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            LPDDR5X標準與LPDRR5對比：帶寬增至8533Mbps
            
                                                            
              
                    	
            • 2021年7月28日，JEDEC 固態(tài)技術協(xié)會于發(fā)布了關于 LPDDR5 內存芯片的最新標準，標準號 JESD209-5B。新版標準針對目前已經應用的 LPDDR5 內存提供了新的規(guī)格，提高了性能，降低了功耗以及增強了兼容性。此外，還包含下一代 LPDDR5X 內存標準。新標準表示，LPDDR5/LPDDR5X 旨在提高內存速率和效率，適用于 5G 智能手機等產品。具體來看：（1）LPDDR5X 將實現(xiàn)最高 8533 Mbps 的速率；（2）信號 TX/RX 發(fā)射或接收需要有更高的完整性；（3）新增 Ad
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            • 關鍵字：
                        LPDDR5  LPDDR5X  內存                          
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            三星LPDDR5X DRAM：速度是LPDDR5的1.3倍 功耗還低了20%
            
                                                            
              
                    	
            • 2021年11月，三星宣布了業(yè)內首款 LPDDR5X DRAM，可知與 LPDDR5 解決方案相比，其不僅具有 1.3 倍以上的數(shù)據(jù)傳輸速率、功耗還降低了將近 20% 。
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            • 關鍵字：
                        LPDDR5X  LPDDR5  三星                          
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            三星LPDDR5X內存來了：比LPDDR5快約1.2倍
            
                                                            
              
                    	
            • 2022年3月3日 三星半導體官方微博宣布，三星首款基于14nm的LPDDR5X內存已在高通驍龍移動平臺上驗證使用。三星表示，三星與高通公司密切合作，7.5Gbps的LPDDR5X用于驍龍移動平臺。LPDDR5X的速度比目前高端智能手機上的LPDDR5 (6.4Gbps)快約1.2倍，有望在下一代智能手機上提升超高分辨率視頻錄制性能和語音識別、圖像識別、自然語言處理等人工智能功能。此外，三星LPDDR5X內存采用先進的電路設計和動態(tài)電壓頻率縮放，功耗可降低約20%。三星半導體執(zhí)行副總裁兼內存全球銷售和營銷
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            • 關鍵字：
                        LPDDR5X  LPDDR5  三星                          
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            天璣9000首發(fā) 美光LPDDR5X內存已出樣：手機帶寬超越PC 
            
                                                            
              
                    	
            • 2021年11月19日，聯(lián)發(fā)科在國內發(fā)布了天璣9000處理器，除了更先進的X2 CPU、GPU、APU等架構之外，還首發(fā)支持了LPDDR5X內存，這也是獨一份，驍龍8 Gen 1支持的依然是LPDDR5內存。
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            • 關鍵字：
                        美光  LPDDR5X  LPDDR5                          
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            美光LPDDR5X：強大的內存性能讓一切皆有可能
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 在從事半導體行業(yè)近30年的時間里，最讓我興奮的是見證了由于內存和存儲技術的不斷革新，用戶體驗逐漸優(yōu)化的過程。作為美光移動產品事業(yè)部的負責人，我有幸親歷了美光近期的LPDDR5X DRAM新品發(fā)布。
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            • 關鍵字：
                        美光  LPDDR5X  LPDDR5                          
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            三星LPDDR5X DRAM已在高通驍龍移動平臺上驗證使用
            
                                                            
              
                    	
            • 今日三星宣布，高通技術公司(Qualcomm Technologies, Inc.)已經驗證了三星14納米(nm) 16Gb低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率5X (LPDDR5X) DRAM，并應用于高通技術公司的驍龍(Snapdragon?)移動平臺。自去年11月開發(fā)出三星首款基于14nm的LPDDR5X 
DRAM以來，三星與高通技術公司密切合作，優(yōu)化7.5千兆比特每秒(Gbps)的LPDDR5X，用于驍龍移動平臺。LPDDR5X的速度比目前高端智能手機上的LPDDR5
 
(6.4Gbps)快約1.2倍，有
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            • 關鍵字：
                        三星  LPDDR5X  DRAM  高通  驍龍                          
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            微結構不均勻性（負載效應）及其對器件性能的影響：對先進DRAM工藝中有源區(qū)形狀扭曲的研究
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負載效應正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而對于先進的DRAM，晶體管的有源區(qū) (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。在DRAM結構中，電容存儲單元的充放電過程直接受晶體管所控制。隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負載效應正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而對于先進的DRAM，晶體管的有源區(qū) (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。在本研究中，我們將為大家呈現(xiàn)，如何利用SEMulator3D研究先進DR
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            • 關鍵字：
                        DRAM  微結構                          
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            美光確認EUV工藝DRAM 2024年量產：1γ節(jié)點導入
            
                                                            
              
                    	
            • 三星、SK海力士及美光確定未來會用EUV工藝，其中美光的EUV工藝內存在2024年量產。芯研所8月21日消息，CPU、GPU為代表的邏輯工藝制程進入7nm之后，EUV光刻工藝不可或缺。目前內存停留在10nm工藝級別。三星、SK海力士及美光也確定未來會用EUV工藝，其中美光的EUV工藝內存在2024年量產。美光CEO Sanjay Mehrotra日前在采訪中確認，美光已將EUV技術納入DRAM技術藍圖，將由10nm世代中的1γ（gamma）工藝節(jié)點開始導入。美光EUV工藝DRAM將會先在臺中A3廠生產，預
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            • 關鍵字：
                        美光  EUV  DRAM                          
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            TrendForce：第四季PC DRAM合約價將轉跌0~5%
            
                                                            
              
