igbt 7 文章 進入igbt 7技術(shù)社區(qū)
推動更快、更安全、更高效EV充電器的技術(shù)
- 隨著電動汽車（EV）數(shù)量的增加，對創(chuàng)建更加節(jié)能的充電基礎(chǔ)設(shè)施系統(tǒng)的需求也在日益增長，如此便可更快地為車輛充電。與先前的電動汽車相比，新型電動汽車具有更高的行駛里程和更大的電池容量，因此需要開發(fā)快速直流充電解決方案以滿足快速充電要求。150 kW或200 kW的充電站約需要30分鐘才能將電動汽車充電至80％，行駛大約250 km。根據(jù)聯(lián)合充電系統(tǒng)和Charge de Move標準， 快速DC充電站 可提供高達400 kW的功率。今天，我們將研究驅(qū)動更快、更安全、更高效的充電器的半導(dǎo)體技術(shù)
- 關(guān)鍵字： EV SiC IGBT MOSEFT CMTI
GaN 器件的直接驅(qū)動配置
- 受益于集成器件保護，直接驅(qū)動GaN器件可實現(xiàn)更高的開關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關(guān)特性可實現(xiàn)提高開關(guān)模式電源效率和密度的新型拓撲。GaN具有低寄生電容（Ciss、Coss、Crss）和無第三象限反向恢復(fù)的特點。這些特性可實現(xiàn)諸如圖騰柱無橋功率因數(shù)控制器（PFC）等較高頻率的硬開關(guān)拓撲。由于它們的高開關(guān)損耗，MOSFET和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）實現(xiàn)此類拓撲。本文中，我們將重點介紹直接驅(qū)動GaN晶體管的優(yōu)點，包括更低的開關(guān)損耗、更佳
- 關(guān)鍵字： MOSFET HEMT GaN PFC IGBT IC
英飛凌推出62mm CoolSiC?模塊，為碳化硅開辟新應(yīng)用領(lǐng)域
- 英飛凌科技股份公司近日為其1200 V CoolSiC? MOSFET模塊系列新增了一款62mm工業(yè)標準模塊封裝產(chǎn)品。它采用成熟的62mm器件半橋拓撲設(shè)計,以及溝槽柵芯片技術(shù),為碳化硅打開了250kW以上(硅IGBT技術(shù)在62mm封裝的功率密度極限)中等功率應(yīng)用的大門。在傳統(tǒng)62mm IGBT模塊基礎(chǔ)上,將碳化硅的應(yīng)用范圍擴展到了太陽能、服務(wù)器、儲能、電動汽車充電樁、牽引以及商用感應(yīng)電磁爐和功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)等。該62mm模塊配備了英飛凌的CoolSiC MOSFET芯片,可實現(xiàn)極高的電流密度。其極低的開關(guān)損耗
- 關(guān)鍵字： MOSFET TIM IGBT
一種電動汽車能量回饋下IGBT保護策略優(yōu)化及驗證
- 舒 暉（奇瑞新能源汽車股份有限公司，安徽 蕪湖 241002） 摘 要：針對電動汽車在能量回饋時，動力電池高壓繼電器異常斷開的特殊工況下，提出了一種IGBT保護策略優(yōu)化方案，快速檢測因動力電池瞬斷產(chǎn)生的尖峰電壓，觸發(fā)保護機制保護IGBT模塊。本文通過臺架實驗對比了方案優(yōu)化前后的尖峰電壓值，最終通過實車驗證了該方案的可行性。結(jié)果表明，優(yōu)化后的保護策略能更快地檢測到抬升的母線電壓，觸發(fā)保護機制，停止IGBT工作，降低IGBT模塊損壞的風(fēng)險。 關(guān)鍵詞：電動汽車；能量回饋；IGBT 0 引言 傳統(tǒng)汽車
- 關(guān)鍵字： 202007 電動汽車 能量回饋 IGBT
新基建驅(qū)動電力電源變革，ST祭出一攬子解決方案
- 我國正在大力進行新基建，工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、汽車充電樁、5G手機等對電力與電源提出了更高的能效要求。與此同時，SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體材料風(fēng)生水起，奠定了堅實的發(fā)展基礎(chǔ)。充電樁、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、手機需要哪些新電力與電源器件？近日，ST（意法半導(dǎo)體）亞太區(qū)功率分立器件和模擬產(chǎn)品部區(qū)域營銷及應(yīng)用副總裁Francesco MUGGERI接受了電子產(chǎn)品世界記者的采訪，分享了對工業(yè)市場的預(yù)測，并介紹了ST的新產(chǎn)品。ST亞太區(qū) 功率分立器件和模擬產(chǎn)品部 區(qū)域營銷及應(yīng)用副總裁 Francesco MUGGERI1 工業(yè)電源市場
