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            三星芯片部總裁：全球芯片需求形勢好于預期
            
                                                            
              
                    	
            • 　　據(jù)國外媒體報道，三星電子芯片部門總裁權五鉉(Oh-Hyun Kwon)周二表示，全球芯片需求形勢好于公司原來預期，因此三星電子正在提高芯片產量以滿足市場需求。
　　權五鉉將需求提升歸功于企業(yè)重建庫存以及政府的經濟刺激政策。
　　在臺北的新聞發(fā)布會上，權五鉉舉例道個人電腦用的DDR3芯片的需求就非常強勁。三星電子正在臺北舉行一個關于手機行業(yè)的論壇。
　　他表示，三星正在提高DDR3芯片的產量，預計將有助于結束市場供給短缺的現(xiàn)象。
　　權五鉉表示，此前由于制造商產能過度擴張，DRAM(動態(tài)隨機存取
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            • 關鍵字：
                        三星  DRAM  DDR3  液晶面板  記憶體芯片                          
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            4大DRAM廠現(xiàn)金正流入　華亞科、力晶、茂德飛越現(xiàn)金成本線
            
                                                            
              
                    	
            • 　　DRAM價格漲不停，1Gb容量DDR2價格直逼2美元，苦熬多時的臺系DRAM廠終于進入現(xiàn)金正流入的狀態(tài)，包括華亞科、力晶和茂德營運都終止失血，南亞科在自己晶圓廠生產部分也開始有現(xiàn)金流入，但采購自華亞科的部分，受到母子公司拆帳仍是Margin-Sharing模式，因此部分還是現(xiàn)金流出，但以整個臺塑集團的DRAM事業(yè)來看，已進入現(xiàn)金正流入狀態(tài)，下一步臺系DRAM業(yè)者的目標是轉虧為盈。
　　4 大DRAM廠2008年虧損金額超過新臺幣1,000億元，眼看龍頭廠三星電子(Samsung Electronic
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            • 關鍵字：
                        力晶  DRAM  DDR2                          
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            IBM制成32nm SOI嵌入式DRAM 
            
                                                            
              
                    	
            • 　　IBM宣布已制成32nm SOI嵌入式DRAM測試芯片，并稱該芯片是半導體業(yè)界面積最小、密度最高、速度最快的片上動態(tài)存儲器。
　　IBM表示，使用SOI技術可使芯片性能提高30%，功耗降低40%。IBM還表示，基于SOI技術的嵌入式DRAM每個存儲單元只有一個單管，和32nm、22nm的片上SRAM相比，具有更理想的密度和速度。
　　IBM的這款32nm SOI嵌入式DRAM周期時間可以小于2納秒，與同類SRAM相比待機功耗降低4倍，軟錯誤率降低1000多倍，功耗也大大減少。
　　IBM希望將3
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            • 關鍵字：
                        IBM  32nm  DRAM  動態(tài)存儲器                          
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            摩根士丹利：計算機存儲芯片市場已復蘇
            
                                                            
              
                    	
            • 　　據(jù)國外媒體報道，投資銀行摩根士丹利在周一表示，在經歷了三年的衰退之后，計算機存儲芯片市場已開始復蘇，預計此次復蘇將會持續(xù)兩年的時間。
　　摩根士丹利分析師韓亙(Keon Han)在周一的報告中指出，DRAM芯片銷售在2010年將會達到224億美元，較今年的184億美元增長21%。在摩根士丹利分析師上調了三星電子、海力士和三家臺灣芯片制造商的股價預期之后，韓國和臺灣芯片股周一普遍出現(xiàn)上漲。
　　瑞薩科技在周一表示，該公司計劃在下月上調芯片售價。瑞薩科技此舉表示，芯片制造商正在走出去年供給過剩以及虧損
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            • 關鍵字：
                        海力士  DRAM  存儲芯片                          
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            茂德科技將與臺灣記憶體合作研發(fā)生產芯片
            
                                                            
              
                    	
            • 　　華爾街日報報道，臺灣茂德科技(ProMOS Technologies Inc.)發(fā)言人曾邦助(Ben Tseng)周五稱，公司將與臺灣記憶體公司(Taiwan Memory Company)在芯片研發(fā)和生產方面進行合作。
　　曾邦助告訴道瓊斯通訊社(Dow Jones Newswires)稱，茂德科技計劃于10月份取消無薪假期，部分原因是與臺灣記憶體的合作需要公司逐步恢復產能。此前受芯片供應過剩影響，茂德科技已連續(xù)9個季度虧損。
　　受芯片行業(yè)持續(xù)低迷影響，自去年11月份以來，茂德科技的雇員每月都
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            • 關鍵字：
                        TMC  DRAM                          
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            南亞科技9月下半月將把芯片價格上調10%
            
