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三星與SanDisk續(xù)簽7年NAND專利許可協(xié)議

　　據(jù)國外媒體報道，三星電子周三宣布，以更低的許可價格，與美國芯片生產商SanDisk續(xù)簽了7年的NAND閃存技術許可協(xié)議，不過協(xié)議規(guī)定三星必須向SanDisk供應芯片。　　三星在提交給韓國證交所的文件中稱，由于協(xié)議是2家公司內部簽署的，無法透露所有信息，但可以透露的是，許可費將是當前協(xié)議的1半左右。SanDisk公司董事長和CEO埃里·哈拉利(Eli Harari)表示，對于今天宣布的協(xié)議我們感到非常滿意，此外，繼續(xù)獲得三星閃存芯片可使我們在控制資本支出上擁有更大的靈活性。　　新協(xié)
關鍵字：三星 NAND 閃存

Unity可能與IM Flash合作制造RRAM

　　近期剛宣布將在2010年制成64Gbit非易失電阻式RAM的美國Unity Semiconductor公司計劃找一家IDM合作建廠來制造該產品。　　Intel和Micron的NAND閃存合資公司——IM Flash是潛在合作伙伴之一，盡管Unity更傾向于將工廠建在亞洲，因為該存儲產品需用到鈣鈦礦。　　據(jù)悉，建該工廠和一座先進邏輯晶圓廠相比要便宜一些。IM Flash顯然是一家理想的合作伙伴。Unity公司總裁兼CEO Darrel Rinerson在Micron度過了
關鍵字： Intel NAND 晶圓

NAND Flash買氣急凍　通路庫存塞車

　　NAND Flash經歷2個月價格狂飆后，近期市場買氣一夕轉淡，記憶體模組廠紛因庫存急增，開始出現(xiàn)驚慌失措。模組廠表示，3、4月NAND Flash漲價時，通路商一度擔心會缺貨，因而囤積不少庫存，然5月NAND Flash市場卻出乎意外地很快冷卻下來，由于消費者需求不振，導致中間通路商手上庫存整個塞住，并造成16Gb產品現(xiàn)貨價跌破4美元心理關卡，合約價漲勢亦熄火，模組廠5月同時面臨NAND Flash和DRAM需求不振，恐將反應在營收表現(xiàn)上。　　模組廠表示，2009年第1季NAND Flash市場
關鍵字：蘋果 DRAM NAND

美硅谷公司開發(fā)出數(shù)據(jù)存儲新技術有望取代NAND閃存

　　美國硅谷一家公司19日宣布開發(fā)出一種新技術，并計劃利用它來制造比閃存容量更大、讀寫速度更快的新型存儲器。　　這家名為“統(tǒng)一半導體”的公司發(fā)布新聞公報說，新型存儲器的單位存儲密度有望達到現(xiàn)有NAND型閃存芯片的4倍，存儲數(shù)據(jù)的速度有可能達到后者的5倍到10倍。　　NAND型閃存因為存儲容量大等特點，目前在數(shù)碼產品中應用比較廣泛。但也有一些專家認為，NAND型閃存未來可能遭遇物理極限，容量將無法再進一步提高。“統(tǒng)一半導體”表示，其制造的新型存儲器旨在
關鍵字：存儲器 NAND 閃存

三星預計今年全球芯片商仍將艱難度日

　　全球最大的存儲芯片制造商--韓國三星電子公司11日預計，由于全球經濟形勢惡化，2009年對于芯片商而言是艱難的一年。　　據(jù)道瓊斯新聞網(wǎng)報道，三星電子公司半導體業(yè)務總裁權五鉉當天對投資者說，很難預測全球芯片市場何時回暖。他說，隨著企業(yè)壓縮信息技術產品開支以及消費者收緊“腰包”，今年以來全球個人電腦和手機市場需求正在持續(xù)萎縮。　　不過，他指出，今年三星公司的存儲芯片出貨量仍將繼續(xù)增加，預計今年該公司DRAM芯片的出貨量最高將增加15%，NAND閃存芯片出貨量最高將增加30%
關鍵字：三星 NAND 存儲芯片

為功耗敏感應用選擇最佳的低功耗、低成本FPGA

功耗敏感應用的設計人員如今面對前所未有嚴格的系統(tǒng)總體功耗限制、規(guī)范和標準。與此同時，這類應用所要求的功...
關鍵字： FPGA 低功耗 Flash

恒憶聯(lián)合群聯(lián)電子海力士開發(fā)閃存控制器

　　恒憶半導體(Numonyx)、群聯(lián)電子(Phison Electronics Corp.)和海力士(Hynix)今天宣布三家公司簽署一份合作開發(fā)協(xié)議，三方將按照JEDEC新發(fā)布的JEDEC eMMC™ 4.4產業(yè)標準，為下一代managed-NAND解決方案開發(fā)閃存控制器。預計此項合作將加快當前業(yè)內最先進的eMMC標準的推廣，有助于管理和簡化大容量存儲需求，提高無線設備和嵌入式應用的整個系統(tǒng)級性能。　　根據(jù)這項協(xié)議，恒憶、群聯(lián)電子和海力士將利用各自的技術，開發(fā)能夠支持各種NAND閃存
關鍵字： Numonyx NAND 閃存控制器