- 關(guān)鍵字： 電源 SiC IGBT GaN
使用碳化硅MOSFET提升工業(yè)驅(qū)動器的能源效率
- 本文將強調(diào)出無論就能源效率、散熱片尺寸或節(jié)省成本方面來看,工業(yè)傳動不用硅基(Si)絕緣柵雙極電晶體(IGBT)而改用碳化硅MOSFET有哪些優(yōu)點。摘要由于電動馬達佔工業(yè)大部分的耗電量,工業(yè)傳動的能源效率成為一大關(guān)鍵挑戰(zhàn)。因此,半導(dǎo)體製造商必須花費大量心神,來強化轉(zhuǎn)換器階段所使用功率元件之效能。意法半導(dǎo)體(ST)最新的碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效電晶體(SiC MOSFET)技術(shù),為電力切換領(lǐng)域立下全新的效能標準。1.導(dǎo)言目前工業(yè)傳動通常採用一般所熟知的硅基IGBT反相器(inverter),但最近開發(fā)的碳化
- 關(guān)鍵字： MOSEFT FWD ST IGBT
東芝推出600V小型智能功率器件，助力降低電機功率損耗
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出型號為“TPD4162F”的高壓智能功率器件（IPD）。該器件采用小型表面貼裝封裝，設(shè)計用于空調(diào)、空氣凈化器和泵等產(chǎn)品中的電機驅(qū)動。并計劃于今日開始出貨。TPD4162F采用新工藝制造，與東芝當前的IPD產(chǎn)品TPD4152F相比可降低功率損耗約10%[1]。這有助于為集成該器件的設(shè)備降低總體功率損耗。TPD4162F具有各種控制電路[2]、輸出級安裝了IGBT和FRD。其支持從霍爾傳感器或者霍爾IC直接驅(qū)動帶方波輸入信號的無刷直流電機，無需PWM控制
- 關(guān)鍵字： IPD IGBT IC
東芝面向中大電流IGBT／MOSFET 推出內(nèi)置保護功能的光耦
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出“TLP5231”，這是一款面向中大電流絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）和MOSFET的預(yù)驅(qū)動光耦，適用于工業(yè)逆變器和光伏（PV）的功率調(diào)節(jié)系統(tǒng)。這款全新的預(yù)驅(qū)動光耦內(nèi)置多種功能[1]，其中包括通過監(jiān)控集電極電壓實現(xiàn)過流檢測。產(chǎn)品于今日起開始出貨。新型預(yù)驅(qū)動光耦使用外部P溝道和N溝道互補的MOSFET作為緩沖器，來控制中大電流IGBT和MOSFET。目前現(xiàn)有產(chǎn)品[2]需要使用雙極型晶體管構(gòu)成的緩沖電路來實現(xiàn)電流放大，這會在工作中消耗基極電流。新產(chǎn)品能夠
- 關(guān)鍵字： IGBT MOSEFT
Power Integrations出爐簡單易用的SCALE-2即插即用型門極驅(qū)動器，適用于壓接式IGBT模塊
- 中高壓逆變器應(yīng)用領(lǐng)域門極驅(qū)動器技術(shù)的創(chuàng)新者Power Integrations近日推出1SP0351?SCALE-2?單通道+15/-10V即插即用型門極驅(qū)動器，新產(chǎn)品專為東芝、Westcode和ABB等廠商的新款4500V壓接式IGBT (PPI)模塊而開發(fā)。新的門極驅(qū)動器基于Power Integrations廣泛使用的SCALE-2芯片組設(shè)計而成，非常適合HVDC VSC、STATCOM/FACTS和MVD等高可靠性應(yīng)用。1SP0351驅(qū)動器裝備了動態(tài)高級有源鉗位功能(DAAC)、短路保護
- 關(guān)鍵字： 門極驅(qū)動器 IGBT
工業(yè)電機用功率半導(dǎo)體的動向
- Steven?Shackell? （安森美半導(dǎo)體?工業(yè)業(yè)務(wù)拓展經(jīng)理）摘? 要：電動工具用電機正從有刷直流(BDC)轉(zhuǎn)向無刷直流(BLDC)電機；工業(yè)電機需要更高能效的電機，同時 需要強固和高質(zhì)量。安森美以領(lǐng)先的MOSFET、IPM和新的TM-PIM系列賦能和應(yīng)對這些轉(zhuǎn)變帶來的商機。 關(guān)鍵詞：電機；電動工具；MOSFET；工業(yè)；IGBT；IPM安森美半導(dǎo)體提供全面的電機產(chǎn)品系列，尤其是功 率半導(dǎo)體方面。安森美半導(dǎo)體因來自所有電機類型的 商機感到興奮，并非?？春脽o刷直流電機(BLDC)應(yīng)用 （例如電動工具），
