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芯片巨頭美光：成功繞過了EUV光刻技術(shù)
- 本周美光宣布，采用全球最先進(jìn)1β(1-beta)制造工藝的DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)送樣給部分手機(jī)制造商、芯片平臺合作伙伴進(jìn)行驗證，并做好了量產(chǎn)準(zhǔn)備?！ ?β工藝可將能效提高約15％，存儲密度提升35％以上，單顆裸片(Die)容量高達(dá)16Gb(2GB)。 一個值得關(guān)注的點是，美光稱，1β繞過了EUV（極紫外光刻）工具，而依然采用的是DUV（深紫外光刻）。 這意味著相較于三星、SK海力士，美光需要更復(fù)雜的設(shè)計方案。畢竟，DRAM的先進(jìn)性很大程度上取決于每平方毫米晶圓面積上集成更多更快半導(dǎo)體的能力，各公司目
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機(jī)構(gòu)預(yù)計今年服務(wù)器 DRAM 需求將達(dá)到 684.86 億 GB，首次超過移動設(shè)備
- 11 月 2 日消息，據(jù)國外媒體報道，受電子消費品續(xù)期下滑影響，當(dāng)前全球存儲芯片市場并不樂觀，DRAM 與 NAND 閃存的需求和價格都有下滑，三星電子、SK 海力士等存儲芯片制造商的業(yè)績，也受到了影響。雖然存儲芯片市場整體的狀況并不樂觀，但部分領(lǐng)域的需求，卻在不斷增長。研究機(jī)構(gòu)在最新的報告中就表示，服務(wù)器 DRAM 的需求在不斷增長，在今年有望首次超過智能手機(jī)、平板電腦等移動設(shè)備對 DRAM 的需求。研究機(jī)構(gòu)在報告中預(yù)計，今年全球服務(wù)器對 DRAM 的需求，會達(dá)到 684.86 億 GB，智能手機(jī)、平板
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功率效率提高15%，美光1β DRAM樣本出貨
- 當(dāng)?shù)貢r間11月1日，美光宣布正在向選定的智能手機(jī)制造商和芯片組運送其1β DRAM技術(shù)的合格樣品合作伙伴，并已通過世界上最先進(jìn)的DRAM技術(shù)節(jié)點實現(xiàn)了量產(chǎn)準(zhǔn)備。據(jù)官方介紹，美光于2021年實現(xiàn)1α LPDDR5X DRAM批量出貨，此次新的1β制程DRAM比1α制程DRAM功率效率提高15%，每區(qū)儲存的位元數(shù)也增加35%。美光表示，隨著LPDDR5X的出樣，移動產(chǎn)品將率先從1β DRAM 的提升中獲益，提升新一代智能手機(jī)的性能的同時，消耗更少的電力。美光DRAM程序整合部門副總裁Thy Tran表示，新版
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美光出貨全球最先進(jìn)的1β技術(shù)節(jié)點DRAM
- 2022年11月2日——中國上海——內(nèi)存與存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）今日宣布，其采用全球最先進(jìn)技術(shù)節(jié)點的1β DRAM產(chǎn)品已開始向部分智能手機(jī)制造商和芯片平臺合作伙伴送樣以進(jìn)行驗證，并做好了量產(chǎn)準(zhǔn)備。美光率先在低功耗LPDDR5X移動內(nèi)存上采用該新一代制程技術(shù)，其最高速率可達(dá)每秒8.5Gb。該節(jié)點在性能、密度和能效方面都有顯著提升，將為市場帶來巨大收益。除了移動應(yīng)用，基于1β節(jié)點的DRAM產(chǎn)品還具備低延遲、低功耗和高
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美光發(fā)布 LPDDR5X-8500 內(nèi)存：采用先進(jìn) 1β 工藝，15% 能效提升
- IT 之家 11 月 1 日消息，美光今天發(fā)布了 LPDDR5X-8500 內(nèi)存，采用先進(jìn) 1β 工藝，正在向智能手機(jī)制造商和芯片組合作伙伴發(fā)送樣品。據(jù)官方介紹，美光 2021 年實現(xiàn) 1α 工藝批量出貨，現(xiàn)在最新的 1β 工藝鞏固了美光市場領(lǐng)先地位。官方稱，最新的工藝可提供約 15% 的能效提升和超過 35% 的密度提升，每個 die 容量為 16Gb。美光表示，隨著 LPDDR5X 的出樣，移動產(chǎn)品將率先從 1β DRAM 的提升中獲益，提升新一代智能手機(jī)的性能的同時，消
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SK海力士：未研究過“轉(zhuǎn)移中國工廠設(shè)備”相關(guān)具體計劃
- 近日，SK海力士考慮“撤出中國”、“轉(zhuǎn)移中國工廠設(shè)備”等消息引發(fā)業(yè)界高度關(guān)注，對此，SK海力士于10月26日就中國工廠運營作出澄清說明。SK海力士表示，公司在10月26日的第三季度業(yè)績發(fā)表會上，針對由于地緣政治問題及多種因素導(dǎo)致中國工廠運營受困的各種假想情境，作出了可能會考慮應(yīng)急方案(Contingency Plan)的原則性回復(fù)。其中，“中國工廠的設(shè)備轉(zhuǎn)移”等相關(guān)發(fā)言是針對可能性極低的極端情況作出的現(xiàn)場回復(fù)，SK海力士澄清并未研究過與此相關(guān)的具體計劃。另外，針對美國對芯片設(shè)備出口的管制，SK海力士表示，
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8.5 Gbps！三星LPDDR5X DRAM運行速度創(chuàng)新高
