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芯片制造設備行業(yè)2014年前景看好

　　據(jù)國外媒體報道，芯片廠商尚未打破增長-衰退交替出現(xiàn)的規(guī)律。周一從芯片行業(yè)展會SemiconWest上透露出的一個關鍵信息是，盡管對芯片產(chǎn)業(yè)2013年增長的預期落空，但明年的前景要光明得多。　　SEMI(半導體設備暨材料協(xié)會)預計，2013年芯片制造設備營收將下降約2%。SEMI高管丹尼爾·特拉西(DanielTracy)預測，2014年芯片制造設備營收將猛增21%。　　當然，SEMI以往曾對芯片制造設備營收作出過高的預期。1年前，SEMI曾預計2013年芯片制造設備營收將增長約1
關鍵字：芯片制造 NAND

2013年：芯片制造業(yè)陷入低谷明年會變好

　　根據(jù)國外媒體的報道，2013年全球的芯片制造業(yè)將出現(xiàn)衰退，預計芯片制造設備的全年營收下降2%，而此前SEMI曾經(jīng)預計2013年芯片制造設備營收會增長10%。　　這次衰退預計同樣出自SEMI，這表明此前他們對2013年的樂觀預計已經(jīng)落空。實際上從2012年下半年開始，以NAND閃存為首的芯片廠商對芯片制造設備的訂單就已經(jīng)開始萎縮。目前只有Intel、三星、臺積電三家狀況比較穩(wěn)定，主要是因為消費類電子產(chǎn)品對芯片需求量大，三家企業(yè)處于難以撼動的統(tǒng)治地位。　　不過SEMI依然對2014年的發(fā)展
關鍵字：芯片制造 NAND

中國廠商成全球芯片行業(yè)增長新引擎

　　導語：路透社今天撰文指出，近年來高端手機市場的需求趨于飽和，曾經(jīng)推動芯片行業(yè)發(fā)展的兩大科技巨頭——三星和蘋果公司的增長也開始放緩，但隨著華為、聯(lián)想等中國移動廠商的強勢崛起，以及中國移動市場的火爆，中國力量正成為全球芯片行業(yè)增長的新引擎。　　以下為文章全文：　　重新掌握主動　　隨著中國低端智能手機和平板電腦的需求激增，以及華為等中國移動設備廠商的強勢崛起，東芝、SKHynix等亞洲存儲芯片廠商有望從這種趨勢中獲得重要回報。中國目前已取代美國，成為全球第一大智能手機市場
關鍵字： DRAM NAND

內存芯片商揚眉吐氣靠中國企業(yè)賺錢了

　　7月5日消息，由于中國廉價平板、智能手機需求增長，由于中國移動設備商的出現(xiàn)，東芝、海力士等內存商終于擺脫了倒霉運，開始收獲金錢了。　　在高端產(chǎn)品領域，盡管市場增速沒過去那么快了，但是，這些設備渴望裝上更大的內存，也會刺激內存銷售的增長。　　兩種趨勢之下，加上2011年以來內存商縮減投資，DRAM(動態(tài)隨機訪問存儲器)和NAND內存芯片價格已經(jīng)開始回升，在廠商面前，內存制造商抬起頭來，它們有了更高的議價能力。　　I’M投資證券公司分析師Hong Sung-ho指出：“
關鍵字：內存芯片 NAND

NAND需求旺盛模塊廠Q3將迎來火爆場面

　　存儲器大廠美光(Micron)昨(20)日召開法說會，執(zhí)行長MarkDurcan看好下半年NANDFlash旺季，并指出未來12個月，NAND市場產(chǎn)能供給增加的幅度有限，但需求十分強勁，幾乎可用貪婪的需求(insatiabledemand)來形容，因此對下半年NAND市場抱持樂觀正面看法。　　根據(jù)集邦科技旗下DRAMeXchange調查，由于全球4大供應商近一年來沒有擴產(chǎn)動作，加上制程微縮難度太高導致速度放緩，第3季NANDFlash位元成長率恐低于10%，但因行動裝置及固態(tài)硬盤(SSD)市場進入
關鍵字： SSD NAND

NAND閃存閃現(xiàn)光芒，今年營業(yè)收入有望大增

據(jù)IHS公司的閃存市場動態(tài)簡報，由于在手機、游戲控制臺和混合存儲驅動器等產(chǎn)品中的使用擴大，NAND閃存市場今年有望實現(xiàn)兩位數(shù)的增長。
關鍵字： IHS NAND

NAND在2012年第四季度表現(xiàn)強勁

　　據(jù)IHS iSuppli公司的數(shù)據(jù)閃存市場追蹤報告，低端平板電腦市場相對強健，幫助NAND閃存產(chǎn)業(yè)在2012年第四季度取得良好表現(xiàn)，提升了全年營業(yè)收入水平，并縮減了2012年虧損程度。　　2012年第四季度NAND營業(yè)收入為58億美元，比第三季度的48億美元增長17%，這是當年表現(xiàn)最好的一個季度，如圖3所示。在最后一個季度的強力推動下，2012年全年NAND營業(yè)收入達到200億美元，比2011年只下降4.6%，降幅小于最初擔憂的水平。　　圖3：2012年各季度全球NAND閃存營業(yè)收入預估(以百
關鍵字： NAND 平板電腦

