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      EEPW首頁 >> 主題列表 >> gan mos driver

      硅襯底LED芯片主要制造工藝解析

      • 1993年世界上第一只GaN基藍色LED問世以來,LED制造技術(shù)的發(fā)展令人矚目。目前國際上商品化的GaN基LED均是...
      • 關(guān)鍵字: LED芯片  硅襯底  GaN    

      硅襯底上GaN基LED的研制進展

      • Ⅲ族氮化物半導體材料廣泛用于紫、藍、綠和白光發(fā)光二極管,高密度光學存儲用的紫光激光器,紫外光探測器,...
      • 關(guān)鍵字: MOCVD  GaN  LED芯片    

      MOS管短溝道效應及其行為建模

      • 1 引 言  目前,實現(xiàn)微電路最常用的技術(shù)是使用MOS晶體管。隨著科學技術(shù)的發(fā)展,集成電路的集成密度不斷地在提高,MOS晶體管器件的尺寸也逐年縮小, 當MOS管的溝道長度小到一定值之后,出現(xiàn)的短溝道效應將對器件的特性
      • 關(guān)鍵字: 行為  建模  及其  效應  管短溝  MOS  

      一種S波段寬帶GaN放大器的設計

      • 摘要:氮化鎵功率管的寬帶隙、高擊穿電場等特點,使其具有帶寬寬,高效特性等優(yōu)點。為了研究GaN功率放大器的特點,使用了Agilent ADS等仿真軟件,進行電路仿真設計,設計制作了一種S波段寬帶GaN功率放大器。詳述了電
      • 關(guān)鍵字: GaN  S波段  寬帶  放大器    

      GaN基量子阱紅外探測器的設計

      • 摘要:為了實現(xiàn)GaN基量子阱紅外探測器,利用自洽的薛定諤-泊松方法對GaN基多量子阱結(jié)構(gòu)的能帶結(jié)構(gòu)進行了研究??紤]了GaN基材料中的自發(fā)極化和壓電極化效應,通過設計適當?shù)牧孔于褰Y(jié)構(gòu),利用自發(fā)極化和壓電極化的互補
      • 關(guān)鍵字: 設計  探測器  紅外  量子  GaN  

      電源變壓器的MOS場效應管逆變器制作

      • 這里介紹的逆變器(見圖1)主要由MOS場效應管,普通電源變壓器構(gòu)成。其輸出功率取決于MOS場效應管和電源變壓器的功率,免除了煩瑣的變壓器繞制,適合電子愛好者業(yè)余制作中采用。下面介紹該變壓器的工作原理及制作過程。
      • 關(guān)鍵字: 逆變器  制作  效應  MOS  變壓器  電源  

      舞臺功放MOS管改裝方法

      • 以ODL牌QSA-2400專業(yè)功放為例(電路見中圖)。改裝后對應電路見下圖。由于MOS管與三極管驅(qū)動電壓差異。為了保證電壓推動管靜態(tài)工作點基本保持不變,要重新選擇R26和R27的阻值。Q22三極管原發(fā)射極電阻上的電壓為3V.現(xiàn)改
      • 關(guān)鍵字: 方法  改裝  MOS  功放  舞臺  

      基于MOS開關(guān)的高頻高壓脈沖源中電磁兼容問題研究

      • 摘要:本文研究了基于MOS固態(tài)開關(guān)的高頻高壓脈沖源中的電磁兼容問題,通過分析其干擾信號頻譜分布及傳播路徑,制定了以屏蔽和濾波為主的電磁兼容方案,最終實現(xiàn)了重復頻率80kHz,4kV脈沖源,實驗驗證了電磁兼容措施的
      • 關(guān)鍵字: 電磁兼容  問題  研究  脈沖  高壓  MOS  開關(guān)  高頻  基于  

      MOS-FET與電子管OTL功放的制作

      MOS—FET末級無負反饋蓄電池供電甲類6瓦功率放大器

      • MOS—FET末級無負反饋蓄電池供電甲類6瓦功率放大器
      • 關(guān)鍵字: 功率放大器  MOS—FET  

      MOS—FET甲乙類功率放大器

      MOS管驅(qū)動電路綜述連載(三)

      • 相對通用的電路電路圖如下:圖1用于NMOS的驅(qū)動電路圖2用于PMOS的驅(qū)動電路這里只針對NMOS...
      • 關(guān)鍵字: MOS  驅(qū)動電路  

      MOS管驅(qū)動電路綜述連載(二)

      • 現(xiàn)在的MOS驅(qū)動,有幾個特別的應用1、低壓應用當使用5V電源,這時候如果使用傳統(tǒng)的圖騰柱結(jié)構(gòu),由于...
      • 關(guān)鍵字: MOS  

      MOS管驅(qū)動電路綜述連載(一)

      • 在使用MOS管設計開關(guān)電源或者馬達驅(qū)動電路的時候,大部分人都會考慮MOS的導通電阻,最大電壓等,最大電流等,也有很...
      • 關(guān)鍵字: MOS  

      MOSFET分析:選擇一款節(jié)能、高效的MOSFET

      • 前不久,能源之星發(fā)布了2.0版外部電源能效規(guī)范。新規(guī)范大幅提高了工作頻率要求,同時進一步降低待機功耗要求。...
      • 關(guān)鍵字: mos  
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      gan mos driver介紹

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