                                                            
              
                    	
            • 　　9月18日消息 據(jù)華爾街日報導報，南亞科技發(fā)言人白培霖周五稱，因個人電腦銷售旺盛，繼續(xù)帶動DRAM芯片需求，公司將把9月下半月的動態(tài)隨機存儲(DRAM)芯片價格較上半月上調10%。
　　白培霖表示，公司幾乎已經達成了下半月的所有交易，由此可見需求之旺盛。南亞科技每月與個人電腦制造商進行兩次DRAM芯片價格談判。
　　白培霖還稱，南亞科技9月上半月將DRAM芯片價格較8月末上調了15%，公司目前的芯片平均售價約為2美元，高于其現(xiàn)金成本。
　　但白培霖稱，南亞科技仍然不太可能在本季度扭虧為盈。該公司
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            • 關鍵字：
                        南亞科技  DRAM                          
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            DRAM廠和模塊廠誤判情勢　DDR2供貨吃緊
            
                                                            
              
                    	
            • 　　2009年面臨DDR2和DDR3規(guī)格交替之際，各廠紛紛壓寶氣勢如虹的DDR3氣勢，DDR2飽受冷板凳之苦許久，然現(xiàn)在風水輪流轉，DDR2受到供給減少、PC大廠又回頭青睞之故，市場意外出現(xiàn)缺貨聲浪，DRAM廠和模塊廠雙雙感嘆誤判形勢，導致現(xiàn)在DDR2庫存過低，南亞科副總白培霖即指出，DDR2在10月之后，缺貨問題將更明顯浮上臺面，且由合約價蔓延至現(xiàn)貨價，屆時1Gb DDR2現(xiàn)貨價格將看到2美元。
　　近期市場傳言，三星電子(Samsung Electronics)有意將1Gb DDR2價格壓在1.7美
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            • 關鍵字：
                        Samsung  DRAM  NAND                          
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            全球IC市場V形反彈已啟動 增長勢頭將延續(xù)至2011年 
            
                                                            
              
                    	
            • 　　市場研究公司IC Insights表示，今年1月到7月NAND flash銷售額和出貨量分別增長98%和67%，其他產品的業(yè)績數(shù)據(jù)也十分健康，這說明產業(yè)已調頭撞向V形反彈的上升階段。
　　從今年1月到7月，IC市場銷售額增長了43%，DRAM、MPU、模擬電路銷售額分別增長61%、57%和50%。
　　爆炸式的增長率當然也與今年1月半導體市場業(yè)績達到此輪衰退的最低點有關。
　　“IC產業(yè)復蘇并不會是緩慢的，而是V形增長，目前上升周期已經開始。”IC Insights分析師
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            • 關鍵字：
                        DRAM  NAND  MPU  模擬電路                          
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            三星電子半導體部門第3季營業(yè)利益重回1兆韓元大關
            
                                                            
              
                    	
            • 　　三星電子(Samsung Electronics)半導體部門可望再創(chuàng)2年9個月來未見的1兆韓元(約8.2億美元)營業(yè)利益。據(jù)韓國證券業(yè)與相關業(yè)者表示，三星電子2009年第3季合并營業(yè)利益推估可落在3.7兆~3.8兆韓元間，且可能超越上述區(qū)間。
　　三星電子2004年第1季創(chuàng)下最大營業(yè)利益4.01兆韓元，其中半導體部門營業(yè)利益為1.78兆韓元，通訊部門則是1.257兆韓元，占公司整體營業(yè)利益大半。三星半導體事業(yè)更在2004年第2季創(chuàng)下史上最大營業(yè)利益2.15兆韓元，占整體單季營業(yè)利益(3.773兆韓元
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            • 關鍵字：
                        三星  DRAM  LCD                          
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            海力士第3季可望轉虧為盈
            
                                                            
              
                    	
            • 　　韓國半導體廠商海力士(Hynix)2009年第3季創(chuàng)下2,000億韓元(約1.63億美元)的營業(yè)利益，破除2007年第3季以來連續(xù)8季虧損魔咒。海力士在全球DRAM市場繼三星電子(Samsung Electronics)之后第2家轉虧為盈的廠商。
　　據(jù)業(yè)界預測，2009年第2季營業(yè)虧損2,110億韓元的海力士，2009年第3季可望轉虧為盈，落在2,000億韓元左右，接近2007年第3季營業(yè)利益2,540億韓元規(guī)模，而在2007年第3季以后，三星已連續(xù)7季營運呈現(xiàn)虧損。
　　分析指出，海力士營運改
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            • 關鍵字：
                        Hynix  DRAM  50納米                          
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            南科：資金陸續(xù)到位 制程轉換進度無虞
            
                                                            
              
