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            海力士期望大陸市場(chǎng)能給其帶來(lái)轉(zhuǎn)機(jī)

            •   全球第2大DRAM記憶體廠海力士(Hynix)第4季業(yè)績(jī)走弱,營(yíng)運(yùn)獲利下滑加上淡季效應(yīng)與產(chǎn)品價(jià)格走跌等因素,有鑒于大陸市場(chǎng)潛力巨大,該公司擬加碼大陸資本投資金額,希望借此刺激營(yíng)收。海力士大陸區(qū)負(fù)責(zé)人Lee Jae-woo接受Korea Times采訪時(shí)表示,公司計(jì)劃提高大陸廠制程技術(shù),以生產(chǎn)高階晶片。     
            • 關(guān)鍵字: 海力士  DRAM  

            VLSI下調(diào)半導(dǎo)體及設(shè)備市場(chǎng)預(yù)測(cè)

            •   按VLSI市場(chǎng)調(diào)研公司的最新報(bào)告,今年無(wú)論半導(dǎo)體以及設(shè)備業(yè)都達(dá)到歷史上輝煌的年份之一,由此也導(dǎo)致可能產(chǎn)能過(guò)剩及芯片價(jià)格下降。   同時(shí),該公司也更新了2011及2012年半導(dǎo)體及設(shè)備業(yè)的預(yù)測(cè),為2011年半導(dǎo)體增長(zhǎng)4.4%為2486億美元,以及2012年再增長(zhǎng)7.9%。VLSI之前曾預(yù)測(cè)2011年半導(dǎo)體增長(zhǎng)8%。   
            • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  DRAM  

            DRAM產(chǎn)業(yè)減產(chǎn)潮恐?jǐn)U大

            •   11月下旬DRAM合約價(jià)跌幅超過(guò)10%,讓市場(chǎng)籠罩在烏云密布的氣氛當(dāng)中,29日DDR3 eTT(Effectively Tested)報(bào)價(jià)單日再跌7%,1Gb DDR3報(bào)價(jià)摜破1.3美元;DRAM業(yè)者則表示,1Gb DDR3 eTT價(jià)格單日大跌超過(guò)7%,其實(shí)只是以補(bǔ)跌來(lái)反應(yīng)品牌顆粒的價(jià)格;然此跌價(jià)情況若再延續(xù),不排除各家DRAM廠會(huì)有擴(kuò)大減產(chǎn)的情況出現(xiàn)。  
            • 關(guān)鍵字: 力晶  DRAM  

            全球DRAM產(chǎn)業(yè)面臨二次崩盤潮危機(jī)

            •   全球DRAM產(chǎn)業(yè)再度面臨二次崩盤潮的危機(jī),雖然2010年上半年在供給不足的情況下,DRAM報(bào)價(jià)達(dá)到頂峰,但下半年卻意外遇上個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)產(chǎn)業(yè)旺季不旺,加上DRAM產(chǎn)業(yè)供給端大量產(chǎn)出,使得DRAM價(jià)格再度面臨崩盤窘境,時(shí)至11月,上、下旬合約價(jià)連番重挫,且上旬跌幅高達(dá)12~13%,較上旬不到10%合約價(jià)持續(xù)擴(kuò)大。   
            • 關(guān)鍵字: 力晶  DRAM  

            產(chǎn)能過(guò)剩導(dǎo)致DRAM價(jià)格持續(xù)下滑

            •   根據(jù)分析師和市場(chǎng)研究人員表示,個(gè)人電腦中的主要存儲(chǔ)元件DRAM的價(jià)格在2011年將會(huì)呈現(xiàn)下滑的狀態(tài)。瑞士信貸投資銀行預(yù)測(cè),2011年中期DRAM市場(chǎng)仍將供過(guò)于求,但2011年下半年將恢復(fù)。該公司表示, DRAM季度收入將可能在明年二季度恢復(fù)之前,在第一季度探底。
            • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  

