gan mos driver 文章 進入gan mos driver技術(shù)社區(qū)
高精度的功率轉(zhuǎn)換效率測量
- 目前，電動汽車和工業(yè)馬達的可變速馬達驅(qū)動系統(tǒng)，其低損耗·高效率·高頻率的性能正在不斷進化。因為使用了以低電阻、高速開關(guān)為特點的SiC和GaN等新型功率元件的PWM變頻器和AC/DC轉(zhuǎn)換器、DC/DC轉(zhuǎn)換器，其應用系統(tǒng)的普及正在不斷加速。構(gòu)成這些系統(tǒng)的變頻器·轉(zhuǎn)換器·馬達等裝置的開發(fā)與測試則需要相較以前有著更高精度、更寬頻帶、更高穩(wěn)定性的能夠迅速測量損耗和效率的測量系統(tǒng)。 各裝置的損耗和效率與裝置的輸入功率和輸出功率同時測量，利用它們的差和比
- 關(guān)鍵字： SiC GaN 電流傳感器
GaN技術(shù)和潛在的EMI影響
- 1月出席DesignCon 2015時，我有機會聽到一個由Efficient Power Conversion 公司CEO Alex Lidow主講的有趣專題演講，談到以氮化鎵(GaN)技術(shù)進行高功率開關(guān)組件(Switching Device)的研發(fā)。我也有幸遇到“電源完整性 --在電子系統(tǒng)測量、優(yōu)化和故障排除電源相關(guān)參數(shù)(Power Integrity - Measuring, Optimizing, and Troubleshooting Power Related Parameter
- 關(guān)鍵字： GaN EMI
低待機功耗電源方案選擇
- 歐盟EUP環(huán)保指令你知道嗎?你知道此指令對靜態(tài)能耗有什么要求嗎?我們產(chǎn)品上需要怎樣應對呢?下面給你解決此問題的電源供電方案。 2009年1月6日，歐盟電子類產(chǎn)品待/關(guān)機模式之EuP能耗指令執(zhí)行措施已正式生效，其生態(tài)化設計要求與去年7月經(jīng)歐盟生態(tài)化設計管理委員會批準的工作草案相同。廠商需在2010年1月6日前達到第一階段的要求，2013年1月6日達到第二階段要求。 圖1 Eup圖標 我們來了解一下EuP能耗指令第二階段的具體要求， 1、產(chǎn)品在關(guān)機或待機
- 關(guān)鍵字： MOS AC-DC
英飛凌攜高能效增強模式和共源共柵配置硅基板GaN平臺組合亮相2015年應用電力電子會議暨展覽會（APEC）
- 英飛凌科技股份公司今日宣布擴充其硅基氮化鎵(GaN)技術(shù)和產(chǎn)品組合。目前，英飛凌提供專為要求超高能效的高性能設備而優(yōu)化的增強模式和級聯(lián)模式GaN平臺，包括服務器、電信設備、移動電源等開關(guān)電源應用以及諸如Class D音頻系統(tǒng)的消費電子產(chǎn)品。GaN技術(shù)可以大幅地縮小電源的尺寸和減輕電源的重量，這將為GaN產(chǎn)品在諸如超薄LED電視機等終端產(chǎn)品市場開辟新的機會。 英飛凌科技股份公司電源管理及多元化市場事業(yè)部總裁Andreas Urschitz表示：“英飛凌的硅基GaN產(chǎn)品組合，結(jié)合公司了所
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 GaN
英飛凌將與松下電器聯(lián)袂 雙雙推出常閉型600VGaN功率器件
- 英飛凌科技股份公司和松下電器公司宣布，兩家公司已達成協(xié)議，將聯(lián)合開發(fā)采用松下電器的常閉式(增強型)硅基板氮化鎵(GaN)晶體管結(jié)構(gòu)，與英飛凌的表貼(SMD)封裝的GaN器件。在此背景下，松下電器向英飛凌授予了使用其常閉型GaN晶體管結(jié)構(gòu)的許可。按照這份協(xié)議的規(guī)定，兩家公司均可生產(chǎn)高性能GaN器件。由此帶來的益處是客戶可以從兩條渠道獲得采用可兼容封裝的GaN功率開關(guān)。迄今為止，沒有任何其他硅基板GaN器件提供了這樣的供貨組合，雙方商定不披露任何其他合同細節(jié)。 作為新一代化合物半導體技術(shù)，硅基板Ga
