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臺(tái)DRAM廠復(fù)活賽 瑞晶、華亞科跑最快
- 隨著DRAM價(jià)格自谷底翻揚(yáng)，原本哀鴻遍野的DRAM廠傳出轉(zhuǎn)虧為盈好消息，具臺(tái)系色彩的瑞晶將搶下頭香，率先于9月開(kāi)始小幅獲利，第3季可望損益兩平，華亞科則有機(jī)會(huì)接棒，估計(jì)營(yíng)收只要站上40億元大關(guān)，便可跨越損益平衡點(diǎn)、順利轉(zhuǎn)虧為盈。目前除瑞晶和華亞科外，包括茂德、力晶都已現(xiàn)金凈流入，南亞科自有產(chǎn)能亦開(kāi)始有現(xiàn)金流入，臺(tái)系DRAM廠逐漸走出悲情、迎向春天。 相較于三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)50奈米制程紛已開(kāi)始量產(chǎn)，臺(tái)系DRAM廠仍停留在70奈米制程，由于臺(tái)、
- 關(guān)鍵字： Hynix 50納米 DRAM
美國(guó)承諾介入海外芯片廠商補(bǔ)貼問(wèn)題
- 據(jù)國(guó)外媒體今日?qǐng)?bào)道，在美國(guó)閃存芯片廠商美光科技提出投訴后，美國(guó)政府承諾就日本最大電腦閃存廠商必爾達(dá)的補(bǔ)貼問(wèn)題向日本和中國(guó)臺(tái)灣施加壓力。 美國(guó)貿(mào)易代表榮·基克(Ron Kirk)向愛(ài)達(dá)荷州共和黨參議員邁克·卡拉普(Mike Crapo)致函，承諾會(huì)通過(guò)世界貿(mào)易組織以及單獨(dú)會(huì)晤擁有半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的國(guó)家，要求日本和中國(guó)臺(tái)灣就補(bǔ)貼問(wèn)題提供更多信息。愛(ài)達(dá)荷州是美光科技的總部所在地。 基克在這封9月24日的信件中表示：“我們理解這個(gè)問(wèn)題對(duì)你和對(duì)美國(guó)DRAM芯片制造商
- 關(guān)鍵字： 閃存芯片 DRAM
臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)發(fā)展的轉(zhuǎn)折點(diǎn)
- 由于DRAM產(chǎn)業(yè)過(guò)度擴(kuò)產(chǎn)，加上金融風(fēng)暴的襲擊，2008年全球DRAM產(chǎn)業(yè)面臨最大規(guī)模的衰退，全球廠商無(wú)一幸免，德國(guó)業(yè)者Qimonda更因此宣告破產(chǎn)。鑒于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對(duì)于電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵及關(guān)聯(lián)性，以及產(chǎn)業(yè)崩盤(pán)可能衍生的問(wèn)題，近來(lái)引發(fā)不同立場(chǎng)的討論，救與不救，正反意見(jiàn)相互沖擊
- 關(guān)鍵字： DRAM 電子產(chǎn)業(yè)
Uni-chem收購(gòu)Hynix美國(guó)DRAM廠 轉(zhuǎn)產(chǎn)太陽(yáng)能電池
- 南韓皮革供貨商Uni-chem Co. 26日在接受專(zhuān)訪時(shí)表示，該公司將斥資5,000萬(wàn)美元買(mǎi)下南韓內(nèi)存芯片大廠Hynix Semiconductor Inc.位于美國(guó)奧勒岡州猶吉尼市已停止運(yùn)作的DRAM廠。根據(jù)報(bào)導(dǎo)，Uni-chem計(jì)劃利用該座廠房生產(chǎn)太陽(yáng)能電池，以便開(kāi)拓新事業(yè)。Uni-chem主要供應(yīng)皮革給現(xiàn)代汽車(chē)、起亞汽車(chē)以及Burberry、Coach等豪華精品商。 根據(jù)報(bào)導(dǎo)，Uni-chem甫于2009年8月收購(gòu)太陽(yáng)能電池企業(yè)Spire Corp.子公司Spire Solar Syst