            DRAM供需待調(diào)整 

            •   南朝鮮軍事緊張關(guān)系對(duì)于DRAM報(bào)價(jià)激勵(lì)未產(chǎn)生實(shí)質(zhì)性的幫助,市場(chǎng)還是回到供需面看待DRAM市場(chǎng)未來(lái)的前景;在DRAM供給端產(chǎn)出都集中在下半年,但個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)需求卻旺季不旺下,DRAM合約價(jià)和現(xiàn)貨價(jià)都呈現(xiàn)加速趕底之姿,預(yù)期2010年底前DDR3合約價(jià)將下跌至20美元水平,隨著爾必達(dá)(Elpida)、力晶陸續(xù)減產(chǎn),以及三星電子(Samsung Electronics)的新廠Fab16進(jìn)度將隨景氣調(diào)整,預(yù)計(jì)2011年下半DRAM市場(chǎng)可望走向供需平衡。   
            • 關(guān)鍵字: 爾必達(dá)  DRAM  

            三星計(jì)劃2011年下半推出20納米級(jí)制程DRAM

            •   三星電子(Samsung Electronics) 2011年將致力于提升DRAM存儲(chǔ)器半導(dǎo)體制程技術(shù)水平,再拉大與其它競(jìng)爭(zhēng)業(yè)者間差距。三星半導(dǎo)體事業(yè)部專務(wù)趙南成表示,2010年采用30納米級(jí)制程制造DRAM,2011年上半計(jì)劃采行20納米級(jí)制程推出產(chǎn)品。三星計(jì)劃每年提升DRAM制程技術(shù),維護(hù)業(yè)界領(lǐng)先地位。  
            • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  

            臺(tái)塑力挺南亞科

            •   臺(tái)塑集團(tuán)旗下DRAM大廠南科辦理現(xiàn)金增資的時(shí)間點(diǎn)算是生不逢時(shí),DRAM合約價(jià)和現(xiàn)貨價(jià)持續(xù)崩盤,16日是南亞科現(xiàn)增案原股東繳款的最后截止日,但股價(jià)跌破現(xiàn)增價(jià)每股新臺(tái)幣16.5元,所幸有臺(tái)塑集團(tuán)出面宣布力挺決心,臺(tái)塑、南亞、臺(tái)塑石化及臺(tái)化等相關(guān)企業(yè)都出資認(rèn)購(gòu),不足的部分預(yù)計(jì)會(huì)洽特定人吃下,這次南亞科募資的總金額為新臺(tái)幣99億元,目前臺(tái)塑集團(tuán)對(duì)南亞科持股比重已超過(guò)60%。   
            • 關(guān)鍵字: 臺(tái)塑  DRAM  

            11月上旬DRAM合約價(jià)續(xù)跌逾7%

            •   11月上旬DRAM合約價(jià)再跌超過(guò)7%,雖然跌幅較10月大幅縮減,但仍擋不住DRAM市場(chǎng)嚴(yán)重供不于求的事實(shí),雖然DRAM廠這次再度發(fā)動(dòng)減產(chǎn)策略,但仍抵擋不住這波DRAM價(jià)格崩盤潮,主要是轉(zhuǎn)換制程所產(chǎn)出的新產(chǎn)能太多,加上目前終端個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)搭載的存儲(chǔ)器仍是以2GB為主,消化的DRAM產(chǎn)能有限,加上三星電子(Samsung Electronics)的生產(chǎn)成本大幅低于臺(tái)廠,使得這一波DRAM合約價(jià)和現(xiàn)貨價(jià)都快速下向修正。  
            • 關(guān)鍵字: 爾必達(dá)  DRAM  

            2011年全球DRAM經(jīng)營(yíng)慘淡

            •   2010年對(duì)于全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)而言,可說(shuō)是值得紀(jì)念的一年,拓墣產(chǎn)業(yè)研究所研究員陳蘭蘭表示,2010年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)年成長(zhǎng)率將高達(dá)30%,創(chuàng)下10年以來(lái)新高紀(jì)錄。然而,受到PC產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)趨緩影響,2011年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)僅將成長(zhǎng)5%,移動(dòng)通訊產(chǎn)品反成為支撐整體產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)的重要?jiǎng)幽堋nA(yù)估2011年移動(dòng)通訊用產(chǎn)品占總體半導(dǎo)體比重將從2010年的26%提升至30%,Mobile DRAM和NAND Flash的重要性,也將隨著智能手機(jī)等移動(dòng)通訊產(chǎn)品興起而與日俱增。   
            • 關(guān)鍵字: SAMSUNG  DRAM  NAND  

