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IR推出100V集成MOSFET解決方案
- 為PoE應(yīng)用節(jié)省80%的占位空間 國(guó)際整流器公司近日推出IRF4000型100V器件。該器件將4個(gè)HEXFET MOSFET集成在一個(gè)功率MLP封裝內(nèi)，可滿足以太網(wǎng)供電（Power-over-Ethernet，簡(jiǎn)稱PoE）應(yīng)用的需求。這款新器件符合針對(duì)網(wǎng)絡(luò)和通信基礎(chǔ)設(shè)施系統(tǒng)的IEEE802.3af標(biāo)準(zhǔn)，例如以太網(wǎng)交換器、路由器和集線器等，可提供每端口15W的功率，并能取代4個(gè)獨(dú)立SOT-223封裝的MOSFET。其減少的占位面積相當(dāng)于節(jié)省了80%的空間，或相當(dāng)于典型48端口電路板中3
- 關(guān)鍵字： IR MOSFET 解決方案
MOSFET的開(kāi)關(guān)速度將決定未來(lái)POL電源的性能
- 一個(gè)采用DirectFET MOSFET并基于四相同步整流器的VRM能夠于高達(dá)2MHz/相位下工作，并提供120A電流，且滿足負(fù)載點(diǎn)電源的瞬態(tài)響應(yīng)要求。 與十年之前以單元密度和導(dǎo)通電阻作為器件設(shè)計(jì)的主要考慮因素相比，功率MOSFET技術(shù)在發(fā)展方向上正經(jīng)歷著一場(chǎng)重大的變革。如今，并在可以預(yù)見(jiàn)的未來(lái)，開(kāi)關(guān)速度正在逐步成為負(fù)載點(diǎn)（POL）電源應(yīng)用的決定性因素。對(duì)于工作電壓為1V或以下且對(duì)時(shí)鐘速度和電流需求更高的下一代微處理器而言，開(kāi)關(guān)速度是滿足其供電要求的關(guān)鍵因素。電源的性能將取決于功率MOSFET
- 關(guān)鍵字： MOSFET 模擬IC 電源
LCD Driver IC 測(cè)試方法及其對(duì)測(cè)試系統(tǒng)提出的挑戰(zhàn)
- LCD Driver IC 測(cè)試方法及其對(duì)測(cè)試系統(tǒng)提出的挑戰(zhàn)(2) 假設(shè)被測(cè)的是256色、384 LCD輸出且具有Dot 翻轉(zhuǎn)功能的IC，那么由公式可得需要測(cè)試的電壓值個(gè)數(shù)為： 256（顏色深度）ｘ384（pin數(shù)）ｘ2(Dot 翻轉(zhuǎn)） ＝196,608 一般的DC測(cè)試部件的測(cè)試時(shí)間為幾到幾十個(gè)uS，由此可知測(cè)試時(shí)間將會(huì)比較長(zhǎng)。如果IC的色彩深度高一些的話（65535色），測(cè)試時(shí)間根本無(wú)法讓人接受，因此在進(jìn)行此類測(cè)試時(shí)需要使用數(shù)字采樣器（Dig
- 關(guān)鍵字： LCD Driver IC 液晶顯示 LCD
LCD Driver IC 測(cè)試方法及其對(duì)測(cè)試系統(tǒng)提出的挑戰(zhàn)
- LCD Driver IC 測(cè)試方法及其對(duì)測(cè)試系統(tǒng)提出的挑戰(zhàn)LCD顯示器件在中國(guó)已有二十多年的發(fā)展歷程，已經(jīng)從最初的以數(shù)字顯示為主轉(zhuǎn)變?yōu)橐渣c(diǎn)陣字符、圖形顯示為主。LCD顯示設(shè)備以其低電壓驅(qū)動(dòng)、微小功耗、能夠與CMOS電路和LSI直接匹配、具有極薄的扁平結(jié)構(gòu)、可以在極亮的環(huán)境光下使用、工藝簡(jiǎn)單等等特點(diǎn)成為了極有發(fā)展前景的顯示器件?！ CD顯示器件種類繁多、發(fā)展迅速，從種類到原理、從結(jié)構(gòu)到效應(yīng)、從使用方式到應(yīng)用范圍差異很大，從測(cè)試原理上來(lái)說(shuō)也就會(huì)有一些不同，目前比較常用的是STN和TFT的LCD顯示器件。由
- 關(guān)鍵字： LCD Driver IC 液晶顯示 LCD
新型IGBT/MOSFET驅(qū)動(dòng)模塊SKHI22A/B
- SKHI22A/B是德國(guó)西門康（SEMIKRON）公司推出的一種新型的IGBT/MOSFET的驅(qū)動(dòng)模塊。
- 關(guān)鍵字： SKHI22A/B 模塊 驅(qū)動(dòng) IGBT/MOSFET 新型
一種專為IGBT和MOSFET設(shè)計(jì)的驅(qū)動(dòng)器
- 介紹了一種專為IGBT和功率MOSFET設(shè)計(jì)的電力電子驅(qū)動(dòng)器件――SCALE集成驅(qū)動(dòng)器的性能特點(diǎn)和內(nèi)部結(jié)構(gòu) 。
- 關(guān)鍵字： 驅(qū)動(dòng)器 設(shè)計(jì) MOSFET IGBT 專為
基于SG3525A的太陽(yáng)能逆變電源設(shè)計(jì)
- 摘 要：本文主要介紹了SG3525A在研制太陽(yáng)能逆變電源中的應(yīng)用，其脈沖波形隨設(shè)計(jì)線路的不同而產(chǎn)生不同的結(jié)果，從而解決了隨機(jī)燒毀功率管的技術(shù)問(wèn)題。關(guān)鍵詞：SG3525A；逆變電源；MOSFET-90N10引言本文涉及的是光明工程中一個(gè)課題的具體技術(shù)問(wèn)題。該課題的基本原理是逆變器由直流蓄電池供電，用太陽(yáng)能為蓄電池充電，然后逆變電源輸出220V、50Hz的交流電供用戶使用。在研制過(guò)程中，有時(shí)隨機(jī)出現(xiàn)燒毀大功率管的現(xiàn)象，本文對(duì)這一現(xiàn)象給出了解決方案。圖1 SG35
- 關(guān)鍵字： MOSFET-90N10 SG3525A 逆變電源 模擬IC 電源
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