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 松下 GaN
英飛凌將與松下電器聯(lián)袂，雙雙推出常閉型600V GaN功率器件
- 英飛凌科技股份公司和松下電器公司宣布，兩家公司已達成協(xié)議，將聯(lián)合開發(fā)采用松下電器的常閉式(增強型)硅基板氮化鎵(GaN)晶體管結(jié)構(gòu)，與英飛凌的表貼(SMD)封裝的GaN器件。在此背景下，松下電器向英飛凌授予了使用其常閉型GaN晶體管結(jié)構(gòu)的許可。按照這份協(xié)議的規(guī)定，兩家公司均可生產(chǎn)高性能GaN器件。由此帶來的益處是客戶可以從兩條渠道獲得采用可兼容封裝的GaN功率開關(guān)。迄今為止，沒有任何其他硅基板GaN器件提供了這樣的供貨組合。雙方商定不披露任何其他合同細節(jié)。 作為新一代化合物半導體技術(shù)，硅基板Ga
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 GaN
場效應管工作原理- -場效應管工作原理也瘋狂
- 一、場效應管的工作原理- -概念 場效應管(FET)是場效應晶體管(field-effect transistor)的簡稱，由于它僅靠半導體中的多數(shù)載流子導電，也稱為單極性場效應管，是一種常見的利用輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種電壓控制性半導體器件，場效應管不但具有雙極性晶體管體積小、重量輕、壽命長等優(yōu)點，而且輸入回路的內(nèi)阻高達107~1012Ω，噪聲低，熱穩(wěn)定性好，抗輻射能力強，且比后者耗電省，這些優(yōu)點使之從20世紀60年代誕生起就廣泛地應用于各種電子電路之中。 二、
- 關(guān)鍵字： 場效應管 MOS JFET 場效應管工作原理
高增益高線性度CMOS偶次諧波混頻器設計
- 混頻器是無線收發(fā)機中的核心模塊， 對整個系統(tǒng)的性能具有很大影響。線性度、轉(zhuǎn)換增益是衡量一個混頻器性能的重要指標。 在接收機中， 混頻器具有一定的轉(zhuǎn)換增益可以降低混頻器后面各級模塊設計的難度， 有利于提高系統(tǒng)噪聲性能和靈敏度。線性度決定了混頻器能處理的最大信號強度。隨著現(xiàn)代通訊系統(tǒng)對性能要求越來越高， 無論是應用于接收機系統(tǒng)的下變頻器(本文指的混頻器) ， 還是應用于發(fā)射機系統(tǒng)中的上變頻器都要求具有較高的線性度。因此設計具有高增益和高線性度的混頻器就成為業(yè)界一直研究的熱點。 在CMOS電路設
- 關(guān)鍵字： MOS 諧波混頻器
你造嗎？ 四大MOSFET實用技巧
- MOSFET是一個時代產(chǎn)物,隨著MOSFET技術(shù)的進展，特別是大電流、小封裝、低功耗的單芯片MOSFET出現(xiàn)，它的開關(guān)速度快/輸入阻抗大/熱穩(wěn)定性好等等優(yōu)點,已經(jīng)成為工程師們的首選。 在EEPW論壇呆久了，看了好多網(wǎng)友問起MOS管的事情，有很多童靴對MOS管的使用不是很熟悉，今天有空給大家說幾個關(guān)于MOSFET的技巧的幾個實用技巧的事情。 為了把問題說的明白些，還是有必要把MOS管的身世先介紹一下。 MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道
- 關(guān)鍵字： MOSFET MOS
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