gan mos driver 文章進(jìn)入gan mos driver技術(shù)社區(qū)

對(duì)抗性神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)憑啥入選MIT2018十大突破性技術(shù)

　　日前，《麻省理工科技評(píng)論》刊文評(píng)出了2018年十大突破性技術(shù)，“對(duì)抗性神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)”(GAN)赫然在列。　　什么是對(duì)抗性神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)?為什么它能入選MIT十大突破性技術(shù)?它的發(fā)展脈絡(luò)如何?與我們此前耳熟能詳?shù)纳窠?jīng)網(wǎng)絡(luò)有什么區(qū)別?能夠應(yīng)用在人工智能的哪些場(chǎng)景?還有哪些關(guān)鍵問(wèn)題有待攻克? 　　　　中國(guó)自動(dòng)化學(xué)會(huì)混合智能專委會(huì)副主任、中國(guó)人工智能學(xué)會(huì)機(jī)器學(xué)習(xí)專委會(huì)常委、復(fù)旦大學(xué)博士生導(dǎo)師張軍平教授在接受科技日?qǐng)?bào)記者采訪時(shí)做了深入淺出的解釋。　　故事中的GAN
關(guān)鍵字：對(duì)抗性神經(jīng)網(wǎng)絡(luò) GAN

AI版“雙手互搏”有多牛？

什么是對(duì)抗性神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)?為什么它能入選MIT十大突破性技術(shù)?它的發(fā)展脈絡(luò)如何?與我們此前耳熟能詳?shù)纳窠?jīng)網(wǎng)絡(luò)有什么區(qū)別?能夠應(yīng)用在人工智能的哪些場(chǎng)景?還有哪些關(guān)鍵問(wèn)題有待攻克?
關(guān)鍵字： AI GAN

GaN是5G最好選擇手機(jī)端應(yīng)用現(xiàn)實(shí)嗎？

　　超密集組網(wǎng)通過(guò)增加基站部署密度，可實(shí)現(xiàn)頻率復(fù)用效率的巨大提升，并且?guī)?lái)可觀的容量增長(zhǎng)，未來(lái)隨著基站數(shù)量的增加，基站內(nèi)射頻器件的需求也將隨之大幅提升。高通預(yù)測(cè)，射頻前端的市場(chǎng)規(guī)模預(yù)估到2020年將達(dá)到180億美元。Small Cell Forum預(yù)測(cè)，全球小基站市場(chǎng)空間有望在2020年超過(guò)60億美元。　　Qorvo亞太區(qū)FAE高級(jí)經(jīng)理?xiàng)罴? 　　有業(yè)內(nèi)分析師就表示，3.5GHz以上所有宏基站部署將看到GaN逐步取代LDMOS，同時(shí)，GaAs也將從小型基站網(wǎng)絡(luò)的需求增長(zhǎng)中受益。Qorvo亞太區(qū)FA
關(guān)鍵字： GaN 5G

慕展：功率電子、微波通信、阻容感、材料、結(jié)構(gòu)件領(lǐng)域的最新產(chǎn)品都在世強(qiáng)

　　慕尼黑上海電子展舉辦，作為亞洲第一電子大展，展會(huì)吸引了數(shù)萬(wàn)名電子行業(yè)的觀眾到場(chǎng)參觀學(xué)習(xí)。而全球先進(jìn)的元件分銷商——世強(qiáng)元件電商，則攜物聯(lián)網(wǎng)、汽車、微波通信、功率電子、工業(yè)控制及自動(dòng)化、結(jié)構(gòu)件、阻容感、材料、測(cè)試測(cè)量等九大領(lǐng)域的最新產(chǎn)品及方案亮相?！　{借集成電路、元件、材料、部件、儀器、阻容感等全品類的電子元器件展示，以及NB-IOT、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、無(wú)線充電與快充、工業(yè)4.0、人工智能、樓宇照明、智能網(wǎng)聯(lián)汽車、新能源汽車、5G通信、藍(lán)牙Mesh等眾多熱門市場(chǎng)的最新產(chǎn)品的展示，世強(qiáng)元件電商吸引了大批工程師
關(guān)鍵字： SiC GaN