                    	
            • 　　景氣轉好，近期科技業(yè)聯(lián)貸案陸續(xù)通過，合約DRAM大廠南科150億元(新臺幣，下同)聯(lián)貸案也可望于9月底通過，加上6月時私募120億元，以及年底可能再辦約100多億元的現(xiàn)增案，南科銀彈滿滿，轉進50奈米制程進度已經無虞。
　　日前奇美電聯(lián)貸案金額不斷往上追加，原應在8月結案，順延到9月上旬，金額也由最初預定的300億元規(guī)模，被聯(lián)貸銀行團超額認購到422億元，最后以400億元結案。顯見隨景氣轉好，銀行團原本緊縮的態(tài)度，也逐漸放松。而南科150億元聯(lián)貸案，預計將在9月底登場。據(jù)銀行端消息透露，最晚第四季就
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            • 關鍵字：
                        南科  DRAM  68納米                          
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            存儲器產業(yè)可望出現(xiàn)DRAM、NAND Flash雙好行情
            
                                                            
              
                    	
            • 　　DRAM價格趨于穩(wěn)定，1Gb容量提前在9月初站上1.7美元，臺廠面對這樣美好的光景，心中還是有些疑慮，擔心三星電子(Samsung Electronics)會從中作梗，破壞DRAM價格漲勢，然現(xiàn)在蘋果(Apple)強勁追加NAND Flash訂單，且隨著智能型手機價格平民化的趨勢，未來內建高容量存儲器普及，都讓各界相當看好2010年NAND Flash市場前景，三星在喜迎蘋果大單之余，也無暇與臺系DRAM廠廝殺，暌違多年的DRAM和NAND Flash雙好行情可望再現(xiàn)。
　　2009 年存儲器產業(yè)觸
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            • 關鍵字：
                        三星  DRAM  NAND  存儲器                          
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            施顏祥：處理TMC 著眼技術生根 
            
                                                            
              
                    	
            • 　　臺灣新任“經濟部長”施顏祥11日強調，成立TMC的時空環(huán)境在變，當時規(guī)劃時全球DRAM產業(yè)正處嚴峻狀態(tài)，現(xiàn)在已稍微舒緩;他將以技術生根臺灣理念來處理TMC的后續(xù)問題。
　　施顏祥說，現(xiàn)在很難說TMC政策到底要不要調整，他會在下周聽取工業(yè)局簡報，了解TMC政策推動進度與細節(jié)，再決定未來怎么做，原則上還是會以技術生根角度處理TMC的問題。
　　施顏祥臨危受命接下“經濟部”重擔，未來不僅要面對TMC政策衍生的爭議，還有即將來臨的兩岸洽簽ECFA(經濟合作架
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            • 關鍵字：
                        TMC  DRAM                          
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            全球DRAM業(yè)僅韓廠賺錢
            
                                                            
              
                    	
            • 　　盡管近期DRAM價格大幅反彈，但估計2009年第3季仍僅有韓系兩大廠三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)可以賺錢，2010年再輪到美光(Micron)和爾必達(Elpida)轉虧為盈，至于臺廠方面，由于 2010年三星制程技術將晉級到40納米，以目前臺廠腳步，未來恐將會有多家大廠被迫淡出標準型DRAM市場。
　　DRAM價格雖已開始反彈，然復原最快廠商仍是三星，第2季已開始賺錢，預計第3季三星和海力士兩大韓廠都可望進入獲利，隨著DRAM產業(yè)逐步復蘇，美光和爾必達2
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            • 關鍵字：
                        三星  DRAM  40納米  晶圓代工                          
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            高盛：未來半年 看好DRAM更勝TFT LCD產業(yè)
            
                                                            
              
                    	
            • 　　Window 7將在下個月上市，觸控面板成為主打商機。不過，今天高盛出具的產業(yè)報告卻是指出未來3~6個月看好DRAM更勝于面板(TFT LCD)。高盛認為，今年TFT LCD的價格在9月已經到頂，因為10月回補庫存結束。而在DRAM方面，據(jù)了解，國內最早切入DDR3 NB的宏碁，目前搭載DDR3產品的出貨占五成。
　　臺灣NB大廠宏碁，在本周一推出的六款全新Aspire ULV NB，該六款NB也都搭載2G DDR3，顯示DDR3在NB的使用也逐漸擴大。而優(yōu)群目前連接器方面已經準備因應未來DDR3的
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            • 關鍵字：
                        高盛  DRAM  觸控面板                          
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            dram介紹
            
      			
            
		      	
            
		      			      			      	DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應用。 
 
動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組		      	[ 查看詳細 ]
		      			      	
            
    		
            
  		
            
  		  		  		  		
  		  		  		
  		  		  		
  		            
        		  		
  		  		
            
    		
            
      			
            
        			
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