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            LPDDR2內(nèi)存統(tǒng)治移動(dòng)內(nèi)存芯片

            •   據(jù)市場(chǎng)研究公司IHS iSuppli稱,由于智能手機(jī)和平板電腦目前配置的內(nèi)存芯片很快將證明不能充分地處理應(yīng)用程序,新型移動(dòng)DRAM內(nèi)存芯片占整個(gè)移動(dòng)內(nèi)存芯片市場(chǎng)的份額將增加。iSuppli稱,LPDDR2(低功率雙數(shù)據(jù)速率2)內(nèi)存現(xiàn)在正在成為移動(dòng)DRAM內(nèi)存領(lǐng)域中占統(tǒng)治地位的技術(shù)。到第二季度末,LPDDR2移動(dòng)內(nèi)存占移動(dòng)內(nèi)存的市場(chǎng)份額將從第一季度的31%提高到40%?!?/li>
            • 關(guān)鍵字: 內(nèi)存芯片  DRAM  

            OEM廠備貨 將拉高DRAM上旬合約價(jià)

            •   雖然日本強(qiáng)震導(dǎo)致半導(dǎo)體生產(chǎn)鏈供貨不順,但是因各家計(jì)算機(jī)大廠手中仍有1-2個(gè)月庫(kù)存,所以4月及5月份計(jì)算機(jī)出貨仍沒(méi)有太大問(wèn)題,由于英特爾修正版6系列芯片組已恢復(fù)正常供貨量,OEM廠已開(kāi)始放大英特爾Sandy Bridge平臺(tái)出貨。   
            • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  DRAM  

            海力士看好存儲(chǔ)器價(jià)格反彈

            •   韓國(guó)存儲(chǔ)器大廠海力士(Hynix)對(duì)DRAM及NAND Flash產(chǎn)業(yè)后市,發(fā)表脫離谷底的看法,對(duì)于臺(tái)系DRAM廠而言,可望注入強(qiáng)心針。在硅晶圓部分,海力士與臺(tái)廠目前都有1~2個(gè)月不等庫(kù)存,短期仍可支應(yīng)生產(chǎn),但中長(zhǎng)線來(lái)看,日本地震造成硅晶圓短缺問(wèn)題仍待厘清,目前市場(chǎng)買(mǎi)盤(pán)多是邊走邊看,沒(méi)有一窩蜂搶貨,但也會(huì)擔(dān)心日后供給吃緊造成漲價(jià)問(wèn)題。   
            • 關(guān)鍵字: Hynix  DRAM  NAND Flash  

            海力士:DRAM市況可望進(jìn)入恢復(fù)期

            •   海力士(Hynix)30日召開(kāi)定期股東大會(huì),社長(zhǎng)權(quán)五哲表示,DRAM價(jià)格已觸底,市況可望進(jìn)入恢復(fù)期,而權(quán)五哲對(duì)NANDFlash市況,也抱持肯定的態(tài)度,他表示,受日本地震影響,NANDFlash價(jià)格攀升,下半年記憶體晶片市場(chǎng)將可望出現(xiàn)反彈。   
            • 關(guān)鍵字: 海力士  DRAM  

            平板電腦內(nèi)存容量將大幅增加

            •   根據(jù)IHS的研究報(bào)告,平板電腦DRAM上的平均容量將大幅增加147%,達(dá)到676MB。   IHS公司分析師邁克霍華德表示,由于平板電腦的應(yīng)用程序越來(lái)越復(fù)雜,今年其內(nèi)存的平均增長(zhǎng)量將會(huì)是去年的2.5倍。這股趨勢(shì)會(huì)繼續(xù)下去,明年的平均容量預(yù)計(jì)將達(dá)到1.3GB ,而到2015年預(yù)計(jì)會(huì)達(dá)到3.7GB,與筆記本電腦所使用的DRAM的容量相當(dāng)。   
            • 關(guān)鍵字: 平板電腦  DRAM  

            分析顯示DRAM產(chǎn)業(yè)春燕將至

            •   美光執(zhí)行長(zhǎng)Steve Appleton表示,看好3~5月的DRAM報(bào)價(jià)逐漸觸底反彈;再者,日前三星電子(Samsung Electronics)也開(kāi)始調(diào)漲DRAM合約價(jià),南亞科也認(rèn)為4月合約價(jià)將會(huì)續(xù)漲,市場(chǎng)彌漫春燕將至的氣氛。  
            • 關(guān)鍵字: 美光  DRAM  

            三星開(kāi)始量產(chǎn)新型移動(dòng)DRAM內(nèi)存芯片

            •   全球最大的內(nèi)存芯片廠商三星電子周四稱,它已經(jīng)開(kāi)始大批量生產(chǎn)新型移動(dòng)DRAM內(nèi)存芯片。這種內(nèi)存芯片在更薄的封裝中增加內(nèi)存的密度。   
            • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  

            日本震后 DRAM現(xiàn)貨價(jià)轉(zhuǎn)趨觀望

            •   日本地震后2天期間,曾出現(xiàn)上升走勢(shì)的DRAM現(xiàn)貨價(jià)格已轉(zhuǎn)趨觀望,由于日本半導(dǎo)體、LCD業(yè)者受損情況并不嚴(yán)重,依照恢復(fù)的情況,IT產(chǎn)業(yè)整體需求將會(huì)不同,因而市場(chǎng)上再度回到觀望的氣氛。   日前南韓各大廠紛紛預(yù)測(cè)DRAM價(jià)格將于2011年第1季觸底,三星電子(SamsungElectronics)和海力士(Hynix)等與貿(mào)易商協(xié)商,可能會(huì)提高每個(gè)月進(jìn)行2次調(diào)整的部分合約價(jià)格。   在地震后短暫出現(xiàn)升幅的DRAM現(xiàn)貨價(jià)格又再度來(lái)到持平局面。外電引述DRAMeXange調(diào)查指出,最近DRAM主要產(chǎn)品DD
            • 關(guān)鍵字: 三星電子  DRAM  

