nand flash 文章進入nand flash技術(shù)社區(qū)

NAND近期市場形勢升級為“中性”

對于受嚴重價格侵蝕打擊近六個月之久的NAND閃存供應(yīng)商來說，現(xiàn)在有好消息但不是最好的消息：iSuppli公司已經(jīng)更新了近期該市場的形勢評級。目前，iSuppli將2006年10月2日那一周以來一直保持的NAND供應(yīng)商市場形勢評級自“負面”升為“中性”。就在兩周前，iSuppli還認為供應(yīng)商的情況是有史以來最為糟糕的。但是峰回路轉(zhuǎn)—在持續(xù)惡劣條件的情況下，其拐點即將來臨。 iSuppli的NAND動量指標—上周跟蹤各項決定市場狀態(tài)因素的指標向正臨界偏移，該現(xiàn)象是自2006年11月13日那一周后首次出現(xiàn)。
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NAND市場在一季度遭遇最慘痛經(jīng)歷

一季度NAND閃存市場有多糟糕？糟糕得驚人！ • 全球NAND市場營收下降了6.84億美元，相比2006年第四季度下降了20.6%！ • 市場如此糟糕以至于一個被公認為該市場領(lǐng)軍供應(yīng)商NAND的營收在此期間下降了10.1%！ • &nbs
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義隆電子上市高速八位 Flash MCU產(chǎn)品

因應(yīng)市場的需求，義隆電子近期推出八位Flash MCU的產(chǎn)品—編號 EM77F900 。這顆IC是一款速度高達40MIPS的八位單片機，在高速控制的應(yīng)用領(lǐng)域可以讓您使用時得心應(yīng)手，同時，可以廣泛的應(yīng)用于二維條形碼閱讀(2D Bar code reader)、游戲鼠標(Gaming mouse)、高速傳輸器(Dongle)、指紋辨識、移動檢測(Motion detect)、USB audio、無線傳輸?shù)阮I(lǐng)域。義隆電子
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受三星停電事件影響 NAND價格上漲15-25%

根據(jù)集邦科技資料，8月上旬NAND型閃存價格受韓國三星停電事件影響，平均上漲約15-25%。集邦分析師指出，由于短期內(nèi)旬NAND型閃存市場供貨不足，預(yù)估8月下旬價格將持平或小漲。據(jù)港臺媒體報道，三星半導體廠區(qū)在8月3日下午發(fā)生停電事件，使得該公司的6、7、8、9以及14廠的生產(chǎn)均受到停電中斷的影響，但三星已宣布于8月4日下午恢復(fù)到正常生產(chǎn)狀況，根據(jù)該公司初步估計損失約4300萬美元。 &
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Spansion NOR閃存完成在聯(lián)發(fā)科參考設(shè)計平臺上預(yù)先驗證

北京，2007年8月7日——全球最大的純閃存解決方案供應(yīng)商Spansion（NASDAQ:SPSN）今天宣布，其MirrorBit® NOR閃存已完成在MediaTek主流手機參考設(shè)計平臺上的預(yù)先驗證。MediaTek總部位于臺灣，是全球前十大提供無線通信和數(shù)字媒體解決方案的半導體芯片設(shè)計公司之一。在MediaTek參考設(shè)計平臺上完成對Spansion閃存解決方案的預(yù)先驗證，將使生產(chǎn)商能夠?qū)⒕哂谐杀拘实母咝阅苁謾C更快地推向中國及其它高速增長市場。在未來幾年內(nèi)，中國將成為推動新型手機發(fā)
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NAND閃存芯片吃緊加劇行業(yè)整合態(tài)勢

隨著NAND閃存芯片需求的增加，內(nèi)存廠商已越來越難得到充足的NAND閃存芯片供應(yīng)，NAND閃存芯片吃緊加劇了內(nèi)存產(chǎn)業(yè)整合，業(yè)內(nèi)人士稱現(xiàn)在已有許多小規(guī)模的內(nèi)存廠商從市場中退出。　　今年前一段時間NAND閃存芯片價格出現(xiàn)了下滑，現(xiàn)在價格又開始了回升，可這并不能讓眾多內(nèi)存廠商高興起來，因為并非所有的內(nèi)存廠商都能得到足夠的NAND閃存芯片供應(yīng)，特別是在蘋果霸占了三星的大量NAND產(chǎn)品的情況下。　　現(xiàn)在約有一半的二線三線內(nèi)存廠商退出了NAND閃存業(yè)務(wù)，這也是不得已而為之，由
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TMS320VC55X系列DSP的FLASH引導方法*

摘要：本文以實際系統(tǒng)開發(fā)基礎(chǔ)為背景，闡述了TMS320C55X系列DSP對FLASH在線燒寫的方法，給出了系統(tǒng)的硬件連接示意圖和完整的燒寫程序，并研究了自舉引導的實現(xiàn)方法以及大程序的二次引導方法。關(guān)鍵詞： TMS320C55X；FLASH；Bootloader；燒寫；二次引導引言隨著數(shù)字信號處理技術(shù)的快速發(fā)展，DSP被廣泛的應(yīng)用到各種數(shù)字信號處理系統(tǒng)中。最終開發(fā)的系統(tǒng)要想脫離仿真器運行，必須將程序代碼存儲在非易失性存儲器中。FLASH存儲器以其大容量和可在線編程等特點已成為DSP
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中芯國際切入NAND閃存市場

