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      EEPW首頁 >> 主題列表 >> igbt 7

      關(guān)于工業(yè)電機驅(qū)動的IGBT,你想知道的都在這里

      •   摘要 :工業(yè)電機驅(qū)動的整個市場趨勢是對更高效率以及可靠性和穩(wěn)定性的要求不斷提高。功率半導(dǎo)體器件制造商不斷在導(dǎo)通損耗和開關(guān)時間上尋求突破。有關(guān)增加絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)導(dǎo)通損耗的一些權(quán)衡取舍是:更高的短路電流電平、更小的芯片尺寸,以及更低的熱容量和短路耐受時間。這凸顯了柵極驅(qū)動器電路以及過流檢測和保護功能的重要性。本文討論現(xiàn)代工業(yè)電機驅(qū)動中成功可靠地實現(xiàn)短路保護的問題?!   」I(yè)環(huán)境中的短路:工業(yè)電機驅(qū)動器的工作環(huán)境相對惡劣,可能出現(xiàn)高溫、交流線路瞬變、機械過載、接線錯誤以及其它突發(fā)情況
      • 關(guān)鍵字: 工業(yè)電機  IGBT  

      富士電機電子元件事業(yè)本部CTO藤平龍彥博士一行蒞臨青銅劍科技考察交流

      •   11月7日,富士電機株式會社電子元件事業(yè)本部CTO藤平龍彥博士一行到訪青銅劍科技。這是繼今年5月應(yīng)用技術(shù)部部長五十嵐征輝博士來訪之后,富士電機高層再次蒞臨青銅劍科技商談合作事宜,標(biāo)志著雙方合作進入新階段。 青銅劍科技總工程師高躍博士和市場總監(jiān)蔡雄飛對藤平龍彥博士一行的來訪表示熱烈歡迎,詳細介紹了公司的核心產(chǎn)品以及與富士電機的合作進展。藤平龍彥博士對青銅劍科技最新的IGBT驅(qū)動產(chǎn)品非常關(guān)注,仔細詢問了產(chǎn)品的性能優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域,對青銅劍科技的研發(fā)實力表示充分肯定。會談期間,雙方對下一步的合作重點和計劃
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      推進航天領(lǐng)域合作 l 航天科工微電院董事長武春風(fēng)一行到訪青銅劍科技

      •   11月8日,成都航天科工微電子系統(tǒng)研究院有限公司董事長武春風(fēng)一行到訪青銅劍科技,董事長汪之涵博士、總工程師高躍博士和副總裁傅俊寅陪同接待,雙方就合作事宜進行了深入交流?! ⊥糁┦颗阃浯猴L(fēng)一行參觀了公司展廳和研發(fā)實驗室,詳細介紹了青銅劍科技的核心產(chǎn)品、領(lǐng)先技術(shù)、應(yīng)用領(lǐng)域及公司發(fā)展規(guī)劃等情況。武春風(fēng)對青銅劍科技的科技創(chuàng)新成果表示積極肯定。座談中,雙方就航天領(lǐng)域的前沿技術(shù)和熱點話題進行了深入探討和討論,進一步商談了合作細節(jié),一致表示未來將擴展多渠道的合作。  航天科工微電子系統(tǒng)研究院秉持“信息互通、資
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      IXYS IGBT驅(qū)動模塊可幫助高功率系統(tǒng)設(shè)計,縮短設(shè)計時間,降低設(shè)計成本

      •   IXYS公司新推出的IXIDM1403驅(qū)動模塊旨在為市場提供IGBT驅(qū)動器件,使設(shè)計周期縮短,設(shè)計成本做到盡可能最低,并具有極高的緊湊性和最高的性能和可靠性。IXIDM1403支持雙通道大功率IGBT模塊,隔離電壓高達4000 V,開關(guān)速度高達50 kHz,具有短路保護和電源電壓監(jiān)控功能?! XIDM1403是基于IX6610 / IX6611 / IXDN630芯片組的高壓隔離柵極驅(qū)動模塊,它允許創(chuàng)建隔離的IGBT驅(qū)動器,在初級側(cè)和次級側(cè)之間以及次級側(cè)驅(qū)動器之間設(shè)置高壓隔離柵。它創(chuàng)建了一個非常靈活
      • 關(guān)鍵字: IXYS  IGBT  

      新型IGBT軟開關(guān)在應(yīng)用中的損耗

      • 本文介紹了集成續(xù)流二極管(FWD)的1200V RC-IGBT,并將探討面向軟開關(guān)應(yīng)用的1,200V逆導(dǎo)型IGBT所取得的重大技術(shù)進步。IGBT技術(shù)進步主要體現(xiàn)在兩個方面:
      • 關(guān)鍵字: IGBT  軟開關(guān)  損耗  

