nand flash 文章進(jìn)入nand flash技術(shù)社區(qū)

報(bào)告:9月全球微芯片銷售收入同比增長(zhǎng)5.9%

　　據(jù)美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)周一稱，在PC和手機(jī)等消費(fèi)電子產(chǎn)品需求的推動(dòng)下，今年9月份全球微芯片銷售收入增長(zhǎng)了5.9%。　　9月份全球微芯片銷售收入從去年同期的213億美元增長(zhǎng)到了226億美元。今年第三季度全球微芯片銷售收入增長(zhǎng)6%，從去年同期的640億美元提高到了678億美元。　　SIA總裁GeorgeScalise在聲明中稱，第三季度的全球銷售比今年第二季度增長(zhǎng)了13.2%反映了為圣誕節(jié)假日銷售準(zhǔn)備產(chǎn)品的傳統(tǒng)模式已經(jīng)開始。　　消費(fèi)電子產(chǎn)品的需求非常強(qiáng)勁。第三季度用于傳統(tǒng)消費(fèi)電子產(chǎn)品的
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NAND和NOR flash詳解

NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu)，強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級(jí)。但是經(jīng)過了十多年之后，仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。　　相“flash存儲(chǔ)器”經(jīng)常可以與相“NOR存儲(chǔ)器”互換使用。許多業(yè)內(nèi)人
關(guān)鍵字： NAND NOR flash 集成電路存儲(chǔ)器

各類器件增長(zhǎng)強(qiáng)勁出貨量增長(zhǎng)率預(yù)測(cè)調(diào)高

　　據(jù)市場(chǎng)調(diào)研公司ICInsights，2007年IC單位出貨量有望增長(zhǎng)10%。該公司先前的預(yù)測(cè)是增長(zhǎng)8%。　　ICInsights將調(diào)高增長(zhǎng)率預(yù)測(cè)歸因于以下器件的出貨量強(qiáng)勁增長(zhǎng)：DRAM(上升49%)、NAND閃存(上升38%)、接口IC(增長(zhǎng)60%)、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換IC(上升58%)和汽車相關(guān)的模擬IC(上升32%)。　　ICInsights表示，如果2007年IC單位出貨量增長(zhǎng)率達(dá)到10%或者更高水平，將是連續(xù)第六年以兩位數(shù)的速度增長(zhǎng)，創(chuàng)下前所未有的強(qiáng)勁增長(zhǎng)紀(jì)錄。　　ICInsights認(rèn)為，
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) IC 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換 NAND 模擬IC

報(bào)告稱：07年全球集成電路出貨量將增長(zhǎng)10%

　　10月21日消息，據(jù)外電報(bào)道，市場(chǎng)研究公司ICInsights將2007年全球集成電路(IC)出貨量增長(zhǎng)率從原來的8%提高到了10%。　　這家研究公司把2007年全球集成電路出貨量的增長(zhǎng)歸功于一些集成電路產(chǎn)品出貨量的強(qiáng)勁增長(zhǎng)，如DRAM內(nèi)存出貨量增長(zhǎng)49%，NAND閃存出貨量增長(zhǎng)38%，接口集成電路出貨量增長(zhǎng)60%，數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換集成電路出貨量增長(zhǎng)58%，汽車模擬集成電路出貨量增長(zhǎng)32%。　　ICInsights稱，如果2007年全球集成電路出貨量增長(zhǎng)率達(dá)到10%或者更高，這將是連續(xù)第六年的兩位增長(zhǎng)
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DRAM現(xiàn)貨市場(chǎng)持續(xù)走弱合約市場(chǎng)交易冷清

　　現(xiàn)貨市場(chǎng)DDR2價(jià)格方面持續(xù)走弱;而DDR則因供應(yīng)不足價(jià)格緩步盤堅(jiān)。DDR2512MbeTT跌至1美元左右的新低價(jià)之后，暫時(shí)止跌并微幅反彈，在1.02至1.05美元震蕩，以1.03美元做收，跌幅為5.5%;DDR2512Mb667MHz則滑落至1.35美元，下跌2.9%。在DDR1市場(chǎng)方面，由于現(xiàn)貨市場(chǎng)供給數(shù)量仍舊不足，上周也曾出現(xiàn)缺貨狀況，價(jià)格持續(xù)小幅上揚(yáng)，DDR512Mb400MHz以2.66美元做收，上漲5.6%。　　十月份合約市場(chǎng)相當(dāng)清淡，OEM拿貨意愿低落，部分廠商甚至認(rèn)為，倘若預(yù)期十一
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基于EDMA的TMS320C6713片外Flash自舉引導(dǎo)