內存行業(yè)或已觸底現(xiàn)貨漲價但復蘇道路漫長

　　《華爾街日報》撰文稱，從上周末三星和海力士發(fā)布的財報可以看出，內存芯片行業(yè)似乎已經觸底，這對整個半導體行業(yè)來說是一個積極的信號。　　雖然內存芯片行業(yè)收入只占全球半導體行業(yè)2600億美元總收入的14%，但作為使用廣泛的芯片，其地位類似芯片行業(yè)中的日用商品，很難與其他芯片部門區(qū)分開來，因此是芯片行業(yè)整體表現(xiàn)的主要指標。內存行業(yè)下滑開始于2007年初，隨后芯片行業(yè)在2008年就開始了全面衰退。　　上周五，兩家全球最大的內存芯片商三星電子和海力士都在發(fā)布第一季度報告時稱，與芯片有關的虧損低于上年同期。
關鍵字：海力士 NAND 內存

iSuppli：存儲芯片市場恢復盈利還為時過早

　　在面臨破產威脅之際，許多內存供應商為了維護自己的形象，紛紛強調潛在的市場復蘇，試圖向外界描繪出一幅比較樂觀的圖景。但是，雖然預計總體內存芯片價格將在2009年剩余時間內趨于穩(wěn)定，但iSuppli公司認為，這些廠商不會在近期真正恢復需求與獲利能力。繼　　在面臨破產威脅之際，許多內存供應商為了維護自己的形象，紛紛強調潛在的市場復蘇，試圖向外界描繪出一幅比較樂觀的圖景。但是，雖然預計總體內存芯片價格將在2009年剩余時間內趨于穩(wěn)定，但iSuppli公司認為，這些廠商不會在近期真正恢復需求與獲利能力。
關鍵字： NAND 存儲芯片

TDK推出兼容串行ATA II的GBDriver RS2系列NAND閃存控制器

　　TDK公司日前宣布開發(fā)出兼容串行ATA (SATA) II的NAND閃存控制器芯片GBDriver RS2 系列，并計劃于五月份開始銷售。　　TDK新型GBDriver RS2是一款高速SATA控制器芯片，支持有效速率達95MB/S的高速訪問。該產品支持2KB/頁和4KB/頁結構的SLC(單層單元)內存以及MLC(多層單元)NAND閃存，可用于制造容量為128MB至64GB的高速SATA存儲。因而，GBDriver RS2可廣泛用于各種應用領域，從SATADOM1及其他的嵌入式存儲器，到視聽設
關鍵字： TDK NAND

內存晴雨表：聲稱內存市場復蘇的報告過于夸張

　　在面臨破產威脅之際，許多內存供應商為了維護自己的形象，紛紛強調潛在的市場復蘇，試圖向外界描繪出一幅比較樂觀的圖景。但是，雖然預計總體內存芯片價格將在2009年剩余時間內趨于穩(wěn)定，但iSuppli公司認為，這些廠商不會在近期真正恢復需求與獲利能力。　　繼第一季度全球DRAM與NAND閃存營業(yè)收入比去年第四季度下降14.3%之后，這些產品市場將在今年剩余時間內增長。第二季度DRAM與NAND閃存營業(yè)收入合計將增長3.6%，第三和第四季度分別增長21.9%和17.5%。　　圖4所示為iSuppli公
關鍵字： iSuppli NAND DRAM

自動圖像報警系統(tǒng)研究及單片機實現(xiàn)

報警系統(tǒng)廣泛應用于銀行、飯店、交通管理以及智能大廈等場所和領域。傳統(tǒng)的自動報警裝置，大多采用單點信號報警，即在某一特定位置安放傳感器，當該采集點處的物理量達到報警門限時，就向中心控制計算機發(fā)出報警請求
關鍵字：單片機實現(xiàn) 研究報警系統(tǒng) 圖像自動圖像報警 RISC FLASH CPLD 自適應單片機

瑞薩推出SH7216系列32-位片上Flash存儲器MCU

　　瑞薩科技公司（以下簡稱“瑞薩”）于2009年4月7日宣布推出SH7216系列32-位片上Flash存儲器微控制器（Flash微控制器）。這個系列是32位SuperH™ RISC系列*1的新成員，它為AC伺服、FA（工廠自動化）設備、樓宇自動化（空調和電力監(jiān)控設備）和各種通信設備等工業(yè)應用實現(xiàn)了200 MHz操作和大量內置式外設及通信功能。SH7216系列包含12個產品群的36款器件，其片上存儲器容量和封裝類型各有不同。這些產品的主要特性如下： (1) 達到
關鍵字：瑞薩 RISC 32MCU Flash SuperH

集邦：海力士大幅減產NAND 將由第三位滑落至第五位

　　針對NAND閃存產業(yè)，研究機構集邦科技最新研究報告指出，三星可望穩(wěn)居今年全球市占率龍頭寶座，而海力士則因大幅減產，市場占有率恐將下滑剩下10%，落居第5名。　　集邦科技根據(jù)各NAND Flash供貨商目前的制程技術、產能、營運狀況分析指出，三星因擁有較大產能，同時制程持續(xù)轉往42納米及3x納米，預期今年市占率 40%以上居冠，日本東芝與美商SanDisk聯(lián)盟的產能利用率略降，但制程技術也將轉往 43納米及32納米，預期東芝今年的市場占有率約在30%以上居次。　　集邦科技表示，市場占有率第三和第
關鍵字：海力士 NAND 晶圓

易用性是FPGA在更多領域獲得成功的關鍵

以提供多種基于Flash和反熔絲技術的低功耗、高可靠性單芯片F(xiàn)PGA而著稱的Actel公司，在全球經濟出現(xiàn)下滑的2008...
關鍵字： FPGA Flash LCD

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nand flash介紹

　Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行，如果目標區(qū)域已經有數(shù) [ 查看詳細 ]