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Diodes OR'ing控制器提升不間斷電源可靠性
- Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出40V額定值的動態(tài)OR'ing控制器ZXGD3108N8，以提升電信系統(tǒng)、數(shù)據(jù)中心及服務器不間斷電源的可靠性。新產(chǎn)品旨在全面改善超低導通電阻功率MOSFET，從而替代耗能的肖特基 (Schottky) 阻斷二極管，有效降低工作溫度并加強不間斷電源系統(tǒng)的完整性。 新控制器通過以這種方式驅動MOSFET，同時提升標準12V和24V共軌系統(tǒng)的整體系統(tǒng)效率。與其它同類型器件相比，ZXGD3108N8提供最低的關斷電壓閾值。器件的電壓少于-
- 關鍵字： Diodes MOSFET ZXGD3108N8
聯(lián)電明年產(chǎn)能 搶購一空
- 8寸晶圓代工產(chǎn)能卡位戰(zhàn)提前啟動，法人指出，聯(lián)電8寸廠能已被指紋辨識芯片、LCD驅動IC，以及電源管理IC客戶搶購一空，明年將成為8寸晶圓代工大贏家。 過往8寸晶圓廠主要生產(chǎn)LCD驅動IC、電源管理芯片等產(chǎn)品，隨著蘋果新機導入指紋辨識芯片，非蘋陣營明年全面跟進，相關芯片廠也開始卡位8寸晶圓產(chǎn)能，造就市場榮景。 此外，原以6寸生產(chǎn)金屬化合物半導體場效晶體管(MOSFET)也為了提升競爭力，相繼轉入8寸廠生產(chǎn)，讓8寸晶圓廠產(chǎn)能更為吃緊。 包括指紋辨識芯片、LCD驅動IC及電源管理芯片三大半
- 關鍵字： 聯(lián)電 MOSFET LCD
易于符合 MIL-STD-1275D 要求的浪涌抑制器解決方案
- 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出符合 MIL-STD-1275D 要求的浪涌抑制器解決方案，并展示在評估電路板 DC2150A 上。MIL-STD-1275D 是美國國防部制定的標準，規(guī)定了地面軍用車輛所用 28V DC 電源的穩(wěn)態(tài)和瞬態(tài)電壓特性。當面對 MIL-STD-1275D 中嚴格規(guī)定的浪涌、尖峰和紋波波形時，DC2150A 可將輸出電壓限制到安全的 44V。就大多數(shù)應用而言，要滿足該標準就是簡單地將 DC2150A 電路放置到容限為 44V
- 關鍵字： 凌力爾特 DC2150A MOSFET
意法半導體(ST)的新650V超結MOSFET提升能效和安全系數(shù)
- 意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)的最新超結 (super-junction) 功率MOSFET滿足家電、低能源照明系統(tǒng)以及太陽能微逆變器廠商對電源能效的要求，同時提供更高可靠性的最新且滿足高功率密度的封裝。 MDmesh M2系列產(chǎn)品擁有最新最先進的超結晶體管技術，取得了比上一代產(chǎn)品更低的導通電阻 (RDS(ON))，以及更低的柵電荷量 (QGD) 和輸入/輸出電容 (Ciss/Coss)。此外，這些產(chǎn)品更進一步降低了能耗和熱耗散 (heat dissipation)
- 關鍵字： 意法半導體 MOSFET PowerFLAT
單相正弦波逆變電源
- 摘要：本系統(tǒng)實現(xiàn)輸入直流電壓15V，輸出交流電壓有效值10V，額定功率10W，交流電壓頻率在20至100Hz可步進調整。以MSP430單片機為控制核心，產(chǎn)生SPWM波控制全橋電路，然后經(jīng)過LC濾波電路得到失真度小于0.5%的正弦波。采用PID算法反饋控制使輸出交流電壓負載調整率低于1%，采用開關電源作為輔助電源、合理選用MOSFET等使系統(tǒng)效率達到90%，采用輸入電流前饋法來估計輸出電流以實現(xiàn)過流保護以及自恢復功能。 引言 本次競賽為全封閉式，不準利用網(wǎng)上資源，要求參賽隊在兩天時間內完成題
- 關鍵字： 正弦波 MSP430 單片機 SPWM MOSFET 201412
基于FAN7710V的新型高性能節(jié)能燈鎮(zhèn)流器電路設計
- 引言 在照明技術中，電子節(jié)能燈已經(jīng)日益成為人們的首選，因為其應用范圍廣，節(jié)能環(huán)保性能好，是政府和企業(yè)節(jié)能減排的重要舉措之一。在近幾年中，我國為了推廣電子節(jié)能燈的應用，采取了財政補貼政策，就像家電下鄉(xiāng)一樣，惠及全國百姓和消費者。 所謂電子節(jié)能燈，主要是指采用電子鎮(zhèn)流器的緊湊型熒光燈(CFL)。鎮(zhèn)流器和節(jié)能燈是一體化的，安裝和更換像白熾燈燈泡一樣方便。電子節(jié)能燈對鎮(zhèn)流器的基本要求是：電路盡可能簡單，元件數(shù)量少，成本低，性能穩(wěn)定，安全可靠，使用壽命長。本文以飛兆半導體推出的FAN7710V新型鎮(zhèn)
- 關鍵字： FAN7710V 電子鎮(zhèn)流器 MOSFET
大功率寬帶射頻脈沖功率放大器設計
- 大功率寬頻帶線性射頻放大器模塊廣泛應用于電子對抗、雷達、探測等重要的通訊系統(tǒng)中，其寬頻帶、大功率的產(chǎn)生技術是無線電子通訊系統(tǒng)中的一項非常關鍵的技術。隨著現(xiàn)代無線通訊技術的發(fā)展，寬頻帶大功率技術、寬頻帶跳頻、擴頻技術對固態(tài)線性功率放大器設計提出了更高的要求，即射頻功率放大器頻率寬帶化、輸出功率更大化、整體設備模塊化。 通常情況下，在HF~VHF頻段設計的寬帶射頻功放，采用場效應管(FET)設計要比使用常規(guī)功率晶體管設計方便簡單，正是基于場效應管輸入阻抗比較高，且輸入阻抗相對頻率的變化不會有太大的偏
- 關鍵字： 功率放大器 MOSFET
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