      安森美半導(dǎo)體推動電動汽車充電樁市場創(chuàng)新發(fā)展

      •   電動汽車(也叫新能源汽車)是指以車載電源為動力,用電機驅(qū)動車輪行駛,符合道路交通、安全法規(guī)各項要求的車輛由于對環(huán)境影響相對傳統(tǒng)汽車較小,它的前景被廣泛看好近年來在國家環(huán)保政策的激勵下,在大家對綠色低碳健康生活的憧憬下,電動汽車正日益普及。中國是世界最大的汽車市場,中國新能源汽車業(yè)近年來快速發(fā)展令世界矚目。據(jù)Goldman Sachs報道,2016年中國電動汽車占全世界電動汽車的45%, 這一百分比到2030年可能升至60%。根據(jù)中國的“一車一樁”計劃,電動汽車充電樁總數(shù)在2020年將達480萬個,與現(xiàn)
      • 關(guān)鍵字: 安森美  IGBT  SiC  

      基于EXB841的IGBT 驅(qū)動電路優(yōu)化設(shè)計

      • 設(shè)計高性能的驅(qū)動與保護電路是安全使用IGBT的關(guān)鍵技術(shù).日本FUJI公司的EXB841芯片是一種典型的適用于300A以下IGBT的專用驅(qū)動電路,具有單電源、正負偏壓
      • 關(guān)鍵字: EXB841  IGBT  驅(qū)動電路  優(yōu)化設(shè)計  

      IGBT保護電路設(shè)計中的必知問題

      • 引言IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率
      • 關(guān)鍵字: IGBT  過流保護  過壓保護  過熱保護  

      關(guān)于PWM“死區(qū)”時間知識解析

      • pwm是脈寬調(diào)制,在電力電子中,最常用的就是整流和逆變。這就需要用到整流橋和逆變橋。對三相電來說,就需要三個橋臂。以兩電平為例,每個橋臂上有兩個
      • 關(guān)鍵字: PWM  DSP  IGBT  

      汽車電子化帶來的電源、電池、充電系統(tǒng)的挑戰(zhàn)

      •   車用電氣/電源/電子系統(tǒng)的發(fā)展動向  自上世紀70年代以來,為應(yīng)對石油禁運,減少對石油的依賴性,節(jié)能減排就成為汽車業(yè)重點關(guān)注的。汽車中電子成分不斷增加。環(huán)境及能源法規(guī)促進電動汽車/混合動力汽車蓬勃發(fā)展?! ∫詢?nèi)燃機作為唯一動力來源的傳統(tǒng)汽車,正在實現(xiàn)汽車功能電子化的好處,以提高整體汽車燃油效率。輕度混合動力和微混合動力汽車越來越流行,尤其是內(nèi)置 48V 動力配件的汽車。除了支持 12V 系統(tǒng)無法支持的高功率負載(>10kW)外,添加 48V系統(tǒng)的另一個好處是,由于使用較小的儀表接線,車輛配電系統(tǒng)
      • 關(guān)鍵字: 安森美,IGBT  

      詳解三種IGBT驅(qū)動電路和保護方法

      • 本文著重介紹三個IGBT驅(qū)動電路。驅(qū)動電路的作用是將單片機輸出的脈沖進行功率放大,以驅(qū)動IGBT,保證IGBT的可靠工作,驅(qū)動電路起著至關(guān)重要的作用
      • 關(guān)鍵字: IGBT  驅(qū)動電路  單片機  

      高逆變效率的變壓器拓撲講解

      • 對于逆變器設(shè)計較為熟悉朋友肯定知道,想要使設(shè)計出的變壓器性價比最為劃算,使用IGBT是較為明智的選擇。這主要是因為IGBT非線性特性使得導(dǎo)通壓降不會
      • 關(guān)鍵字: 逆變電源  變壓器  IGBT  全橋  

      絕緣柵雙極型晶體管原理小科普

      • 對于新人工程師而言,掌握絕緣柵雙極型晶體管原理知識是非常重要的,這將會對工程師日后的產(chǎn)品設(shè)計和研發(fā)工作提供極大的幫助。在今天的文章中,我們將
      • 關(guān)鍵字: 晶體管原理  IGBT  絕緣柵雙極型晶體  

      IGBT直流穩(wěn)壓大功率電源設(shè)計之電路設(shè)計方案

      • 直流大功率電源是目前工業(yè)、照明等領(lǐng)域中不可或缺的重要組成部分,也是很多工程師的重點設(shè)計方向之一。此前我們曾經(jīng)分享過幾種穩(wěn)壓直流大功率電源的設(shè)
      • 關(guān)鍵字: IGBT  直流穩(wěn)壓  電源設(shè)計  

      IGBT是什么東西,有神馬作用?

      •   IGBT又叫絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點?! GBT模塊是由IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片)與FWD(續(xù)流二極管芯片)通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品;封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備上;IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點;當(dāng)前市場上銷售的多為此類模塊化產(chǎn)品,一般所說的IGBT也指IGBT模塊;
      • 關(guān)鍵字: IGBT  
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      igbt 7介紹

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