- 關(guān)鍵字： 202003 電機 電動工具 MOSFET 工業(yè) IGBT IPM
關(guān)于半橋電路中抗dv/dt噪聲干擾的安全工作區(qū)分析及其解決方案
- 王定良（電子科技大學(xué) 電子科學(xué)與工程學(xué)院，四川 成都 610054） 摘? 要：作為電機驅(qū)動電路的智能功率模塊（IPM）正變得越來越重要，但是越來越快的開關(guān)速度，可能會引起IPM模塊中的IGBT的誤觸發(fā)。另外，過高的dV/dt也會在IGBT關(guān)斷狀態(tài)下產(chǎn)生雪崩擊穿。本文結(jié)合半橋電路的寄生參數(shù)模型，完善傳統(tǒng)公式的推導(dǎo)?；趯脚cIGBT擎住現(xiàn)象的分析，并結(jié)合IGBT的安全工作區(qū)提出了一種根據(jù)dv/dt的大小來動態(tài)擴展IGBT安全工作區(qū)的電路結(jié)構(gòu)，改善了傳統(tǒng)半橋電路工作時的可靠性。 關(guān)鍵詞：IGBT；
- 關(guān)鍵字： 202002 IGBT 誤觸發(fā) dV/dt 可靠性
東芝面向電壓諧振電路推出新款分立IGBT，有助于降低功耗并簡化設(shè)備設(shè)計
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出“GT20N135SRA”，這是一款用于桌面電磁爐、電飯煲、微波爐等家用電器電壓諧振電路的1350V分立IGBT。該產(chǎn)品于今日起開始出貨。?GT20N135SRA產(chǎn)品圖GT20N135SRA的集電極-發(fā)射極的飽和電壓[1]為1.75V，二極管正向電壓[2]為1.8V，分別比東芝當前產(chǎn)品[3]低10%和21%。IGBT和二極管都針對高溫（TC=100℃）條件下的導(dǎo)通損耗特性進行了改進，而且新款I(lǐng)GBT還有助于降低設(shè)備功耗。該產(chǎn)品的結(jié)殼熱阻為0
- 關(guān)鍵字： IGBT 分立
CISSOID與國芯科技簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議
- 各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID近日宣布：在湖南株洲舉行的中國IGBT技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟第五屆國際學(xué)術(shù)論壇上，公司與湖南國芯半導(dǎo)體科技有限公司（簡稱“國芯科技”）簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議，將攜手開展寬禁帶功率技術(shù)的研究開發(fā)，充分發(fā)揮其耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優(yōu)勢，并推動其在眾多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)廣泛應(yīng)用。近年來，寬禁帶半導(dǎo)體功率器件（如碳化硅SiC和氮化鎵GaN等）憑借多方面的性能優(yōu)勢，在航空航天、電力傳輸、軌道交通、新能源汽車、智能家電、通信等領(lǐng)域開始逐漸取代傳統(tǒng)硅器件。然而，在各類應(yīng)用中
- 關(guān)鍵字： IGBT SiC GaN
同類最佳的超級結(jié)MOSFET和 具成本優(yōu)勢的IGBT用于電動汽車充電樁
- 插電式混合動力/電動汽車(xEV)包含一個高壓電池子系統(tǒng)，可采用內(nèi)置的車載充電器(OBC)或外部的充電樁進行充電。充電(應(yīng)用)要求在高溫環(huán)境下具有高電壓、高電流和高性能，開發(fā)高能效、高性能、具豐富保護功能的充電樁對于實現(xiàn)以盡可能短的充電時間續(xù)航更遠的里程至關(guān)重要。常用的半導(dǎo)體器件有IGBT、超結(jié)MOSFET和碳化硅(SiC)。安森美半導(dǎo)體為電動汽車OBC和直流充電樁提供完整的系統(tǒng)方案，包括通過AEC車規(guī)認證的超級結(jié)MOSFET、IGBT、門極驅(qū)動器、碳化硅(SiC)器件、電壓檢測、控制產(chǎn)品乃至電源模塊等，
- 關(guān)鍵字： 超級結(jié)MOSFET IGBT 充電樁
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