著重描述了引導(dǎo)引腳以及相關(guān)寄存器的設(shè)置，分析了采用EDMA傳輸方式將代碼從Flash復(fù)制到DSP的過程，并對(duì)引導(dǎo)程序給出基于匯編語言的代碼實(shí)現(xiàn)。
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NAND閃存價(jià)格反彈帶動(dòng)八月芯片銷售增長(zhǎng)

根據(jù)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)SIA報(bào)告，2007年8月全球芯片銷售三月平均值達(dá)到215.2億美元，比2006年同期數(shù)字猛升4.9%。8月份銷售增長(zhǎng)超過分析師預(yù)測(cè)，比2007年7月的三月平均銷售額206.1億美元增長(zhǎng)4.5%。 SIA表示，增長(zhǎng)歸因于NAND閃存供應(yīng)減少導(dǎo)致平均銷售價(jià)格反彈。8月份NAND閃存銷售價(jià)格比7月增長(zhǎng)19%，與2006年8月相比增長(zhǎng)48%。 SIA總裁GeorgeScalise表示，“8月份，正常的季節(jié)性增長(zhǎng)帶來全球半導(dǎo)體銷售連續(xù)健
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單片機(jī)的FLASH引導(dǎo)裝載系統(tǒng)設(shè)計(jì)

前言DSP系統(tǒng)的引導(dǎo)裝載是指在系統(tǒng)加電時(shí)，由DSP將一段存儲(chǔ)在外部非易失性存儲(chǔ)器中的代碼移植到內(nèi)部高速存儲(chǔ)器單元并執(zhí)行的過程。這種方式即可利用外部存儲(chǔ)單元擴(kuò)展DSP本身有限的ROM資源，又能充分發(fā)揮DSP內(nèi)部資源的高速效能。因此，引導(dǎo)裝載系統(tǒng)的性能直接關(guān)系到整個(gè)DSP系統(tǒng)的可靠性和處理速度，是DSP系統(tǒng)設(shè)計(jì)中必不可少的重要環(huán)節(jié)。在裝載系統(tǒng)中，外部非易失性存儲(chǔ)器和DSP的性能尤為重要。FLASH是一種高密度、非易失性的電可擦寫存儲(chǔ)器，而且單位存儲(chǔ)比特的價(jià)格比傳統(tǒng)EPROM要低。為此，本文介紹了TMS320C
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) FLASH 裝載系統(tǒng) DSP 單板計(jì)算機(jī)

NAND閃存價(jià)格走好東芝晶圓廠產(chǎn)能滿載利潤(rùn)大漲

Jefferies Japan高級(jí)分析員David Motozo Rubenstein日前透露，東芝(Toshiba)公司NAND閃存晶圓廠的產(chǎn)能利用率已經(jīng)處于最高位。事實(shí)上，東芝公司的業(yè)務(wù)表現(xiàn)正在發(fā)生變化。David表示，“東芝認(rèn)為供需形勢(shì)處于有利狀況，由于晶圓廠產(chǎn)能利用率達(dá)到100%，公司不得不回絕了25%的訂單?！?還有更好的消息。NAND閃存“2006年平均售價(jià)下降70%，東芝曾經(jīng)預(yù)計(jì)2007年更進(jìn)一步下滑50%，但是到目前為止，價(jià)格還高于預(yù)計(jì)之上?！?價(jià)格已經(jīng)觸底
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C8051F的超大容量Flash存儲(chǔ)器擴(kuò)展

　　摘要：NAND結(jié)構(gòu)Flash數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器件是超大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的理想選擇，當(dāng)前被廣泛應(yīng)用于U盤、MP3和數(shù)碼相機(jī)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。本文對(duì)該類型Flash的基本操作進(jìn)行研究并對(duì)實(shí)際應(yīng)用系統(tǒng)給予驗(yàn)證，揭示了NAND結(jié)構(gòu)Flash的操作規(guī)律。關(guān)鍵詞：NAND Flash 數(shù)據(jù)存儲(chǔ) C8051F 引言　　大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)是單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)的瓶頸，受到容量、功耗、尋址方式的約束。突破容量限制，可以很大程度上擴(kuò)展和提高應(yīng)用系統(tǒng)的總體功能。Sumsung公司的NAND結(jié)構(gòu)Fla
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TMS320C6713的FLASH引導(dǎo)裝載系統(tǒng)設(shè)計(jì)

