imec 文章 進(jìn)入imec技術(shù)社區(qū)
埃米時(shí)代不遠(yuǎn)了？Imec擘劃先進(jìn)制程藍(lán)圖
- 隨著半導(dǎo)體發(fā)展腳步接近未來的14埃米，工程師們可能得開始在相同的芯片上混合FinFET和奈米線或穿隧FET或自旋波電晶體，他們還必須嘗試更多類型的存儲器;另一方面，14埃米節(jié)點(diǎn)也暗示著原子極限不遠(yuǎn)了… 在今年的Imec技術(shù)論壇(ITF2017)上，Imec半導(dǎo)體技術(shù)與系統(tǒng)執(zhí)行副總裁An Steegen展示最新的半導(dǎo)體開發(fā)藍(lán)圖，預(yù)計(jì)在2025年后將出現(xiàn)新制程節(jié)點(diǎn)——14埃米(14A;14-angstrom)。這一制程相當(dāng)于從2025年的2nm再微縮0.7倍;此
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7納米以下技術(shù)候選人：IMEC看好GAA NWFET技術(shù)
- 比利時(shí)微電子(IMEC)在2016國際電子元件會議(IEEE International Electron Devices Meeting ; IEDM)中首度提出由硅納米線垂直堆疊的環(huán)繞式閘極(GAA)金屬氧化物半導(dǎo)體場效電晶體(MOSFETs)的CMOS集成電路，其關(guān)鍵技術(shù)在于雙功率金屬閘極，使得n型和p型裝置的臨界電壓得以相等，且針對7納米以下技術(shù)候選人，IMEC看好環(huán)繞式閘極納米線電晶體(GAA NWFET)會雀屏中選。 比利時(shí)微電子研究中心與全球許多半導(dǎo)體大廠、系統(tǒng)大廠均為先進(jìn)制程和創(chuàng)
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imec與iMinds合并，成立世界級高科技研究中心
- 歐洲主要的納米電子研究中心imec以及數(shù)字研究與育成中心iMinds即將合并，共同為數(shù)字經(jīng)濟(jì)打造一座世界級的高科技研究中心。 這項(xiàng)合作行動(dòng)預(yù)計(jì)將于2016年底完成，屆時(shí)將可進(jìn)一步強(qiáng)化比利時(shí)西部Flanders作為高科技中心的影響力以及成為更專注于打造永續(xù)發(fā)展數(shù)字未來的地區(qū)。 iMinds將整合于imec旗下新設(shè)的業(yè)務(wù)單位，融合來自全球超過2,500名imec研究人員的技術(shù)與系統(tǒng)專業(yè)，以及近50個(gè)國家約1,000名iMinds研究人員的先進(jìn)數(shù)字能力，成為一個(gè)全新的研究中心。 在加入iM
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IMEC：7納米制程發(fā)展仍待觀察
- SEMICON Taiwan 2015期間，除了設(shè)備、材料、晶圓代工與封測業(yè)者們齊聚一堂外，今年也很罕見地看到第三方中立機(jī)構(gòu)來臺發(fā)聲，通常這類機(jī)構(gòu)集結(jié)了全球各地產(chǎn)學(xué)研的研發(fā)人 才，扮演先進(jìn)技術(shù)的開發(fā)與研究的重要角色。其中位于比利時(shí)魯汶的IMEC(愛美科)便是一例。 全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在兩三年前，就已經(jīng)有了18寸晶圓廠的呼聲，雖然18寸晶圓廠需要龐大的資金與技術(shù)投入，甚至必須要采取結(jié)盟策略，以分擔(dān)高額開發(fā)成本所帶來的沉重負(fù)擔(dān)，在當(dāng)時(shí)，市場不斷討論18寸晶圓廠導(dǎo)入的可能性。 但 時(shí)至今日，這個(gè)題議
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華為合作IMEC 進(jìn)軍硅光子
- 華為與納米研究中心——比利時(shí)的微電子研究中心(IMEC，Interuniversity Microelectronics Centre)聯(lián)合宣布，聚焦于光學(xué)數(shù)據(jù)鏈路技術(shù)，其戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系再進(jìn)一步。 這一對于硅基光學(xué)互連的聯(lián)合研究有望帶來諸多益處，包括高速、低功耗和成本節(jié)省。 通過為創(chuàng)造用于數(shù)據(jù)傳輸和通訊的高集成度、低功耗的光收發(fā)器，硅光子學(xué)是有望徹底改變光通信的關(guān)鍵技術(shù)。 華為現(xiàn)已加入了IMEC聚焦于在系統(tǒng)層面優(yōu)化帶寬密度、功耗、熱穩(wěn)定性和成本的研究項(xiàng)目。華
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IMEC實(shí)現(xiàn)1小時(shí)完成小型自動(dòng)基因檢測的芯片方案
- 松下與比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)共同開發(fā)出了1小時(shí)即可完成檢測的全自動(dòng)小型基因檢測芯片。該芯片可利用...