            爾必達(dá)赴臺(tái)融資 引發(fā)DRAM臺(tái)商恐慌

            •   爾必達(dá)(Elpida)申請(qǐng)來(lái)臺(tái)發(fā)行存托憑證(TDR)獲得“經(jīng)濟(jì)部”工業(yè)局核準(zhǔn),爾必達(dá)社長(zhǎng)坂本幸雄親自來(lái)臺(tái),并與“經(jīng)濟(jì)部”達(dá)成共識(shí),引發(fā)臺(tái)DRAM廠高度關(guān)注。盡管證交所與金管會(huì)招商成功,爾必達(dá)風(fēng)光成為第1家來(lái)臺(tái)發(fā)行TDR的半導(dǎo)體大廠,但從當(dāng)初政府積極整并臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)的初衷來(lái)看,爾必達(dá)來(lái)臺(tái)發(fā)行TDR,不但對(duì)臺(tái)系DRAM廠未來(lái)募資之路造成排擠,且可能讓爾必達(dá)來(lái)臺(tái)募資,之后再拿這些錢收編臺(tái)廠12寸DRAM產(chǎn)能,政府到底是在整合臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè),還是把臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)白白送給日廠,在業(yè)界造成熱烈討論。
            • 關(guān)鍵字: 爾必達(dá)  DRAM  

            三星DRAM內(nèi)存市場(chǎng)獲得上升

            •   據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,根據(jù)iSuppli發(fā)布的最新數(shù)據(jù)顯示,三星電子又在DRAM內(nèi)存市場(chǎng)上獲得了上升。韓國(guó)三星電子在三季度實(shí)現(xiàn)DRAM銷售44億美元。比上一季度相比上升了14.3%,占有率為超過(guò)40%的市場(chǎng)。   
            • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  

            顯存市場(chǎng)風(fēng)云變幻

            •   據(jù)iSuppli公司,由于市場(chǎng)不再特別推崇專用顯卡解決方案,而是越來(lái)越傾向于把圖形功能集成到電腦的中央處理器(CPU)之中,顯存市場(chǎng)面臨的局面發(fā)生變化。顯存市場(chǎng)向來(lái)是競(jìng)爭(zhēng)的熱門領(lǐng)域。   
            • 關(guān)鍵字: 顯存  DRAM  

            DRAM市場(chǎng)價(jià)格持續(xù)下跌

            •   隨著DRAM和NANDFlash市場(chǎng)價(jià)格持續(xù)崩跌,不僅上游DRAM廠營(yíng)收紛呈現(xiàn)大幅衰退情況,下游存儲(chǔ)器模塊廠亦受到牽累,10月營(yíng)收亦持續(xù)下滑,其中,威剛10月營(yíng)收較9月減少達(dá)17.1%。威剛表示,預(yù)期11月營(yíng)收將因?yàn)楫a(chǎn)業(yè)景氣進(jìn)入淡季,而持續(xù)呈現(xiàn)衰退景況,公司因應(yīng)策略是致力降低庫(kù)存水位,將庫(kù)存維持在約3~4周水平。   
            • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  

            三星4Q再降DRAM價(jià)

            •   據(jù)外電報(bào)導(dǎo),三星電子(SamsungElectronics)已較其他競(jìng)爭(zhēng)公司更具優(yōu)越的成本競(jìng)爭(zhēng)力,但在2010年第4季將持續(xù)調(diào)降DRAM價(jià)格,且計(jì)劃于2011年下半推出20奈米制程產(chǎn)品,欲獨(dú)霸DRAM市場(chǎng)。   
            • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  
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            lpddr5x dram介紹

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