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gan systems 文章進入gan systems技術社區(qū)

ViXS Systems與高通創(chuàng)銳訊開發(fā)下一代家庭網(wǎng)絡媒體網(wǎng)關

ViXS Systems今日宣布，其正在與高通創(chuàng)銳訊合作開發(fā)n-Screen家庭多媒體網(wǎng)關平臺，這一平臺可以在廣泛使用的任何家庭網(wǎng)絡，包括Wi-Fi、Multimedia over Coax Alliance (同軸電纜多媒體聯(lián)盟MoCA)、HomePlug電力線和以太網(wǎng)上，將多條高清數(shù)據(jù)流無縫傳送到移動和固定屏幕設備中。
關鍵字： ViXS Systems 家庭網(wǎng)絡 n-Screen

Touch Panel Systems擴充產(chǎn)品群

　　日本Touch Panel Systems投產(chǎn)了5款帶觸摸面板的15～21.5英寸液晶顯示器新產(chǎn)品，以及帶觸摸面板的55英寸數(shù)字標牌用大尺寸液晶顯示器。　　Touch Panel Systems對5款帶觸摸面板的15～21.5英寸液晶顯示器新產(chǎn)品的定位是，通過提供多種畫面尺寸和觸摸面板方式選項，廣泛滿足使用POS系統(tǒng)及Kiosk終端的店鋪及流通領域和待客服務領域的需求。此次投產(chǎn)了畫面尺寸為15英寸的“1515L”、17英寸的“1715L”、15.6英
關鍵字： Touch Panel Systems 觸摸屏液晶顯示器

利用氬氣改善p型GaN LED的性能

如果你想要得到顯著的摻雜剖面結構及低阻值的p型GaN，那么就要考慮把你的載體氣體由氫氣置換成氬氣。作者：Vla...
關鍵字： GaN LED

采用GaN LED的便攜式DNA分析儀

在當今社會，DNA分析的重要性毋庸置疑。就拿上個月發(fā)生的案例來說：英國倫敦一位名叫DamilolaTaylor的十歲男孩...
關鍵字： GaN LED

大功率LED關鍵材料GaN開始侵食硅功率MOSFET市場

超級半導體材料GaN(氮化鎵)的時代正開啟。它比傳統(tǒng)的硅和GaAs(砷化鎵)更加耐壓，已成為大功率LED的關鍵材料之...
關鍵字： LED GaN MOSFET

硅襯底LED芯片主要制造工藝解析

1993年世界上第一只GaN基藍色LED問世以來，LED制造技術的發(fā)展令人矚目。目前國際上商品化的GaN基LED均是...
關鍵字： LED芯片硅襯底 GaN

硅襯底上GaN基LED的研制進展

Ⅲ族氮化物半導體材料廣泛用于紫、藍、綠和白光發(fā)光二極管，高密度光學存儲用的紫光激光器，紫外光探測器，...
關鍵字： MOCVD GaN LED芯片

一種S波段寬帶GaN放大器的設計

摘要：氮化鎵功率管的寬帶隙、高擊穿電場等特點，使其具有帶寬寬，高效特性等優(yōu)點。為了研究GaN功率放大器的特點，使用了Agilent ADS等仿真軟件，進行電路仿真設計，設計制作了一種S波段寬帶GaN功率放大器。詳述了電
關鍵字： GaN S波段寬帶放大器

GaN基量子阱紅外探測器的設計

摘要：為了實現(xiàn)GaN基量子阱紅外探測器，利用自洽的薛定諤-泊松方法對GaN基多量子阱結構的能帶結構進行了研究。考慮了GaN基材料中的自發(fā)極化和壓電極化效應，通過設計適當?shù)牧孔于褰Y構，利用自發(fā)極化和壓電極化的互補
關鍵字：設計探測器紅外量子 GaN