- 關(guān)鍵字： Hynix DRAM 晶圓
英特爾：為產(chǎn)業(yè)融合而重組
- 英特爾在2005年1月17日重組的4年之后，于2009年9月14日再次對(duì)其組織架構(gòu)大刀闊斧地進(jìn)行了重組。 坊間著實(shí)對(duì)此熱議了一陣。從這些文章的標(biāo)題看，有就事論事說(shuō)主要產(chǎn)品部門(mén)整合到英特爾架構(gòu)事業(yè)部的，也有說(shuō)重組是為了給CEO歐德寧騰出時(shí)間專(zhuān)注企業(yè)戰(zhàn)略的，還有說(shuō)是因?yàn)橹袊?guó)讀者熟悉的基辛格離職去了EMC的，而筆者發(fā)現(xiàn)最多而又最離譜的文章標(biāo)題是《英特爾重組 為物色CEO接班人做準(zhǔn)備》。 西方現(xiàn)代管理制度強(qiáng)調(diào)的是因事用人，而因人設(shè)事最為忌諱。事實(shí)上，英特爾自創(chuàng)始以來(lái)，從諾伊斯到摩爾再到貝瑞特直到現(xiàn)
- 關(guān)鍵字： 英特爾 CPU 存儲(chǔ)器 DRAM
三星DRAM芯片停止對(duì)臺(tái)供貨
- 三星電子(Samsung Electronics)2009年隨著新經(jīng)營(yíng)團(tuán)隊(duì)上任，營(yíng)運(yùn)策略出現(xiàn)不少重大轉(zhuǎn)變，將影響存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)生態(tài)，三星日前決定全面停止對(duì)臺(tái)銷(xiāo)售DRAM芯片，一律只銷(xiāo)售DRAM模塊。存儲(chǔ)器廠表示，三星策略明顯側(cè)重OEM市場(chǎng)，減少與現(xiàn)貨客戶合作，就連NAND Flash芯片供貨策略，亦同樣以消費(fèi)性電子大廠為優(yōu)先，尤其近期PC廠對(duì)于DRAM模塊需求強(qiáng)勁，三星供應(yīng)臺(tái)灣DRAM模塊數(shù)量大減，市場(chǎng)日前甚至喊出 1條DDR2模塊40美元天價(jià)。 存儲(chǔ)器業(yè)者指出，三星2009年在全球供貨策略出現(xiàn)許多
- 關(guān)鍵字： Samsung DRAM NAND
TMC爭(zhēng)取政府注資 低于百億新臺(tái)幣
- 臺(tái)灣創(chuàng)新內(nèi)存公司(TMC)召集人宣明智28日再度前往“經(jīng)濟(jì)部”，與新任“經(jīng)濟(jì)部”長(zhǎng)施顏祥見(jiàn)面，爭(zhēng)取TMC營(yíng)運(yùn)資金。據(jù)了解，TMC規(guī)劃，政府注資金額低于100億元(新臺(tái)幣，下同)，由于金額遠(yuǎn)低于官方與業(yè)界原預(yù)期，一般認(rèn)為T(mén)MC將可如愿獲得政府注資，正式邁入營(yíng)運(yùn)。 DRAM現(xiàn)貨價(jià)直逼2美元，DRAM廠即將邁入轉(zhuǎn)盈之際，TMC仍然積極運(yùn)作。施顏祥先前擔(dān)任經(jīng)濟(jì)部常務(wù)次長(zhǎng)時(shí)，便負(fù)責(zé)協(xié)助TMC籌劃與溝通等重要工作，與宣明智互動(dòng)密切。這是施顏祥就任“
- 關(guān)鍵字： TMC DRAM
制程差距擴(kuò)大 臺(tái)灣DRAM廠隱憂
- 臺(tái)灣DRAM大廠南科宣布8億股現(xiàn)金增資計(jì)劃，預(yù)計(jì)籌措100億元以上資金，全數(shù)投入50納米制程，以及償還公司債，盡管DRAM現(xiàn)貨價(jià)格已站上每顆2美元，時(shí)間點(diǎn)來(lái)得比預(yù)期早，國(guó)內(nèi)DRAM廠暫時(shí)度過(guò)最艱困的時(shí)刻，但三星半導(dǎo)體將在明年把40納米推升為生產(chǎn)線主力，成本大幅降低的優(yōu)勢(shì)，勢(shì)必更加顯著，臺(tái)廠與國(guó)外一線大廠的苦戰(zhàn)還是難免。 由于DDR2過(guò)渡至DDR3面臨產(chǎn)能轉(zhuǎn)換的瓶頸期，導(dǎo)致DDR3產(chǎn)能不足，進(jìn)一步拉抬DDR2價(jià)格，原本內(nèi)存模塊廠預(yù)測(cè)，今年第四季底，DDR2現(xiàn)貨價(jià)才有機(jī)會(huì)達(dá)到2美元，但根據(jù)集邦科技報(bào)
