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            EEPW首頁 >> 主題列表 >> nand flash

            三星和海力士獲得蘋果7000萬NAND大單

            •   4月15日消息 據(jù)韓國媒體報道 蘋果最近向韓國三星電子與海力士兩家公司下單,要求供應7000萬顆NAND型閃存芯片,用于生產iPhone和iPod。此次訂單較去年大漲了八成,引發(fā)蘋果可能推出新一代iPhone的聯(lián)想   韓國時報指出,有可靠的消息來源透露“三星電子被要求供應5000萬顆8Gb的NAND型閃存芯片給蘋果,而海力士也將供應2000萬顆。”   部分分析師認為,蘋果這次大規(guī)模訂單,將刺激韓國芯片廠商業(yè)績,同時,也有助于全球芯片產業(yè)早日復蘇。   分析師還指出,N
            • 關鍵字: 三星  NAND  芯片  

            三維NAND內存技術將讓固態(tài)存儲看到希望

            •   IBM的技術專家Geoff Burr曾說過,如果數(shù)據(jù)中心的占地空間象足球場那么大,而且還要配備自己的發(fā)電廠的話,那將是每一位首席信息官最害怕的噩夢。然而,如果首席信息官們現(xiàn)在不定好計劃將他們的數(shù)據(jù)中心遷移到固態(tài)技術平臺的話,那么10年以后他們就會陷入那樣的噩夢之中。   這并非危言聳聽,過去的解決方案現(xiàn)在已經(jīng)顯露出存儲性能和容量不足的現(xiàn)象,這就是最好的證明。以前,如果需要更多的性能或容量,企業(yè)只需在數(shù)據(jù)中心添加更多的傳統(tǒng)硬盤就可以了,而且那樣做也很方便。現(xiàn)在,Geoff Burr在2008年發(fā)表的一
            • 關鍵字: IBM  NAND  固態(tài)存儲  

            Flash Memory作為數(shù)據(jù)存儲器在E5中的應用

            • 1. E5的特點及體系結構
              E5是位于美國硅谷的公司Triscend 推出的一款全新的CPU,它是基于8051的內核,但將微處理器的內核,ASCI及可重構邏輯陣列集成與一體,構成一款CSOC(可配置系統(tǒng))芯片。Triscend E5的主要特點
            • 關鍵字: E5  應用  存儲器  數(shù)據(jù)  Memory  作為  Flash  Triscend E5  閃存  映射  

            FSI國際宣布將ViPR?全濕法去除技術擴展到NAND存儲器制造

            •   美國明尼阿波利斯(2009年3月24日)——全球領先的半導體制造晶圓加工、清洗和表面處理設備供應商FSI國際有限公司(納斯達克:FSII)今日宣布:一家主要的存儲器制造商將FSI 帶有獨特ViPR?全濕法無灰化清洗技術的ZETA?清洗系統(tǒng)擴展到NAND閃存生產中。許多器件制造商對采用FSI的ZETA ViPR技術在自對準多晶硅化物形成過程所帶來的益處非常了解。該IC制造商就這一機臺在先進的NAND制造中可免除灰化引發(fā)損害的全濕法光刻膠去除能力進行了評估??蛻?/li>
            • 關鍵字: FSI  NAND  存儲器  

            FSI國際宣布將ViPR全濕法去除技術擴展到NAND存儲器制造

            •   全球領先的半導體制造晶圓加工、清洗和表面處理設備供應商FSI國際有限公司(納斯達克:FSII)日前宣布:一家主要的存儲器制造商將FSI 帶有獨特ViPR全濕法無灰化清洗技術的ZETA清洗系統(tǒng)擴展到NAND閃存生產中。許多器件制造商對采用FSI的ZETA ViPR技術在自對準多晶硅化物形成過程所帶來的益處非常了解。該IC制造商就這一機臺在先進的NAND制造中可免除灰化引發(fā)損害的全濕法光刻膠去除能力進行了評估??蛻魧χ圃爝^程中無灰化光刻膠剝離法、實現(xiàn)用一步工藝替代灰化-清洗兩步工藝的機臺能力給予肯定。除了
            • 關鍵字: FSI  半導體  NAND  

            業(yè)界稱Windows 7將推動NAND閃存芯片需求

            • 3月21日消息,內存廠商預計Windows 7的將推動NAND閃存芯片的需求,因為這種新的操作系統(tǒng)為利用固態(tài)硬盤進行了優(yōu)化。在當前的市場不確定的情況下,優(yōu)化固態(tài)硬盤以便適應Windows 7已經(jīng)成為固態(tài)硬盤廠商和筆記本電腦廠商的重點。
            • 關鍵字: 閃存  NAND  芯片  