- 10月18日，三星宣布，其最新的LPDDR5X內(nèi)存已通過驗證，可在驍龍（Snapdragon?）移動平臺上使用，該內(nèi)存速度可達(dá)到當(dāng)前業(yè)界最快的8.5 千兆比特每秒（Gbps）。通過優(yōu)化應(yīng)用處理器和存儲器之間的高速信號環(huán)境，三星超過了自身在今年3月創(chuàng)下的7.5Gbps的最高運行速度，夯實了在內(nèi)存市場的地位。三星LPDDR5X DRAM 可達(dá)8.5Gbps的運行速度作為十多年來全球移動內(nèi)存（DRAM）市場的推動者，三星一直在努力推進(jìn)高端智能手機(jī)普及，使更多消費者能夠在移動設(shè)備上體驗更為強(qiáng)大的計算性能。憑借低功
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SK海力士與美國完成協(xié)商，確保在一年內(nèi)不獲取許可的前提下為中國工廠供應(yīng)設(shè)備
- SK海力士于10月12日通過聲明表示，公司完成與美國商務(wù)部進(jìn)行協(xié)商，確保在接下來一年內(nèi)不獲取個別許可的前提下為中國工廠供應(yīng)所需的半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備。借此，SK海力士預(yù)期將能夠在接下來一年內(nèi)不獲取美方個別許可的前提下為中國工廠保障生產(chǎn)設(shè)備的供應(yīng)，進(jìn)而維持在中國的生產(chǎn)經(jīng)營。SK海力士表示：“公司與美方圓滿完成了就在中國持續(xù)生產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)品的協(xié)商。SK海力士將繼續(xù)與韓國政府及美國商務(wù)部緊密合作，在遵循國際原則的前提下為保障中國工廠的運營盡最大的努力?！泵绹虅?wù)部先前于10月7日發(fā)布稱，將限制用于在中國生產(chǎn)18納米以下
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TrendForce：存儲器廠聚焦CXL存儲器擴(kuò)充器產(chǎn)品
- 據(jù)TrendForce集邦咨詢最新服務(wù)器相關(guān)報告指出，CXL（Compute Express Link）原是希望能夠整合各種xPU之間的性能，進(jìn)而優(yōu)化AI與HPC所需要的硬件成本，并突破原先的硬件限制。CXL的支援仍是以CPU為源頭去考慮，但由于可支援CXL功能的服務(wù)器CPU Intel Sapphire Rapids與AMD Genoa現(xiàn)階段僅支援至CXL 1.1規(guī)格，而該規(guī)格可先實現(xiàn)的產(chǎn)品則是CXL存儲器擴(kuò)充（CXL Memory Expander）。因此，TrendForce認(rèn)為
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SPARC：用于先進(jìn)邏輯和 DRAM 的全新沉積技術(shù)
- 芯片已經(jīng)無處不在：從手機(jī)和汽車到人工智能的云服務(wù)器，所有這些的每一次更新?lián)Q代都在變得更快速、更智能、更強(qiáng)大。創(chuàng)建更先進(jìn)的芯片通常涉及縮小晶體管和其他組件并將它們更緊密地封裝在一起。然而，隨著芯片特征變得更小，現(xiàn)有材料可能無法在所需厚度下實現(xiàn)相同性能，從而可能需要新的材料。 泛林集團(tuán)發(fā)明了一種名為 SPARC 的全新沉積技術(shù)，用于制造具有改進(jìn)電絕緣性能的新型碳化硅薄膜。重要的是，它可以沉積超薄層，并且在高深寬比的結(jié)構(gòu)中保持性能，還不受工藝集成的影響，可以經(jīng)受進(jìn)一步處理。SPAR
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庫存難減 DRAM價Q4恐再跌13～18％
- 市調(diào)機(jī)構(gòu)表示，在高通脹影響下，消費性產(chǎn)品需求疲軟且旺季不旺，第三季DRAM位消耗與出貨量持續(xù)呈現(xiàn)季減，各終端買方因需求明顯下滑而推遲采購，導(dǎo)致供貨商庫存壓力進(jìn)一步升高。同時，各DRAM供貨商為求增加市占的策略不變，市場上已有「第三、四季合并議價」或「先談量再議價」的情形，導(dǎo)致第四季DRAM價格續(xù)跌13％～18％。標(biāo)準(zhǔn)型DRAM方面，由于筆電需求疲弱，OEM廠仍將著重去化DRAM庫存，而DRAM供應(yīng)端在營業(yè)利益仍佳的前提下，未有實際減產(chǎn)情形，故位產(chǎn)出仍持續(xù)升高，供貨商庫存壓力日益明顯。以DDR4與DDR5來
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集邦：明年DRAM需求位成長8.3％創(chuàng)新低 NAND跌價帶動搭載容量成長
- 根據(jù)集邦科技指出，2023年DRAM市場需求位成長僅8.3％，是歷年來首度低于10％，遠(yuǎn)低于供給位成長約14.1％，分析至少2023年的DRAM市況在供過于求的情勢下仍相當(dāng)嚴(yán)峻，價格恐將持續(xù)下滑。至于NAND Flash仍是供過于求，但價格下跌應(yīng)有助于搭載容量提升。從各類應(yīng)用來看，高通膨持續(xù)沖擊消費市場需求，故優(yōu)先修正庫存是品牌的首要目標(biāo)，尤其前兩年面對疫情造成的上游零組件缺料問題，品牌超額下訂，加上通路銷售遲緩，使得目前筆電整機(jī)庫存去化緩慢，造成2023年筆電需求將進(jìn)一步走弱。標(biāo)準(zhǔn)型PC DRAM方面，
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