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Vishay Siliconix發(fā)布新款E系列MOSFET器件
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET---E系列器件。新產(chǎn)品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低最大導(dǎo)通電阻，以及22A～47A的額定電流范圍。E系列MOSFET基于Vishay的下一代Super Junction技術(shù)，具有超低柵極電荷，以及較低柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積，該乘積是衡量用在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的MOSFET的重要優(yōu)值系數(shù)。 ? 與前一代S系列器件相比，新的
- 關(guān)鍵字： Vishay Siliconix MOSFET
滿足開(kāi)關(guān)電源要求的功率MOSFET
- 近年來(lái)，電源的輸出電壓越來(lái)越低、輸出電流越來(lái)越大（某些電源系統(tǒng)輸出幾十安培到上百安培）。因此，電源設(shè)計(jì)中采用...
- 關(guān)鍵字： 開(kāi)關(guān)電源 MOSFET
只用兩只MOSFET的雙線圈繼電器驅(qū)動(dòng)器
- 閉鎖繼電器在給線圈一個(gè)短電壓脈沖時(shí)，會(huì)改變自己的狀態(tài)。由于這些繼電器不需要連續(xù)的線圈電流來(lái)保持狀態(tài)...
- 關(guān)鍵字： MOSFET 繼電器 驅(qū)動(dòng)器
基于TLE6210和L9349設(shè)計(jì)的ABS驅(qū)動(dòng)電路
- ABS作為如今汽車(chē)上必備的安全電子設(shè)備，其功能越來(lái)越受到人們的重視。ABS系統(tǒng)通過(guò)電磁閥和回油泵來(lái)完成對(duì)...
- 關(guān)鍵字： 驅(qū)動(dòng)電路 ABSTLE6210 MOSFET
兩種常見(jiàn)的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)
- 由分立器件組成的驅(qū)動(dòng)電路((如圖所示)，驅(qū)動(dòng)電路工作原理如下： A.當(dāng)HS為高電平時(shí)，Q7、Q4導(dǎo)通，Q6關(guān)閉，電容C4上的電壓(約14V)經(jīng)過(guò)Q4、D3、R6加到Q5的柵極，使Q5導(dǎo)通。在導(dǎo)通期間，Q5的源極電壓(Phase)接近電源電
- 關(guān)鍵字： 電路設(shè)計(jì) 驅(qū)動(dòng) MOSFET 常見(jiàn)
Power Integrations推出HiperLCS系列高壓LLC電源IC
- 美國(guó)加利福尼亞州圣何塞，2011年9月14日訊 – 用于高能效功率轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司（納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI）今日推出全新的HiperLCS系列高壓LLC電源IC，新器件將控制器、高壓端和低壓端驅(qū)動(dòng)器以及兩個(gè)MOSFET同時(shí)集成到了一個(gè)低成本封裝中。高度集成的HiperLCS IC具有出色的設(shè)計(jì)靈活性，既可提升效率（最高效率可超過(guò)97%），又可縮小尺寸，即利用高頻工作（最高達(dá)750 kHz）來(lái)減小變壓器的尺寸和輸出電容的占板面積。
- 關(guān)鍵字： Power Integrations MOSFET HiperLCS器件
電動(dòng)自行車(chē)控制器MOSFET驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)
- 電動(dòng)自行車(chē)具有環(huán)保節(jié)能，價(jià)格合適，無(wú)噪聲，便利等特點(diǎn)，因此，電動(dòng)自行車(chē)成為當(dāng)今社會(huì)人們主要的代步工具。與此同時(shí)，消費(fèi)者和商家對(duì)整車(chē)的質(zhì)量及可靠性要求也越來(lái)越高。作為整車(chē)四大件之一的控制器的可靠性顯得尤
- 關(guān)鍵字： 電路 設(shè)計(jì) 驅(qū)動(dòng) MOSFET 自行車(chē) 控制器 電動(dòng)
高精度MOSFET設(shè)計(jì)技巧
- 隨著個(gè)人計(jì)算機(jī)行業(yè)向著工作電流為200A的1V核心電壓推進(jìn)，為了滿足那些需求，并為該市場(chǎng)提供量身定制新型器件所需要的方法，半導(dǎo)體行業(yè)正遭受著巨大的壓力。過(guò)去，MOSFET設(shè)計(jì)工程師只要逐漸完善其性能就能滿足市場(chǎng)的
- 關(guān)鍵字： MOSFET 高精度 設(shè)計(jì)技巧
IR推出新系列40V至200V車(chē)用MOSFET
- 全新溝道 HEXFET 功率 MOSFET 系列采用多款表面貼裝器件 (SMD) 封裝，電壓范圍從 40V 至 200V。標(biāo)準(zhǔn)和邏輯電平柵級(jí)驅(qū)動(dòng) MOSFET 都為 IR 車(chē)用塑料封裝 MOSFET 產(chǎn)品系列設(shè)定了導(dǎo)通電阻性能新標(biāo)準(zhǔn)。基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻在 40V 下最大為 1.25 毫歐，60V 下最大為2.1 毫歐，75V 下為 2.6 毫歐，100V 下為 4.0 毫歐。在 D2Pak-7P 封裝中許多器件的最大額定電流達(dá) 240A。
- 關(guān)鍵字： IR MOSFET
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