一種GaN寬禁帶功率放大器的設計

氮化鎵(GaN)作為第三代半導體材料的典型代表之一，由于其寬帶隙、高擊穿電場強度等特點，被認為是高頻功率半導體器件的理想材料。為研究GaN功率放大器的特點，基于Agilent ADS仿真軟件，利用負載／源牽引方法設計制作了一種S波段GaN寬禁帶功率放大器(10W)。詳細說明了設計步驟并對放大器進行了測試，數(shù)據(jù)表明放大器在2．3～2．4 GHz范圍內(nèi)可實現(xiàn)功率超過15W，附加效率超過67％的輸出。實驗結果證實，GaN功率放大器具有高增益、高效率的特點。
關鍵字：設計功率放大器 GaN 一種

Renesas RX 系列產(chǎn)品從開發(fā)軟件兼容性中獲益

　　IAR Systems今日宣布在為Renesas RX定制的IAR Embedded Workbench集成開發(fā)環(huán)境中支持應用程序二進制(ABI)接口，從而能夠兼容于其他Renesas RX工具鏈的輸出。當編譯器對于軟件重用放低門檻后，基于組件的應用程序開發(fā)將變得更為簡單，并大大節(jié)約了開發(fā)時間和工程成本。　　任何與Renesas RX ABI 相兼容的工具鏈所編譯的軟件都可以被鏈接到IAR Embedded Workbench集成開發(fā)環(huán)境中。比如，原先在Renesas的專用工具上開發(fā)完成的硬件驅動
關鍵字： IAR Systems

基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術

目前國際上商品化的GaN基LED均是在藍寶石襯底或SiC襯底上制造的。但藍寶石由于硬度高、導電性和導熱性差等原因，對后期器件加工和應用帶來很多不便，SiC同樣存在硬度高且成本昂貴的不足之處，而價格相對便宜的Si襯底由于有著優(yōu)良的導熱導電性能和成熟的器件加工工藝等優(yōu)勢，因此Si襯底GaN基LED制造技術受到業(yè)界的普遍關注。
關鍵字： GaN LED 襯底功率型

GaN功率半導體市場將迅速增長，2013年市場規(guī)模達1.8億

　　美國iSuppli公布了關于GaN(氮化鎵)功率半導體市場將迅速增長的調查報告)。報告顯示，2010年的市場規(guī)模近乎為零，但3年后到2013年將猛增至1.836億美元。各廠商將以替代現(xiàn)有功率MOSFET的方式，不斷擴大市場規(guī)模。iSuppli預測，該產(chǎn)品在高性能服務器、筆記本電腦、手機及有線通信設備等方面的應用將取得進展。　　目前，GaN功率半導體正處于在研究室評測階段，或者剛開始商用化的階段。不過，GaN功率半導體與采用Si(硅)的功率MOSFET相比，具有導通電阻較低等優(yōu)點，可提高電源電路的轉
關鍵字： GaN MOSFET

ADI助力Northern Power Systems的風輪機設計

隨著傳統(tǒng)燃料生產(chǎn)和消耗所導致的環(huán)境和經(jīng)濟問題與日俱增，清潔的可再生能源市場應運而生。作為一種彌補石油、...
關鍵字： ADI 風輪機 Northern Power Systems

SiC襯底X波段GaN MMIC的研究

使用國產(chǎn)6H―SiC襯底的GaN HEMT外延材料研制出高工作電壓、高輸出功率的A1GaN／GaN HEMT。利用ICCAP軟件建立器件大信號模型，利用ADS軟件仿真優(yōu)化了雙級GaNMMIC，研制出具有通孔結構的GaN MMIC芯片，連續(xù)波測試顯示，頻率為9．1～10．1 GHz時連續(xù)波輸出功率大于10W，帶內(nèi)增益大于12 dB，增益平坦度為±0．2 dB。該功率單片為第一個采用國產(chǎn)SiC襯底的GaN MMIC。
關鍵字： MMIC SiC GaN 襯底

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8.1 LKAS：ISO-11270-2014 Intelligent transport systems — Lane keeping assistance systems (LKAS) —Performance requirements and test procedures
1.3.FSRA：ISO15622-2018Intelligent transport systems —Adaptive cruise control systems — Performance requirements and test procedures
1.2 ACC：ISO 15622-2010 Intelligent transport systems — Adaptive Cruise Control systems — Performance requirements and test procedures
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