            NAND多空未明 市場仍在觀望

            •         集邦科技(DRAMeXchange)表示,2月下旬NAND Flash(閃存)合約價格呈現(xiàn)上揚,現(xiàn)貨價格方面卻已經(jīng)開始下跌;然而,目前現(xiàn)貨市場仍處于多空未明狀態(tài),觀望氣氛濃厚,買家不敢貿然搶進。         集邦表示,2月下旬主流MLC NAND Flash合約均價約上漲8%到36%,SLC合約價則維持平盤,價格上漲的主要原因是今年首季國際大
            • 關鍵字: 集邦  NAND  Flash  

            DRAMeXchange:2009年NAND flash產能預計將減小59%

            •         據(jù)EE Times網(wǎng)站報道,市場研究公司DRAMeXchange的分析顯示,全球NAND flash產能繼2008年減少近28%之后,2009年將再降59%。         2009年NAND flash位增長幅度將較2008大64%,而2007年位增長率高達133%。如果需求在下半年恢復且供應商控制其產出增長,那供應過剩的局面可能得到改善,NAN
            • 關鍵字: DRAMeXchange  flash  

            三星NAND產業(yè)市場占有率40%

            •    市調機構DRAMeXchange指出,2008年NAND Flash品牌廠商公布去年第四季暨全年營收排名出爐,SAMSUNG以46億1千4百萬美元,市占率為40.4%,蟬聯(lián)第一寶座 觀察2007年與2008年NAND Flash品牌市場變化,2007年品牌廠商全年營收約為133億6千8百萬美元,2008年則為114億1千8百萬美元,年營收下跌14.6%,2008年平均銷售價格較2007年下跌63%。   Toshiba以全年營收為32億5百萬美元,市占率28.1%排名居次,比2007年的
            • 關鍵字: 三星  NAND  

            Adobe與蘋果聯(lián)手開發(fā)iPhone版Flash軟件

            •   日前,Adobe CEO山塔努·納拉延(Shantanu Narayen)在出席達沃斯世界經(jīng)濟論壇時表示,將與蘋果合作研發(fā)iPhone手機的Flash軟件。   據(jù)國外媒體報道,納拉延認為與蘋果的合作是一項高難度的技術挑戰(zhàn),這需要雙方的協(xié)作。納拉延對目前雙方所取得的工作進展表示非常滿意。   去年3月份,蘋果創(chuàng)始人史蒂夫·喬布斯(Steve Jobs)曾表示,因為電腦版Flash軟件占用資源過大,iPhone的處理器和內存無法適應。而
            • 關鍵字: Adobe  iPhone  Flash  

            嵌入式操作系統(tǒng)自更新機制的設計與應用

            • 引言隨著嵌入式系統(tǒng)的發(fā)展和廣泛應用,必不可少的維護工作變得日益繁重。如移動電話在用戶使用過程中,部...
            • 關鍵字: 嵌入式系統(tǒng)  自更新機制  進程  Flash  

            2008年存儲市場忽上忽下,令人難忘

            •   2008年對于全球存儲產業(yè)來說是一個重要階段,發(fā)生了幾件改變市場的大事: ? 一種高清DVD格式落敗,而另一種格式則成為產業(yè)標準。 ? 固態(tài)存儲作為硬盤的替代品,地位繼續(xù)上升 ? 年末經(jīng)濟滑坡破壞了整體科技產業(yè)的前景 HD-DVD之死   一年以前,緊接著2008年1月的國際消費電子展會(CES),華納兄弟作出了令業(yè)內震驚的聲明,表示將放棄原來以HD DVD高清DVD格式發(fā)行其內容的計劃,轉而完全采用藍光標準。   HD DVD陣營為此遭到當頭一棒,領頭者東芝也不再支持該格
            • 關鍵字: 存儲  HDD  SSD  flash  

            基于JTAG的DSP外部FLASH在線編程與引導技術

            • 在以DSP為核心的數(shù)字信號處理系統(tǒng)中,通常將可執(zhí)行代碼存放在非易失性存儲器,在系統(tǒng)加電或復位時通過DSP的引導...
            • 關鍵字: JTAG  FLASH  在線編程  引導  

            解密16G MLC NAND閃存表象下的技術細節(jié)

            • 2006年初,美光科技公司與英特爾公司的合作企業(yè)IMFlashTechnologies公司(IMFT)在市場上閃亮登場。通過整合I...
            • 關鍵字: NAND  閃存  技術細節(jié)  位密度  多晶硅  

            系統(tǒng)斷電時FPGA數(shù)據(jù)保護方法

            • 從消費電子設備到工業(yè)控制設備,越來越多的系統(tǒng)都在使用FPGA。這些應用通常需要設備在斷電時存儲一些數(shù)據(jù),比如...
            • 關鍵字: 斷電  存儲  FPGA  RAM  TAG  FLASH  
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            nand flash介紹

             Nand-flash內存是flash內存的-種,其內部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量內存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大,改寫速度快,適用于大量數(shù)據(jù)的存儲,因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用,如嵌入式產品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。   NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行,如果目標區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細 ]

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