在iPhone的帶動下，NAND閃存市場近期一片大好，國內(nèi)的晶元代工大廠中芯國際也抵制不住NAND閃存市場的誘惑，在近期宣布，下半年將開始量產(chǎn)2Gb NAND閃存顆粒并已經(jīng)投入8Gb NAND閃存顆粒的研發(fā)，預(yù)計明年將成為全球重要的NAND閃存顆粒供應(yīng)廠之一。受到今年Q2內(nèi)存價格崩盤以及0.13微米制程代工競爭激烈影響，國內(nèi)晶元代工大廠中芯國籍Q2營收出現(xiàn)約200萬美元左右的稅后虧損。做為晶元代工
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微軟聯(lián)手英特爾戴爾開發(fā)標準NAND閃存接口

5月31日消息，美國當?shù)貢r間5月30日，微軟公司宣布將與英特爾、戴爾結(jié)成合作伙伴關(guān)系，開發(fā)面向PC的標準NAND閃存接口。據(jù)techspot網(wǎng)站報道稱，名為“非揮發(fā)性內(nèi)存主機控制器接口組織”的這一組織是由英特爾倡導成立的，旨在利用閃存加速現(xiàn)代操作系統(tǒng)中的功能，例如Windows Vista中的ReadyBoost和ReadyDrive。該組織希望能夠加速其標準的普及，從而使其優(yōu)勢得到真正的體驗。英特爾或其它廠商是否會將這一接口提供給Windows之外的其它軟件還不得而知，但從該組
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美國美光科技：NAND閃存的未來在SSD

作為贊助商參加Windows Hardware Engineering Conference（WinHEC）的美國美光科技公司(Micron Technology, Inc.)舉辦了名為“Flash Memory Technology Direction”的技術(shù)研討會（Technical Session）。該公司 Memory Products Group 的首席應(yīng)用工程師（D
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NAND Flash和NOR Flash的比較

　　NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu)，強調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經(jīng)過了十多年之后，仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。　　相“flash存儲器”經(jīng)?？梢耘c相“NOR存儲器”互換使用。許多業(yè)內(nèi)人士也搞不清楚NAND閃存技術(shù)相對于NOR技術(shù)的優(yōu)越之處，因
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臺模塊廠飽受NAND Flash缺貨之苦三星陣營臺廠壓力倍增

相較于DRAM價格萎靡不振，近期南韓內(nèi)存大廠三星電子(Samsung Electronics)對于拉抬NAND型閃存( Flash)市場不遺余力，然最令客戶頭痛的問題是，目前三星電子受限于產(chǎn)能問題，釋出給臺廠NAND Flash貨源仍相當有限，各模塊廠都飽受缺貨之苦，而隸屬于東芝(Toshiba)陣營的客戶，尤其是內(nèi)存模塊大廠金士頓(Kingston)，由于東芝給予的成本較低，最近在大陸市場低價策略越來越積極，這讓與三星電子站在同一陣營的臺廠壓力倍增。近期三星電子不斷釋出N
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CSR公司推出BlueVOX Flash解決方案

全球領(lǐng)先的藍牙連接及無線技術(shù)提供商CSR公司（倫敦證券交易所：CSR.L）日前宣布推出BlueVOX Flash解決方案，該解決方案擁有先進的軟件功能，適用于高靈活性的低成本耳機。這款基于BlueCore4-Audio Flash芯片的新型解決方案將高性能、低功耗的藍牙無線電與6Mbits片上可編程閃存及全面的軟件開發(fā)工具包（SDK）結(jié)合在一起，從而完善了軟件的靈活性。藍牙耳機市場競爭日趨激烈，能否迅速響應(yīng)客戶需求將是決定成敗的關(guān)鍵。CSR公司的BlueVOX Flash包
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DRAM價格或?qū)⒂|底，NAND供應(yīng)商加快開發(fā)內(nèi)置產(chǎn)品

據(jù)Dramexchange消息，4月下半月的DRAM合約價格下跌到了20美元左右，這也影響到了現(xiàn)貨市場的價格走勢。面向2007年下半年P(guān)C銷售旺季，PC廠商將增加庫存，預(yù)計DRAM需求將隨之增長。因此，DRAM價格可能在2007年下半年觸底。價格持續(xù)下滑，已使DRAM廠商瀕臨虧損。向更先進的生產(chǎn)工藝轉(zhuǎn)移，以及提高1GB芯片的出貨量，將是決定2007年下半年DRAM廠商業(yè)績的兩大因素。由于需求仍然疲軟，現(xiàn)貨市場的價格環(huán)境保持低迷。DDR2 512MB 667MHz跌到了2.57美元附近，DDR2 eTT跌到
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東芝推出業(yè)界容量最大的嵌入式 NAND 閃存

　　東芝公司 (Toshiba Corp.) 與其美洲子公司東芝美國電子元件公司 (Toshiba America Electronic Components, Inc.) 聯(lián)合宣布，該公司已經(jīng)推廣了一種新型嵌入式 NAND 閃存系列產(chǎn)品，這一系列產(chǎn)品遵從了 eMMC 標準并且容量達到該行業(yè)之最。這種容量為 16GB 的新設(shè)備旨在應(yīng)用于手機和攝像機等移動消費產(chǎn)品。樣品將于今年第二季度推出市場，大批量的生產(chǎn)將于第四季度開始。在這之前，東芝將在本月開始推出 8GB 樣品，并將于第三季度開始大規(guī)模生產(chǎn)。　　
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nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行，如果目標區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細 ]