前言 DSP系統(tǒng)的引導(dǎo)裝載是指在系統(tǒng)加電時(shí)，由DSP將一段存儲(chǔ)在外部非易失性存儲(chǔ)器中的代碼移植到內(nèi)部高速存儲(chǔ)器單元并執(zhí)行的過程。這種方式即可利用外部存儲(chǔ)單元擴(kuò)展DSP本身有限的ROM資源，又能充分發(fā)揮DSP內(nèi)部資源的高速效能。因此，引導(dǎo)裝載系統(tǒng)的性能直接關(guān)系到整個(gè)DSP系統(tǒng)的可靠性和處理速度，是DSP系統(tǒng)設(shè)計(jì)中必不可少的重要環(huán)節(jié)。在裝載系統(tǒng)中，外部非易失性存儲(chǔ)器和DSP的性能尤為重要。FLASH是一種高密度、非易失性的電可擦寫存儲(chǔ)器，而且單位存儲(chǔ)比特的價(jià)格比傳統(tǒng)EPROM要低。為此，本文介紹了TMS320
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NAND閃存合同價(jià)格自六月以來首次下跌

九月，NAND閃存芯片合約價(jià)格自六月以來首次下跌，較早前已堆積的存貨將使內(nèi)存制造商經(jīng)歷庫存增加壓力。　　根據(jù)內(nèi)存市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange最新調(diào)查顯示，多層單元(MLC)NAND閃存的價(jià)格在9月上旬下降10%以上，而單層單元閃存(SLC)的價(jià)格則相對(duì)穩(wěn)定。唯一主流NAND閃存即2Gb單層單元閃存可望價(jià)格有所回升。　　據(jù)臺(tái)灣內(nèi)存消息人士指出，韓國(guó)三星電子8月震驚業(yè)內(nèi)，使得激烈價(jià)格上升。需求被昂貴的價(jià)格壓抑，反映在現(xiàn)貨市場(chǎng)價(jià)格疲弱。　　雖然許多內(nèi)存庫存商8月期間已經(jīng)減少其采購，最新的報(bào)價(jià)仍然加
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三星等涉嫌操控NAND閃存價(jià)格被起訴

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，三星電子和東芝等24家企業(yè)日前因涉嫌操縱NAND閃存價(jià)格而遇到集體訴訟。　　據(jù)悉，被起訴的24家廠商包括雷克沙（Lexa）、日立美國(guó)公司、日立公司、日立電子設(shè)備美國(guó)公司、Hynix美國(guó)公司、Hynix半導(dǎo)體、美光（Micron）科技、美光半導(dǎo)體產(chǎn)品部公司、三菱公司、三菱電子美國(guó)公司；　　Mosel Vitelic、Renesas科技、Renesas科技美國(guó)公司、SanDisk、三星半導(dǎo)體、三星電子、意法半導(dǎo)體、東芝、東芝美國(guó)公司、東芝美國(guó)電子部件公司、
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51內(nèi)核8位單片機(jī)MAX7651的開發(fā)環(huán)境

　　摘要：介紹一種基于四時(shí)鐘周期、高速8051內(nèi)核的混合信號(hào)8位單片機(jī)MAX7651。探討在開發(fā)基于MAX7651的應(yīng)用系統(tǒng)時(shí)所面臨的問題，并推薦相應(yīng)的解決方案。關(guān)鍵詞：MAX7651 AT89LV55 8XC51RA/RB/RC ALL-07 Flash 四時(shí)鐘周期　　在全球8位單片機(jī)領(lǐng)域，英特爾（Intel）生產(chǎn)的MCS-51系列是毋庸質(zhì)疑的領(lǐng)導(dǎo)者。借助英特爾廣泛的授權(quán)行為，基于8051內(nèi)核的8位單片機(jī)兼容產(chǎn)品早已根深葉茂。Dallas Semicondu
關(guān)鍵字： MAX7651 AT89LV55 8XC51RA/RB/RC ALL-07 Flash 四時(shí)鐘周期 MCU和嵌入式微處理器

基于NOR FLASH存儲(chǔ)器的嵌入式文件系統(tǒng)的設(shè)計(jì)

本文中，我們將以嵌入式操作系統(tǒng)WINCE為背景，來討論嵌入式手持移動(dòng)終端中文件系統(tǒng)的實(shí)現(xiàn)。
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nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]