日系半導體公司一季度恢復盈利

　　根據(jù)Digitimes的研究報告顯示，日本前三大半導體公司，東芝，瑞薩電子和索尼，盡管2012財年(從2012年4月至2013年3月)收入按年繼續(xù)降低，但利潤已經(jīng)提高。　　其中，東芝今年第一季度NAND閃存營業(yè)收入達到了1730億日元(17.1億美元)，達到2010年第一季度以來的最高水平。NAND閃存營業(yè)收入上升是由于出貨量增加和價格穩(wěn)定。東芝已經(jīng)看到半導體營業(yè)收入和營業(yè)利潤連續(xù)三個季度增長。　　瑞薩電子今年第一季度營業(yè)收入，環(huán)比下降1.9%，達到1739億日元。然而，在連續(xù)七個季度的經(jīng)營虧
關鍵字：瑞薩電子閃存 NAND

DRAM看漲類股營運走俏

　　由于韓國三星半導體將七成存儲器供自家手機、平板及電視使用下，加上大陸白牌平板計算機、智能手機備貨潮重新啟動，存儲器近期報價緩步上揚，DDR32Gb均價每顆站上1.74美元，站上二年多來新高，相關DRAM族群營運看俏。　　 ? 　　此外，NANDFlash應用大廠群聯(lián)預期，今年7、8月，NANDFlash芯片將陷入缺貨窘境，擁有強力貨源為后盾的廠商將受惠。　　市場得知，三星將把七成行動存儲器產(chǎn)能保留給自家產(chǎn)品后，市場備貨潮5月中旬再度啟動，讓標準型DRAM現(xiàn)貨報價再度揚升，站上
關鍵字： DRAM NAND

NAND閃存深入解析

對于許多消費類音視頻產(chǎn)品而言，NAND閃存是一種比硬盤驅動器更好的存儲方案，這在不超過4GB的低容量應用中表現(xiàn) ...
關鍵字： NAND 閃存

DRAM漲價或提氣

DRAM曾是半導體業(yè)的王牌產(chǎn)品，在上世紀90年代的半導體市場上曾約占到3～4成的樣子，同時，它的加工技術、設備技術和生產(chǎn)線技術也常常主導著半導體產(chǎn)業(yè)的技術開發(fā)。Intel公司40年前研發(fā)出的DRAM，后成為PC的核心器件之一而獲得傲人的成長。
關鍵字： DRAM NAND 201305

英特爾任命卡扎尼奇為新CEO 接替歐德寧

　　英特爾公司今天宣布，該公司董事會已經(jīng)一致選舉布萊恩·卡扎尼奇(Brian Krzanich)為下一任首席執(zhí)行官，以此替代歐德寧(Paul Otellini)。據(jù)稱，卡扎尼奇將于5月16日的英特爾公司年度股東大會召開之際開始履職。　　 ? 　　卡扎尼奇自2012年1月以來一直擔任英特爾首席運營官，此次也將成為英特爾公司史上的第六任首席執(zhí)行官。與此同時，歐德寧也將在5月16日卸任英特爾首席執(zhí)行官。　　卡扎尼奇現(xiàn)年52歲，自在1982年加盟英特爾以來，就一直擔任該公司
關鍵字：英特爾 NAND

64GB NAND閃存芯片需求保持強勁

　　根據(jù)行業(yè)觀察家表示，受智能手機和平板電腦強勁需求推動，64GB NAND閃存市場一直在增長，高密度芯片價格高居不下，反映當前供不應求市場狀況。　　智能手機和平板電腦市場對NAND芯片需求旺盛，也對現(xiàn)貨市場上的芯片供應帶來了負面的影響，即NAND閃存芯片廠商優(yōu)先供應系統(tǒng)制造商表示，許多下游模塊廠和渠道分銷商已經(jīng)無力獲得穩(wěn)定的供貨。　　供應緊張狀況，鼓勵芯片企業(yè)優(yōu)先考慮高利潤的訂單，比如為智能手機提供容量高達64GB的NAND閃存芯片，并且獲利高于功能手機和其他消費電子產(chǎn)品。　　有消息表示，目
關鍵字： NAND 閃存芯片

產(chǎn)業(yè)大腕云集深圳，共話閃存與移動技術的世紀交鋒

2013年，隨著智能機平板市場繼續(xù)走熱，以NAND Flash為核心的各類存儲器件缺貨嚴重，存儲器件的供應在2013年將一直呈現(xiàn)缺貨勢態(tài)嗎?2013年智能機平板電腦超極本平臺廠商發(fā)力重點在哪里?如何實現(xiàn)差異創(chuàng)新?透過第二屆NAND Flash應用高峰論壇，本土存儲器件領軍企業(yè)BIWIN匯聚產(chǎn)業(yè)鏈上下游力量，共同應對存儲挑戰(zhàn)，推進智能機平板創(chuàng)新。
關鍵字： NAND 存儲器 BIWIN

第四季度NAND營業(yè)收入創(chuàng)最高記錄

意外!NAND閃存去年第四季度營業(yè)收入達到最高紀錄，扭轉連續(xù)下滑局面
關鍵字： NAND AMOLED

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nand介紹

一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR. 簡單的來說，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲存數(shù)據(jù)為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。 NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [ 查看詳細 ]