            集邦:3月下旬DRAM合約價(jià)漲3%

            •   集邦科技旗下DRAMeXchange認(rèn)為,在日本強(qiáng)震打亂供應(yīng)鏈,且電腦制造商即將為歐美返校需求備料下,3月下旬DRAM芯片合約價(jià)漲幅逾3%,預(yù)期漲勢(shì)將延續(xù)至4月。   
            • 關(guān)鍵字: 爾必達(dá)  DRAM  

            日本地震矽晶圓對(duì)DRAM廠影響

            •   過(guò)去矽晶圓供給雖然偶有傳出吃緊聲浪,但從未像這次日本311強(qiáng)震把全球2大矽晶圓廠信越半導(dǎo)體和SUMCO都震出問(wèn)題,甚至影響全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈?!?/li>
            • 關(guān)鍵字: 矽晶圓  DRAM  

            海力士開(kāi)發(fā)出全球最大容量的單芯片封裝DRAM內(nèi)存

            •   全球第二大計(jì)算機(jī)內(nèi)存芯片廠商海力士半導(dǎo)體周三稱,它已經(jīng)開(kāi)發(fā)出全球最大容量的單芯片封裝DRAM內(nèi)存芯片。   海力士在聲明中稱,通過(guò)使用一種名為T(mén)SV(硅通孔技術(shù))的新技術(shù),海力士成功地在一個(gè)芯片封裝中堆疊了8個(gè)2GB DDR3 DRAM內(nèi)存芯片。TSV技術(shù)與以前的技術(shù)相比具有速度更快和耗電量更少的優(yōu)勢(shì)。   
            • 關(guān)鍵字: 海力士  DRAM  

            分析稱DRAM內(nèi)存芯片下半年將供貨短缺

            •   投資公司Raymond James & Associates日前發(fā)布報(bào)告稱,DRAM內(nèi)存芯片市場(chǎng)將在下半年出現(xiàn)供貨短缺的局面。DRAM芯片市場(chǎng)近一段時(shí)間表現(xiàn)低迷,需求降低,價(jià)格也大幅下滑。   
            • 關(guān)鍵字: 美光  DRAM  

            爾必達(dá)擬將Mobile DRAM營(yíng)收比重提高至5成

            •   智能型手機(jī)等產(chǎn)品用Mobile DRAM營(yíng)收占日廠爾必達(dá)(Elpida)整體營(yíng)收的比重可望在2010會(huì)計(jì)年度第4季(2011年1~3月)拉高至5成左右。在PC等產(chǎn)品用標(biāo)準(zhǔn)型DRAM價(jià)格低迷之際,提高M(jìn)obile DRAM營(yíng)收比重將有助于其改善獲利情況。  
            • 關(guān)鍵字: 爾必達(dá)  DRAM  

            爾必達(dá)希望分文不花整并臺(tái)日DRAM產(chǎn)業(yè)

            •   臺(tái)、日DRAM產(chǎn)業(yè)集成議題沸沸揚(yáng)揚(yáng)多時(shí),爾必達(dá)(Elpida)社長(zhǎng)坂本幸雄首度吐露真心話表示,假如臺(tái)、日DRAM產(chǎn)業(yè)雙方真的進(jìn)入集成及合并階段,爾必達(dá)并不希望花任何1毛錢(qián),希望能用股權(quán)交換方式來(lái)進(jìn)行,若能集成成功,爾必達(dá)在全球市占率將可超過(guò)40%,直逼三星電子(SamsungElectronics)龍頭地位。至于臺(tái)廠龐大債權(quán)歸誰(shuí),爾必達(dá)內(nèi)部希望以債做股方式一筆勾銷(xiāo),盼銀行團(tuán)能同意拿債權(quán)換股。業(yè)界對(duì)此認(rèn)為,爾必達(dá)這招頗有公開(kāi)逼親意味。   爾必達(dá)這次來(lái)臺(tái)發(fā)行臺(tái)灣存托憑證(TDR),被業(yè)界視為臺(tái)、日DR
            • 關(guān)鍵字: 爾必達(dá)  DRAM  

            爾必達(dá)擬調(diào)漲3月DRAM報(bào)價(jià)

            •   日系存儲(chǔ)器大廠爾必達(dá)(Elpida)的臺(tái)灣存托憑證(TDR)即將于25日,以每股新臺(tái)幣21.3元掛牌,預(yù)計(jì)籌得42.6億元資金,社長(zhǎng)坂本幸雄在24日掛牌前法說(shuō)會(huì)中指出,看好3月DRAM價(jià)格可逐漸上漲,爾必達(dá)也計(jì)劃在3月初調(diào)漲DRAM報(bào)價(jià),初步規(guī)劃2GbDDR3芯片可調(diào)升至2.3~2.5美元,對(duì)于后市DRAM市場(chǎng)逐漸供需平衡的趨勢(shì)相當(dāng)樂(lè)觀。  
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            lpddr5x dram介紹

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