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攻新材料/互連技術(shù) IMEC力克10nm設(shè)計(jì)難關(guān)
- 比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)正全速開發(fā)下世代10奈米制程技術(shù)。為協(xié)助半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)跨越10奈米鰭式電晶體(FinFET)制程技術(shù)門檻，IMEC已啟動(dòng)新一代電晶體通道材料和電路互連(Interconnect)研究計(jì)劃，將以矽鍺/三五族材料替代矽方案，并透過奈米線(Nanowire)或石墨烯技術(shù)實(shí)現(xiàn)更細(xì)致的電路成型與布局，加速10奈米以下制程問世。 IMEC制程科技副總裁An Steegen提到，除了10奈米以下制程技術(shù)外，IMEC亦全力推動(dòng)18寸晶圓的發(fā)展，目前已有相關(guān)設(shè)備進(jìn)入驗(yàn)證階段。 I
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Alchimer與IMEC在22nm以下先進(jìn)制程進(jìn)行合作
- 雙鑲嵌、矽通孔(TSV)、微機(jī)電(MEMS)與太陽能等領(lǐng)域濕沉積技術(shù)的領(lǐng)先供應(yīng)商Alchimer，宣布與歐洲研究機(jī)構(gòu)IMEC攜手進(jìn)行一項(xiàng)合作研發(fā)計(jì)劃，為先進(jìn)的奈米互連技術(shù)評估和實(shí)施銅(Cu) 填充解決方案。該計(jì)劃的重點(diǎn)將是 Alchimer 的 Electrografting (eG) 產(chǎn)品系列，其已證明可在 7nm 節(jié)點(diǎn)裝置上實(shí)現(xiàn)無空隙填充，并允許在阻擋層上直接進(jìn)行銅填充，且鑲嵌制程無需晶種層。由于 CMOS規(guī)模增加，使制程更加精細(xì)，因此市場要求銅鑲嵌要有更小的尺寸 (<16/14 nm)，采
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IMEC探討10nm以下制程變異
- 在可預(yù)見的未來，CMOS技術(shù)仍將持續(xù)微縮腳步，然而，當(dāng)我們邁入10nm節(jié)點(diǎn)后，控制制程復(fù)雜性和變異，將成為能否驅(qū)動(dòng)技術(shù)向前發(fā)展的關(guān)鍵，IMEC資深制程技術(shù)副總裁An Steegen在稍早前于比利時(shí)舉行的IMEC Technology Forum上表示。 明天的智慧系統(tǒng)將會需要更多的運(yùn)算能力和儲存容量，這些都遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過今天的處理器和記憶體所能提供的極限。而這也推動(dòng)了我們對晶片微縮技術(shù)的需求。 在演講中，Steegen了解釋IMEC 如何在超越10nm以后繼續(xù)推動(dòng)晶片微縮。在10nm之后，或許還
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IMEC發(fā)布14nm工藝開發(fā)套件 測試芯片下半年推出
- 歐洲微電子研究機(jī)構(gòu)IMEC(比利時(shí)魯汶)日前宣布，已發(fā)布了一個(gè)早期版本的邏輯工藝開發(fā)套件(PDK)，這是業(yè)界第一款用以解決14納米節(jié)點(diǎn)邏輯工藝的開發(fā)工具包，IMEC表示。 該套件支持多種有可能在14納米節(jié)點(diǎn)應(yīng)用的技術(shù)，包括FinFET器件和極端紫外線光刻技術(shù)。它包含了器件緊湊模型，寄生參數(shù)提取，設(shè)計(jì)規(guī)則，參數(shù)化單元(P-單元)，和基本的邏輯單元，IMEC指出。 14納米PDK作為IMEC Insite合作研究項(xiàng)目的一部分而開發(fā)，曾有報(bào)道稱Altera公司、NVIDIA公司與美國高通公司都是
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imec介紹
IMEC,全稱為Interuniversity Microelectronics Centre, 微電子研究中心.
IMEC成立于1984年，目前是歐洲領(lǐng)先的獨(dú)立研究中心，研究方向主要集中在微電子，納米技術(shù)，輔助設(shè)計(jì)方法，以及信息通訊系統(tǒng)技術(shù)（ICT）. IMEC 致力于集成信息通訊系統(tǒng)設(shè)計(jì)；硅加工工藝；硅制程技術(shù)和元件整合；納米技術(shù)，微系統(tǒng)，元件及封裝；太陽能電池；以及微電子領(lǐng)域的高級培訓(xùn) [ 查看詳細(xì) ]
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