新工廠，新起點(diǎn)：安世半導(dǎo)體駛?cè)肟燔嚨溃?/a>

　　2018年3月6日，Nexperia(安世半導(dǎo)體)公司廣東分立器件封裝和測(cè)試新工廠正式投產(chǎn)，該工廠將重點(diǎn)解決產(chǎn)能問(wèn)題，用于支持Nexperia后續(xù)業(yè)務(wù)發(fā)展規(guī)劃。　　【安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司廣東后道工廠】　　據(jù)Nexperia首席運(yùn)營(yíng)官Sean Hunkler介紹，新工廠投產(chǎn)之后，Nexperia全年總產(chǎn)量將超過(guò)1千億件。除了提供SOT23、SOD323和523、SOT223、SOT143、MCD、Ucsp、Flip Chip等封裝外，還提供安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司開(kāi)發(fā)的最新封裝，包括

關(guān)鍵字：安世 GaN

TI推出業(yè)內(nèi)最小、最快的GaN驅(qū)動(dòng)器，擴(kuò)展其GaN電源產(chǎn)品組合

　　德州儀器(TI)(NASDAQ: TXN) 近日宣布推出兩款新型高速氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)驅(qū)動(dòng)器，進(jìn)一步擴(kuò)展了其業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的GaN電源產(chǎn)品組合，可在激光雷達(dá)(LIDAR)以及5G射頻(RF)包絡(luò)追蹤等速度關(guān)鍵應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更高效、性能更高的設(shè)計(jì)。LMG1020和LMG1210可在提供50 MHz的開(kāi)關(guān)頻率的同時(shí)提高效率，并可實(shí)現(xiàn)以往硅MOSFET無(wú)法實(shí)現(xiàn)的5倍更小尺寸解決方案。欲了解更多信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)www.ti.com.cn/lmg1020-pr-cn和www.
關(guān)鍵字： TI GaN

2018年全球十大突破性技術(shù)是如何產(chǎn)生的？

　　《麻省理工科技評(píng)論》于近日揭曉2018 年“全球十大突破性技術(shù)”，這份全球新興科技領(lǐng)域的權(quán)威榜單至今已經(jīng)有 17 年的歷史。　　1、給所有人的人工智能 AI for everyone 　　入選理由：將機(jī)器學(xué)習(xí)工具搬上云端，將有助于人工智能更廣泛的傳播　　重大意義：目前，人工智能的應(yīng)用是受到少數(shù)幾家公司統(tǒng)治的。但其一旦與云技術(shù)相結(jié)合，那它將可以對(duì)許多人變得觸手可及，從而實(shí)現(xiàn)經(jīng)濟(jì)的爆發(fā)式增長(zhǎng)。　　主要研究者：Google,亞馬遜，阿里云，騰訊云，百度云，金山云，京東云
關(guān)鍵字：機(jī)器學(xué)習(xí) GAN

氮化鎵襯底晶片實(shí)現(xiàn)“中國(guó)造”

　　一枚看似不起眼、“又輕又薄”的晶片，卻能做出高功率密度、高效率、寬頻譜、長(zhǎng)壽命的器件，是理論上電光、光電轉(zhuǎn)換效率最高的材料體系。這個(gè)“小身體大能量”的晶片叫作氮化鎵(GaN)襯底晶片，是蘇州納維科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱蘇州納維)的主打產(chǎn)品。　　“不會(huì)游泳的時(shí)候就跳下了水” 　　蘇州納維依托中科院蘇州納米所而建。作為中國(guó)首家氮化鎵襯底晶片供應(yīng)商，團(tuán)隊(duì)從氮化鎵單晶材料氣相生長(zhǎng)的設(shè)備開(kāi)始研發(fā)，逐步研發(fā)成功1英寸、2英寸、4英寸、6
關(guān)鍵字： GaN 氮化鎵

宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）于CES? 2018展覽展示基于GaN技術(shù)的大面積無(wú)線電源及高分辨率激光雷達(dá)應(yīng)用