                    	
            • 根據(jù)TrendForce調查，第三季PC DRAM合約價格的議定大致完成，受惠于DRAM供貨商的庫存量偏低以及旺季效應，本季合約價調漲3~8%，但相較第二季25%的漲幅已大幅收斂。然約自七月初起，DRAM現(xiàn)貨市場已提前出現(xiàn)PC DRAM需求疲弱的態(tài)勢。賣方積極調節(jié)手上庫存，持續(xù)降價求售。合約市場方面，先前PC OEMs因擔憂長短料問題而大量備料，使DRAM庫存已達高水位，庫存迭高問題成為漲價的阻力，再加上歐美逐步解封可能使筆電需求降低，進而拉低PC DRAM的總需求量。因此，預估PC DRAM合約價于第四
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            • 關鍵字：
                        TrendForce  PC DRAM                          
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            三星將在不久后開始生產768GB DDR5內存條
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 　　三星電子昨天公布了其2021年第二季度的收益。該公司整體表現(xiàn)良好，其內存業(yè)務也不例外。該公司預計該部門將持續(xù)增長，尤其是針對高端服務器和高性能計算（HPC）市場的DRAM產品。這就是為什么三星一直在推動其用于此類用途的高密度內存模塊，該公司最近發(fā)布了業(yè)界首個512GB DDR5 DRAM模塊，從任何角度看都是一個真正的高容量解決方案?！　〉聦嵶C明，這家韓國巨頭可能還不滿足，因為它計劃在不久的將來的某個時候更進一步，生產768GB DDR5模塊，也就是使用24Gb DRAM芯片。這可以從該公司的財報電
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            • 關鍵字：
                        三星  內存  DRAM  DDR5                            
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            EUV技術開啟DRAM市場新賽程
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • SK海力士公司在7月12日表示，本月已經開始生產10納米8Gb LPDDR4移動DRAM —— 他們將在該內存芯片生產中應用極紫外（EUV）工藝，這是SK海力士首次在其DRAM生產中應用EUV。根據(jù)SK海力士的說法，比起前一代規(guī)格的產品，第四代在一片晶圓上產出的DRAM數(shù)量增加了約25%，成本競爭力很高。新的芯片將在今年下半年開始供應給智能手機制造商，并且還將在2022年初開始生產的DDR5芯片中應用10納米EUV。世界第三大DRAM制造商SK海力士發(fā)布聲明，正式啟用EUV光刻機閃存內存芯片，批量生產采用
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            • 關鍵字：
                        EUV  DRAM                          
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            SK海力士開始量產采用EUV技術的第四代10納米級DRAM
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • SK海力士宣布已于7月初開始量產適用第四代10納米（1a）級工藝的?8Gigabit（Gb）?*LPDDR4 移動端DRAM產品。* 
LPDDR4 (Low Power Double Data Rate 4) – 專為移動終端開發(fā)的低功耗DRAM規(guī)格?！癉DR” 
為電子工程設計發(fā)展聯(lián)合協(xié)會(Joint Electron Device Engineering 
Council，簡稱JEDEC)規(guī)定的DRAM規(guī)格標準名稱，DDR1-2-3-4為其順序進行換代。?圖1. 
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            • 關鍵字：
                        SK海力士  10納米  DRAM                          
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            美光力推業(yè)界首款176層NAND與 1α DRAM 技術創(chuàng)新
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 近日，在一年一度的COMPUTEX 2021線上主題演講中，美光總裁兼首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra代表美光發(fā)布多項產品創(chuàng)新，涵蓋基于其業(yè)界領先的 176 層 NAND 及 1α (1-alpha) DRAM 制程的內存和存儲創(chuàng)新產品，并推出業(yè)界首款面向汽車應用的通用閃存 (UFS) 3.1 解決方案。這些創(chuàng)新產品和創(chuàng)新技術體現(xiàn)了美光通過內存和存儲創(chuàng)新加速數(shù)據(jù)驅動洞察的愿景，從而助力數(shù)據(jù)中心和智能邊緣的創(chuàng)新，突出了內存和存儲在幫助企業(yè)充分發(fā)揮數(shù)據(jù)經濟潛能方面的核心作用。在新的數(shù)據(jù)經濟背后，有一
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            • 關鍵字：
                        美光  176層NAND  1α DRAM                           
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            美光專家對1α節(jié)點DRAM的解答
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 2021 年1 月，美光科技宣布批量出貨基于1α(1-alpha) 節(jié)點的DRAM產品，是目前世界上最為先進的DRAM 技術，在密度、功耗和性能等各方面均有重大突破。為此，《電子產品世界》記者采訪了公司DRAM 制程集成副總裁Thy Tran 女士。美光DRAM制程集成副總裁Thy Tran1? ?1α節(jié)點技術1α 節(jié)點DRAM 相當于10 nm 的第四代，其最小特征尺寸（通常是指內存陣列激活區(qū)半間距）在(10~19) nm之間。要做到這一點，需要大幅縮小位線和字線間距——可以說是收縮
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            • 關鍵字：
                        202104  DRAM                          
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            2021年DRAM與NAND增長快，美光領跑研發(fā)與新技術
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 近日，美光在業(yè)界率先推出 1α DRAM 制程技術。值此機會，該公司舉辦了線上媒體溝通會，執(zhí)行副總裁兼首席商務官Sumit Sadana 先生介紹了對DRAM、NAND的市場預測，以及美光的研發(fā)、資本支出、產品布局等。執(zhí)行副總裁兼首席商務官Sumit Sadana1? ?2021年DRAM和NAND將增長19%展望2021年，全球GDP增長約5%。而根據(jù)不同分析師的預測，半導體產業(yè)預計增長可達12%，整個半導體產業(yè)的產值將達5020億美元。其中，內存與存儲預計增長可達19%，增度遠超整
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            • 關鍵字：
                        DRAM  NAND                          
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