字： Numonyx 嵌入式 NOR NAND PCM

三星與SanDisk續(xù)簽7年NAND專利許可協(xié)議

　　據(jù)國外媒體報(bào)道，三星電子周三宣布，以更低的許可價(jià)格，與美國芯片生產(chǎn)商SanDisk續(xù)簽了7年的NAND閃存技術(shù)許可協(xié)議，不過協(xié)議規(guī)定三星必須向SanDisk供應(yīng)芯片。　　三星在提交給韓國證交所的文件中稱，由于協(xié)議是2家公司內(nèi)部簽署的，無法透露所有信息，但可以透露的是，許可費(fèi)將是當(dāng)前協(xié)議的1半左右。SanDisk公司董事長和CEO埃里·哈拉利(Eli Harari)表示，對(duì)于今天宣布的協(xié)議我們感到非常滿意，此外，繼續(xù)獲得三星閃存芯片可使我們在控制資本支出上擁有更大的靈活性。　　新協(xié)
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Unity可能與IM Flash合作制造RRAM

　　近期剛宣布將在2010年制成64Gbit非易失電阻式RAM的美國Unity Semiconductor公司計(jì)劃找一家IDM合作建廠來制造該產(chǎn)品。　　Intel和Micron的NAND閃存合資公司——IM Flash是潛在合作伙伴之一，盡管Unity更傾向于將工廠建在亞洲，因?yàn)樵摯鎯?chǔ)產(chǎn)品需用到鈣鈦礦。　　據(jù)悉，建該工廠和一座先進(jìn)邏輯晶圓廠相比要便宜一些。IM Flash顯然是一家理想的合作伙伴。Unity公司總裁兼CEO Darrel Rinerson在Micron度過了
關(guān)鍵字： Intel NAND 晶圓

NAND Flash買氣急凍　通路庫存塞車

　　NAND Flash經(jīng)歷2個(gè)月價(jià)格狂飆后，近期市場買氣一夕轉(zhuǎn)淡，記憶體模組廠紛因庫存急增，開始出現(xiàn)驚慌失措。模組廠表示，3、4月NAND Flash漲價(jià)時(shí)，通路商一度擔(dān)心會(huì)缺貨，因而囤積不少庫存，然5月NAND Flash市場卻出乎意外地很快冷卻下來，由于消費(fèi)者需求不振，導(dǎo)致中間通路商手上庫存整個(gè)塞住，并造成16Gb產(chǎn)品現(xiàn)貨價(jià)跌破4美元心理關(guān)卡，合約價(jià)漲勢亦熄火，模組廠5月同時(shí)面臨NAND Flash和DRAM需求不振，恐將反應(yīng)在營收表現(xiàn)上。　　模組廠表示，2009年第1季NAND Flash市場
關(guān)鍵字：蘋果 DRAM NAND

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nand介紹

一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR. 簡單的來說，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達(dá)二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲(chǔ)存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。 NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [ 查看詳細(xì) ]