- 關(guān)鍵字： 南科 50納米 40納米 DRAM
南亞科擬再募資上百億元
- DRAM大廠南亞科再度宣布籌資計(jì)畫(huà)，預(yù)計(jì)辦理8億股的現(xiàn)金增資，籌措資金新臺(tái)幣百億元，用途在于買(mǎi)3廠的機(jī)器設(shè)備和償還到期公司債，目前南亞科積極轉(zhuǎn)換制程到美光(Micron)68奈米制程，約有20~25%產(chǎn)能比重已轉(zhuǎn)換過(guò)去，10月目標(biāo)是80%產(chǎn)能都轉(zhuǎn)到68奈米，為未來(lái)主力制程50 奈米做暖身，南亞科將挾持臺(tái)塑集團(tuán)的銀彈和美光的技術(shù)，成為臺(tái)系DRAM廠聚焦之處。 南亞科在6月發(fā)行10億股的私募，當(dāng)時(shí)由臺(tái)塑集團(tuán)相關(guān)企業(yè)出面認(rèn)購(gòu)，募得資金約新臺(tái)幣122.2億元資金，南亞科24日再度宣布將辦理8億股的現(xiàn)金增
- 關(guān)鍵字： 南亞科 DRAM 晶圓
三星對(duì)半導(dǎo)體銷(xiāo)售前景仍謹(jǐn)慎 拒談收購(gòu)Hynix
- 全球最大內(nèi)存芯片制造商三星電子(Samsung Electronics)近日表示，盡管半導(dǎo)體業(yè)已由2年的低迷谷底重振，公司對(duì)前景仍抱持謹(jǐn)慎態(tài)度。 三星電子半導(dǎo)體部門(mén)總裁權(quán)五鉉(Kwon Oh-hyun)在中國(guó)臺(tái)灣臺(tái)北舉辦的移動(dòng)解決方案年度論壇上表示，由于政府鼎力相助，此行業(yè)現(xiàn)發(fā)展情況優(yōu)于公司當(dāng)初預(yù)期。然而他指出：“盡管如此，我們抱持的觀點(diǎn)仍偏向謹(jǐn)慎，預(yù)估歐美感恩節(jié)假期時(shí)，將是銷(xiāo)售情況的轉(zhuǎn)折點(diǎn)。” 感恩節(jié)假期在美國(guó)落在11月，加拿大則為10月。 權(quán)五鉉另表示，目
- 關(guān)鍵字： Samsung 內(nèi)存芯片 DRAM
年內(nèi)必有存儲(chǔ)廠商倒閉 Spansion進(jìn)行戰(zhàn)略調(diào)整
- “2009年一定會(huì)有一些閃存或者DRAM廠商倒閉，產(chǎn)業(yè)鏈進(jìn)一步整合是必然趨勢(shì)，而剩下的閃存或DRAM廠商要想生存，就必需盡快尋找到自己的重生之道。”8月11日，全球最大的NOR閃存廠商Spansion(飛索)公司企業(yè)營(yíng)銷(xiāo)總監(jiān)John Nation抵京，他帶來(lái)了Spansion最新的第二季度財(cái)務(wù)狀況，以及公司為脫離破產(chǎn)保護(hù)而進(jìn)行的戰(zhàn)略調(diào)整。 Spansion是全球最大的NOR型閃存制造商，也是全球最大一家專(zhuān)門(mén)出品閃存的企業(yè)。 今年3月1日，Spansion公司宣布，根
- 關(guān)鍵字： Spansion DRAM NOR
IC資本支出依然謹(jǐn)慎 供應(yīng)收緊價(jià)格上漲
- 分析師指出，資本支出創(chuàng)下歷史新低使IC市場(chǎng)供應(yīng)收緊，價(jià)格可能隨之上漲，但可能會(huì)發(fā)生其他不可預(yù)料的結(jié)果。 IC Insights總裁Bill McClean稱(chēng)，今年半導(dǎo)體資本支出在銷(xiāo)售額中所占的比例降至12%，創(chuàng)歷史新低。芯片商在經(jīng)歷了嚴(yán)重衰退后，對(duì)資本投入依然比較謹(jǐn)慎。 “我們還不知道資本支出比例12%意味著什么。”McClean說(shuō)道，“我們從來(lái)沒(méi)有遇到過(guò)這種情況。” 資本支出比例在2008年為16%，2004年至2007年均在20%至
