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寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)：快速開關和顛覆性的仿真環(huán)境
- 寬禁帶?材料實現(xiàn)了較當前硅基技術的飛躍。 它們的大帶隙導致較高的介電擊穿，從而降低了導通電阻(RSP)。 更高的電子飽和速度支持高頻設計和工作，降低的漏電流和更好的導熱性有助于高溫下的工作。安森美半導體提供圍繞寬禁帶方案的獨一無二的生態(tài)系統(tǒng)，包含從旨在提高強固性和速度的碳化硅(SiC)二極管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC門極驅動器。 除了硬件以外，我們還提供spice物理模型，幫助設計人員在仿真中實現(xiàn)其應用性能，縮短昂貴的測試周期。我們的預測性離散建?？梢赃M行系統(tǒng)級仿真
- 關鍵字： IC RDS(on) CAD MOSFET SiC MOS
英飛凌推出62mm CoolSiC?模塊，為碳化硅開辟新應用領域
- 英飛凌科技股份公司近日為其1200 V CoolSiC? MOSFET模塊系列新增了一款62mm工業(yè)標準模塊封裝產(chǎn)品。它采用成熟的62mm器件半橋拓撲設計,以及溝槽柵芯片技術,為碳化硅打開了250kW以上(硅IGBT技術在62mm封裝的功率密度極限)中等功率應用的大門。在傳統(tǒng)62mm IGBT模塊基礎上,將碳化硅的應用范圍擴展到了太陽能、服務器、儲能、電動汽車充電樁、牽引以及商用感應電磁爐和功率轉換系統(tǒng)等。該62mm模塊配備了英飛凌的CoolSiC MOSFET芯片,可實現(xiàn)極高的電流密度。其極低的開關損耗
- 關鍵字： MOSFET TIM IGBT
ROHM開發(fā)出業(yè)界先進的第4代低導通電阻SiC MOSFET
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出“1200V 第4代SiC MOSFET※1”，非常適用于包括主機逆變器在內的車載動力總成系統(tǒng)和工業(yè)設備的電源。對于功率半導體來說，當導通電阻降低時短路耐受時間※2就會縮短，兩者之間存在著矛盾權衡關系，因此在降低SiC MOSFET的導通電阻時，如何兼顧短路耐受時間一直是一個挑戰(zhàn)。此次開發(fā)的新產(chǎn)品，通過進一步改進ROHM獨有的雙溝槽結構※3，改善了二者之間的矛盾權衡關系，與以往產(chǎn)品相比，在不犧牲短路耐受時間的前提下成功地將單位面積的導通電阻降低了約4
- 關鍵字： EV OBC MOSFET
NexperiaP溝道MOSFET，采用省空間堅固LFPAK56封裝
- 半導體基礎元器件生產(chǎn)領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia宣布首次采用高魯棒性、高空間利用率的LFPAK56 (Power-SO8)封裝的P溝道MOSFET系列產(chǎn)品。新器件符合AEC-Q101標準，適合汽車應用，可作為DPAK MOSFET的理想替代產(chǎn)品，在保證性能的基礎上，將封裝占位面積減少了50%以上。 新系列產(chǎn)品在30 V至60 V工作電壓范圍內可供選擇，導通電阻RDS(on)低至10 mΩ (30 V)。 LFPAK封裝采用銅夾片結構，由Nexperia率先應用，已在汽車等要求
- 關鍵字： Nexperia P溝道 MOSFET LFPAK56封裝
Nexperia推出超微型MOSFET具備低導通電阻RDS(on)
- Nexperia推出的超微型MOSFET占位面積減小36%，且具備低導通電阻RDS(on)半導體基礎元器件生產(chǎn)領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia發(fā)布了一系列MOSFET產(chǎn)品，采用超小型DFN0606封裝，適用于移動和便攜式產(chǎn)品應用，包括可穿戴設備。這些器件還提供低導通電阻RDS(on)，采用常用的0.35 mm間距，從而簡化了PCB組裝過程。?PMH系列MOSFET采用了DFN0606封裝，占位面積僅為0.62 x 0.62 mm，與前一代DFN1006器件相比，節(jié)省了超過36%的空間。由于采
- 關鍵字： ?Nexperia MOSFET
科銳推出新型650V MOSFET，提供業(yè)界領先效率，助力新一代電動汽車、數(shù)據(jù)中心、太陽能應用創(chuàng)新
- 作為碳化硅技術全球領先企業(yè)的科銳公司，于近日宣布推出Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET產(chǎn)品組合，適用于更廣闊的工業(yè)應用，助力新一代電動汽車車載充電、數(shù)據(jù)中心和其它可再生能源系統(tǒng)應用，提供業(yè)界領先的功率效率。
- 關鍵字： 科銳 650V MOSFET 電動汽車
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