　　EPC公司將于2018年1月9日至12日在美國(guó)拉斯維加斯舉行的國(guó)際消費(fèi)電子展(CES? 2018)展示eGaN?技術(shù)如何實(shí)現(xiàn)兩種改變業(yè)界游戲規(guī)則的消費(fèi)電子應(yīng)用 -- 分別是無(wú)線充電及自動(dòng)駕駛汽車的激光雷達(dá)應(yīng)用?！　PC將在AirFuel聯(lián)盟于CES 2018展覽攤位攜手合作展示基于氮化鎵器件并嵌入桌面的無(wú)線充電系統(tǒng)，可以在桌面上任何位置對(duì)多種設(shè)備同時(shí)充電，可傳送高達(dá)300 W功率?？蓚魉瓦@么大功率使得我們可以同時(shí)對(duì)電腦、電腦顯示器、桌燈、掌上型電腦及
關(guān)鍵字：宜普 GaN

如何設(shè)計(jì)防反接保護(hù)電路？

如何設(shè)計(jì)防反接保護(hù)電路？-利用MOS管的開(kāi)關(guān)特性，控制電路的導(dǎo)通和斷開(kāi)來(lái)設(shè)計(jì)防反接保護(hù)電路，由于功率MOS管的內(nèi)阻很小，解決了現(xiàn)有采用二極管電源防反接方案存在的壓降和功耗過(guò)大的問(wèn)題。
關(guān)鍵字： mos

揭秘高效電源如何選擇合適的MOS管

揭秘高效電源如何選擇合適的MOS管-在當(dāng)今的開(kāi)關(guān)電源設(shè)備中，MOS管的特性、寄生參數(shù)和散熱條件都會(huì)對(duì)MOS管的工作性能產(chǎn)生重大影響。因此深入了解功率MOS管的工作原理和關(guān)鍵參數(shù)對(duì)電源設(shè)計(jì)工程師至關(guān)重要。
關(guān)鍵字： MOS 電源

制造能耗變革從新一代半導(dǎo)體開(kāi)始

　　接近62%的能源被白白浪費(fèi) 　　美國(guó)制造創(chuàng)新網(wǎng)絡(luò)(目前稱為MgfUSA)已經(jīng)闡明了美國(guó)制造業(yè)規(guī)劃的聚焦點(diǎn)在材料與能源。清潔能源智能制造CESMII中的清潔能源與能源互聯(lián)網(wǎng)自不必說(shuō)，而在復(fù)合材料IACMI和輕量化研究院LIFT中都關(guān)注到了汽車減重設(shè)計(jì)，本身也是為了降低能源消耗的問(wèn)題。在美國(guó)第二個(gè)創(chuàng)新研究院“美國(guó)電力創(chuàng)新研究院” Power Amercia(PA)其關(guān)注點(diǎn)同樣在于能源的問(wèn)題。這是一個(gè)關(guān)于巨大的能源市場(chǎng)的創(chuàng)新中心。　　　　圖1：整體的能源轉(zhuǎn)換效率約在38
關(guān)鍵字： SiC GaN

GaN器件開(kāi)路 5G將重塑RF產(chǎn)業(yè)

　　未來(lái)五年，通信產(chǎn)業(yè)向5G時(shí)代的革命性轉(zhuǎn)變正在深刻重塑RF(射頻)技術(shù)產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀。這不僅是針對(duì)智能手機(jī)市場(chǎng)，還包括3W應(yīng)用RF通信基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用，并且，5G將為RF功率市場(chǎng)的化合物半導(dǎo)體技術(shù)帶來(lái)重大市場(chǎng)機(jī)遇。　　未來(lái)幾年，據(jù)Yole最新發(fā)布的《RF功率市場(chǎng)和技術(shù)趨勢(shì)-2017版》報(bào)告預(yù)計(jì)，隨著電信基站升級(jí)和小型基站部署的需求增長(zhǎng)，RF功率市場(chǎng)將獲得強(qiáng)勁增長(zhǎng)。2016~2022年期間，整體RF功率市場(chǎng)營(yíng)收或?qū)⒃鲩L(zhǎng)75%，帶來(lái)9.8%的復(fù)合年增長(zhǎng)率。這意味著市場(chǎng)營(yíng)收規(guī)模將從2016年的15億美元增長(zhǎng)至202
關(guān)鍵字： GaN 5G