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布局存儲器封測臺廠競爭卡位

　　存儲器大廠美光擴大委外封裝合作，東芝新廠可望今年量產。日月光、力成、南茂、華東等臺廠積極布局，今年存儲器封測競爭卡位，勢必激烈。　　展望今年，國際存儲器大廠集中資源開發(fā)前端制程，包括動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)和快閃存儲器(Flash)后段封測可能擴大委外，封測臺廠考量自身發(fā)展，積極與國際大廠洽商合作。　　美光(Micron)去年以20億美元買下日本存儲器大廠爾必達(Elpida)，提高美光全球DRAM市占率約1倍。　　為進一步集成DRAM封測業(yè)務，去年下半年美光著手洽商DRAM后段封測
關鍵字：存儲器 NAND

武漢新芯：定位存儲器制造，兩年后或推3D NAND

武漢新芯集成電路制造公司(XMC)2006成立，2012年底起獨立經營，是國有制企業(yè)。為了區(qū)別于本土的制造巨頭SMIC(中芯國際)和華力微電子(HLMC)等，XMC將立足存儲器制造。近日，武漢新芯董事長王繼增告訴筆者。
關鍵字： XMC 存儲器 NOR NAND 201401

ARM11 S3C6410系列教程之四：NANDflash操作

在本章開始之前，我們先來看下ARM11S3C6410內部結構：
關鍵字： ARM11 DDR NAND flash 寄存器

武漢新芯：已建成IP體系，欲以存儲器為特色

武漢新芯集成電路制造公司(XMC)是地方政府投資的半導體企業(yè)，2006年由湖北省、武漢市、武漢市東湖高新區(qū)投資，并由東湖高新區(qū)管理的全資國有企業(yè)，前幾年委托SMIC(中芯國際)經營管理，從2012年底起獨立經營。
關鍵字： XMC 存儲器 NAND

東芝推出采用19納米第二代工藝技術的新型嵌入式NAND閃存模塊

東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布推出新型嵌入式NAND閃存模塊(e·MMC)，該模塊整合了采用19納米第二代工藝技術制造的NAND芯片。同時該模塊符合最新的e·MMC?[1]標準，旨在應用于智能手機、平板電腦和數字攝像機等廣泛的數字消費品。批量生產將從11月底開始。
關鍵字：東芝嵌入式 NAND

基于NAND Flash的大容量立體封裝芯片在嵌入式系統中的應用

摘要: NAND Flash應用的困難在于管理和需要特殊的系統接口。本文介紹了一種利用MCU存儲器管理接口結合I/O口來實現NAND Flash存儲結構的搭建和管理的方法，并介紹底層的驅動程序。
關鍵字： Flash 嵌入式 MCU 存儲器 NAND 寄存器 201312

Marvell擴大固態(tài)硬盤控制器在全球領先OEM中的市場份額

全球整合式芯片解決方案的領導廠商美滿電子科技(Marvell，納斯達克代碼：MRVL)日前宣布，其完備的整合式芯片與軟件定義解決方案組合將繼續(xù)加速實現全球消費者和企業(yè)的“美滿互聯生活(Connected Lifestyle)”。當前，Marvell擁有豐富的端到端存儲、網絡、計算、移動和聯網解決方案，在行業(yè)中占據著獨一無二的領導地位。
關鍵字： Marvell 固態(tài)硬盤 NAND

可管理NAND：適用于移動設備的嵌入式大容量存儲

與多年前相比，現在的移動消費電子裝置結構復雜，功能豐富，能夠存儲大量音樂、照片和視頻內容。讓人欣慰的是，存儲...
關鍵字： NAND 移動設備大容量存儲

10月快閃存儲器NAND供過于求合約價看漲

　　市調機構集邦科技預期，第4季儲存型快閃存儲器(NANDFlash)供過于求情況可望趨緩，10月合約價看漲。　　集邦科技表示，海力士(Hynix)中國大陸無錫廠發(fā)生火災意外，不僅帶動動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)價格飆漲，同時激勵9月NANDFlash合約價上漲3%至6%。　　集邦科技指出，盡管NANDFlash市場銷售并無好轉跡象，不過，海力士無錫廠復工情況依然混沌不明，NANDFlash供給將連帶受到影響，預期第4季NANDFlash市場供過于求情況可望趨緩。　　集邦預期，近期1至2個月
關鍵字：快閃存儲器 NAND

用DNW通過USB燒uboot到nand

燒寫前提：已經把FS2410開發(fā)板的S3C2410_BIOS.bin通過JTAG燒到了NOR里面了，這樣我們從NOR啟動才可以使用US...
關鍵字： DNW USB uboot nand

采取多元化戰(zhàn)略，加強在華合作

編者按：8月初，Spansion宣布兩項重大舉措：一，完成對富士通微控制器(MCU)和模擬業(yè)務的收購;二，簽署與XMC(武漢新芯集成電路制造公司)的技術許可協議?？梢?，Spansion由最大的獨立閃存公司變身為多元產品公司，并且加深與中國代工廠的合作。是什么促使Spansion做此決定?Spansion對華戰(zhàn)略如何?
關鍵字：富士通 Spansion MCU NAND 201309

三星宣布量產全球首個3D垂直閃存V-NAND

　　三星電子在存儲技術上的領先的確無可匹敵，今天又宣布已經批量投產全球第一個采用3D垂直設計的NAND閃存“V-NAND”。這年頭，3D堆疊已經成了潮流，處理器、內存什么的都要堆起來。　　三星的V-NAND單顆芯片容量128Gb(16GB)，內部采用三星獨有的垂直單元結構，通過3D CTF電荷捕型獲閃存技術、垂直互連工藝技術來連接3D單元陣列。　　三星稱，這種新閃存的拓展能力是普通2xnm平面型閃存的兩倍以上，可靠性提升最少2倍、最多10倍，而且寫入性能也可達到1xnm N
關鍵字：三星 V-NAND

半導體廠擴產力成進補

　　不讓韓國三星專美于前，日本半導體大廠東芝及美商晟碟(SanDisk)6日宣布，將共同斥資4,000億日圓(約新臺幣1,221.2億元)，于日本三重縣四日市興建儲存型快閃存儲器(NAND Flash)新廠，導入最新16至17納米制程，使總產能提升20%，明年4月量產，為在臺后段封測廠力成(6239)營運挹注成長動能。　　這是三星在上月宣布調高今年半導體資本支出后，東芝近兩年來首度做出增產決定，因為蘋果中低價手機和大陸手機的強勁需求。　　研究機構統計，去年全球NAND Flash出貨量，三星居全球
關鍵字：半導體 NAND

NAND閃存第一季度意外出現短缺

據IHS公司的移動與嵌入存儲市場追蹤報告，今年第一季度中國低端智能手機的需求大增，讓內存供應商措手不及，刺激了NAND閃存市場的增長并導致其出現供應短缺。
關鍵字： IHS NAND

第一季度SSD出貨勁增，尤其是在超級本與PC平板領域

據IHS公司的存儲市場追蹤報告，超薄/超級本PC以及PC平板的使用大增，在第一季度極大地推動了固態(tài)硬盤(SSD)的發(fā)展。SSD在這些領域的出貨量同比激增兩倍。
關鍵字： IHS SSD NAND HDD

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nand介紹

一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR. 簡單的來說，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲存數據為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。 NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [ 查看詳細 ]