- 關(guān)鍵字： NAND DRAM
海力士半導(dǎo)體擬售28%股權(quán) 曉星集團(tuán)有購(gòu)買(mǎi)意向
- 據(jù)外電報(bào)道，曉星集團(tuán)表示了收購(gòu)海力士半導(dǎo)體的意向。 海力士股份管理協(xié)商會(huì)主管機(jī)構(gòu)的外換銀行表示，在受理海力士收購(gòu)意向書(shū)(L01)截止的最后一天，只有一家企業(yè)提交了意向書(shū)。據(jù)了解，這家企業(yè)是曉星集團(tuán)。 外換銀行本月7日向43家企業(yè)發(fā)出了出售通知。該43家企業(yè)包括：公平交易委員會(huì)指定的企業(yè)集團(tuán)當(dāng)中，去年資產(chǎn)總額達(dá)到5萬(wàn)億韓元以上的29家企業(yè);在2007年和2008年均受到相互出資限制的企業(yè)集團(tuán)中，資產(chǎn)總額達(dá)2萬(wàn)億韓元以上的14家企業(yè)。 當(dāng)初估計(jì)，國(guó)內(nèi)至少會(huì)有4、5家企業(yè)會(huì)對(duì)收購(gòu)海力士有興
- 關(guān)鍵字： 海力士 DRAM 存儲(chǔ)芯片
三星加大DDR3芯片產(chǎn)量緩解市場(chǎng)需求壓力
- 據(jù)報(bào)道，三星芯片部總裁Oh-Hyun Kwon近日在臺(tái)北舉行的三星年度移動(dòng)解決方案論壇上表示，三星正在提高DDR3芯片產(chǎn)量，以緩解目前市場(chǎng)上DDR3芯片供應(yīng)短缺現(xiàn)狀。 Oh-Hyun Kwon指出，DDR3芯片的需求增長(zhǎng)量超過(guò)了先前的預(yù)計(jì)，導(dǎo)致了DDR3供應(yīng)短缺。不過(guò)三星目前已經(jīng)加大了DDR3芯片生產(chǎn)量，以滿足市場(chǎng)的增長(zhǎng)需求，40nm工藝將成為他們明年芯片生產(chǎn)的主要處理技術(shù)。 Oh-Hyun Kwon認(rèn)為，提高產(chǎn)量的方法并不只是多建幾家工廠，技術(shù)升級(jí)將是三星以后提高芯片產(chǎn)量的主要途徑。
- 關(guān)鍵字： 三星 40nm DRAM DDR3
Rambus聯(lián)合金士頓開(kāi)發(fā)出“線程式內(nèi)存條技術(shù)”
- Rambus公司以往的新聞幾乎都與XDR DRAM的官司有關(guān)，不過(guò)這次他們則和金士頓合作開(kāi)發(fā)出了一種可用于增大DDR3內(nèi)存帶寬的技術(shù)“線程式內(nèi)存條技術(shù)”(Threaded memory module)。這種技術(shù)基于現(xiàn)有的DDR3技術(shù)，不過(guò)將內(nèi)存條上的內(nèi)存芯片進(jìn)行了分塊處理，位于各個(gè)分塊內(nèi)部的芯片共享一個(gè)命令/地址端口，不過(guò)數(shù)據(jù)傳 輸部分則可通過(guò)各自獨(dú)立的傳輸通道進(jìn)行傳輸，傳輸?shù)奈粚捒蛇_(dá)64字節(jié)(512bit)，這樣就可以將傳統(tǒng)DDR3內(nèi)存的帶寬提升50%左右，而且采用這種 技術(shù)
- 關(guān)鍵字： Rambus DRAM DDR3
dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以 必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新，存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。 它的存取速度不快，在386、486時(shí)期被普遍應(yīng)用。
動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲(chǔ)元按照行和列來(lái)組 [ 查看詳細(xì) ]
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