high-na euv 文章 進入high-na euv技術(shù)社區(qū)
光源問題仍是EUV光刻技術(shù)中的難題
- GlobalFoundries公司的光刻技術(shù)專家Obert Wood在最近召開的高級半導(dǎo)體制造技術(shù)會議ASMC2011上表示，盡管業(yè)界在改善EUV光刻機用光源技術(shù)方面取得了一定成效，但光源問題仍是EUV光刻技術(shù)成熟過程中最“忐忑”的因素。
- 關(guān)鍵字： GlobalFoundries EUV
通向14/15nm節(jié)點的技術(shù)挑戰(zhàn)
- 當(dāng)半導(dǎo)體業(yè)準(zhǔn)備進入14/15nm節(jié)點時，將面臨眾多的技術(shù)挑戰(zhàn) 對于邏輯電路，STMicro的Thomas Skotnicki認(rèn)為傳統(tǒng)的CMOS制造工藝方法己不再適用。因為當(dāng)器件的尺寸持續(xù)縮小時，由于己達(dá)極限許多缺陷顯現(xiàn)。按IBM技術(shù)經(jīng)理Mukesh Khare看法，如柵氧化層的厚度Tox再縮小有困難。另外，除非采用其它方法，因為隨著互連銅線的尺寸縮小銅線的電阻增大及通孔的電阻增大也是另一個挑戰(zhàn)。
- 關(guān)鍵字： EUV 節(jié)點技術(shù)
Derive simple high-current source from lab sup
- Comprising a standard Force-Sense lab power supply, an additional power supply for the ICs, and a separate control voltage, this adjustable current source provides a 1-to-1 ratio of control voltage to
- 關(guān)鍵字： high-current Derive simple source
GlobalFoundries投入EUV技術(shù) 4年后量產(chǎn)
- 繼晶圓代工大廠臺積電宣布跨入深紫外光(EUV)微影技術(shù)后，全球晶圓(Global Foundries)也在美國時間14日于SEMICON West展會中宣布，投入EUV微影技術(shù)，預(yù)計于2012年下半將機臺導(dǎo)入位于美國紐約的12寸晶圓廠(Fab 8)，將于2014~2015年間正式量產(chǎn)。 由于浸潤式微影(Immersion Lithography)機臺與雙重曝光(double-patterning)技術(shù)，讓微影技術(shù)得以發(fā)展至2x奈米，不過浸潤式微影機臺采用的是 193nm波長的光源，走到22奈米已
- 關(guān)鍵字： 臺積電 EUV 晶圓代工
英特爾認(rèn)為浸入式光刻能延伸到11納米
- 英特爾的先進光刻和制造部的Yan Borodovsky表明,英特爾希望EUV或者無掩模電子束光刻能作為193納米浸入式光刻在11納米的后補者,并聲稱11納米可能發(fā)生在2015年。 Borodovsky表示193nm浸入式光刻技術(shù)可能延伸到分別在2011和2013年的22nm及16nm 中。 在Nikon的年會上許多其它的專家似乎對于EUV光刻也有相似的看法。如Nikon的光刻機設(shè)計部總經(jīng)理Masato Hamatani認(rèn)為,當(dāng)EUV達(dá)到所有的預(yù)定目標(biāo)時,進入量產(chǎn)
- 關(guān)鍵字： 英特爾 11納米 EUV
半導(dǎo)體能支撐未來的發(fā)展
- 相比于2009年今年全球半導(dǎo)體業(yè)的態(tài)勢好了許多，但是仍有少部分人提出質(zhì)疑，2010年有那么好嗎?即具備條件了嗎? 在今年1月由SEMI主辦的工業(yè)策略年會上(ISS)，有些演講者表示一些擔(dān)憂，認(rèn)為雖然半導(dǎo)體業(yè)正在復(fù)蘇的路上，但是制造商們?nèi)匀鄙偌で椋豢侠^續(xù)大幅的投資，以及不太愿意重新擴大招慕員工。 恐怕更大的擔(dān)心來自全球半導(dǎo)體業(yè)間的兼并與重組到來，以及產(chǎn)業(yè)能否支持得起22納米及以下技術(shù)的進步。 IBS的CEO Handle Jones認(rèn)為，雖然工業(yè)正在復(fù)蘇，但是在半導(dǎo)體業(yè)運營中仍面臨成
- 關(guān)鍵字： ASML 半導(dǎo)體 EUV
臺積電取得ASML超紫外光微影設(shè)備以研發(fā)新世代工藝
- TSMC與荷蘭艾司摩爾(ASML)公司今日共同宣布，TSMC將取得ASML公司TWINSCAN™ NXE:3100 - 超紫外光(Extreme Ultra-violet，EUV)微影設(shè)備，是全球六個取得這項設(shè)備的客戶伙伴之一。 這項設(shè)備將安裝于TSMC的超大晶圓廠(GigaFab™)-臺積十二廠，用以發(fā)展新世代的工藝技術(shù)。TSMC也將成為全球第一個可以在自身晶圓廠發(fā)展超紫外光微影技術(shù)的專業(yè)集成電路制造服務(wù)業(yè)者。 相較于現(xiàn)行浸潤式微影技術(shù)以193納米波長當(dāng)作光源，超
- 關(guān)鍵字： 臺積電 EUV 微影設(shè)備 ASML
三項半導(dǎo)體新技術(shù)投入使用的時間將后延至2015-2016年
- 半導(dǎo)體技術(shù)市場權(quán)威分析公司IC Insights近日發(fā)布的報告顯示，按照他們的估計，450mm技術(shù)以及極紫外光刻技術(shù)(EUV)投入實用的時間點將再度后延。 據(jù)IC Insights預(yù)計，基于450mm技術(shù)的芯片廠需要到2015-2016年左右才有望開始實用化建設(shè)--比預(yù)期的時間點后延了兩年左右。另外，預(yù)計16nm級別制程技術(shù)中也不會應(yīng)用EUV光刻技術(shù)，這項技術(shù)會被后延到2015年，在13nm級別的工藝制程中投入實用。 另外一項較新的半導(dǎo)體制造技術(shù)，可用于制造3D堆疊式芯片的硅通孔技術(shù)(TS
- 關(guān)鍵字： EUV 光刻 450mm
EUV: 一場輸不起的賭局
- 2010年， ASML將有5臺最先進的EUV設(shè)備整裝發(fā)往全球的5家客戶。業(yè)界傳言，最新的NXE3100系統(tǒng)將發(fā)送給3家頂級存儲器廠商和2家頂級邏輯廠商。EUV勝利的曙光正在向我們招手，雖然目前工程師們還在荷蘭Veldhoven專為EUV新建的大樓中忙碌，在設(shè)備出廠前，解決正在發(fā)生的問題，并預(yù)測著各種可能發(fā)生的問題及解決方案。 人們談?wù)揈UV的各種技術(shù)問題已歷時數(shù)年，因為其波長較目前的193nm縮短10倍以上，EUV一直是通往22nm的實力派參賽選手之一。與此同時，延伸immersion技術(shù)，用其
- 關(guān)鍵字： ASML EUV 22nm
high-na euv介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條high-na euv!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對high-na euv的理解，并與今后在此搜索high-na euv的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對high-na euv的理解，并與今后在此搜索high-na euv的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
high-na euv電路
high-na euv相關(guān)帖子
high-na euv資料下載
high-na euv專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473