- 據臺灣媒體報道，被美國紐約州、伊利諾州和佛羅里達州檢察長，相繼提告操控價格的友達、奇美電，昨日表示，迄今未收到告訴狀，無法評論。奇美電說，待收到訴狀將進行研究，但對進入法律程序案件，循例不對外說明。
眾達國際法律事務所資深顧問陳泰明11日表示，為今之計，被控公司首先要做好應訴準備;再針對訴狀之主張與專業(yè)律師展開深入剖析。
陳泰明指出，自從美國總統(tǒng)奧巴馬于就職演說中，宣示反壟斷的決心，美國積極展開打擊操控價格的企業(yè)行動。他說，上周末他就預言紐約州檢察長將是第一把火，果然本周就有伊利諾州和佛羅
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友達 DRAM
- iSuppli警告稱，DRAM內存芯片供應緊張將導致今年下半年這類芯片價格上漲。
iSuppli指出，當前DRAM廠商面臨兩類供應問題：無法獲得必要的生產設備，部署先進生產工藝的大量工作。
DRAM芯片供應緊張對全球計算機市場而言是個壞消息。盡管計算機銷量急劇增長——第二季度同比增長22.4%，DRAM芯片廠商仍然在努力走出去年的危機。
去年，許多DRAM芯片廠商沒有資金采購生產設備，今年它們向生產設備廠商訂購了大量產品。在DRAM芯片領域成功的關鍵是盡可能快
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計算機 DRAM
- 市場研究業(yè)者iSuppli警告，由于動態(tài)隨機存取內存(DRAM)芯片的制造產能有限，DRAM市場下半年可能供不應求。
分析師霍華德(Mike Howard)預期，今年DRAM芯片出貨量可望成長49%，其中多數集中在下半年。他預測，今年第三、四季的DRAM芯片出貨量將分別比前一季成長11%左右，由于增加的需求都集中在下半年，屆時供應DRAM芯片的產能恐難以負荷。
iSuppli指出，有兩個問題可能影響下半年的DRAM供應量，甚至恐會造成供不應求。首先，由于全球最大半導體微影工具供貨商艾斯摩爾
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ASML DRAM
- 根據集邦科技(TrendForce)旗下研究部門DRAMeXchange的調查，今年第二季營收在DRAM合約價格穩(wěn)定上揚及產出持續(xù)增加下，全球DRAM產業(yè)第二季營收數字達107億美元(10.70 Billion USD)，較首季的93億美元(9.29 Billion USD)，成長約15%。在 NAND Flash 部分，品牌廠商第二季整體營收為47億7,600萬美元，較首季43億6,300萬美元成長約9.5%。
三星第二季營收仍居全球DRAM廠之冠
從市場面觀察，由于第二季 DRAM 合
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DRAM NAND
- 市場研究公司iSuppli周一表示，下半年，用于個人電腦的主存儲芯片的短缺，將導致芯片價格上漲。DRAM芯片廠商目前面臨兩個供應問題：無力獲得所 需的生產設備和難以引入高新技術。DRAM芯片短缺將為全球電腦市場帶來危機。市場研究機構IDC最新數據顯示，二季度個人電腦出貨量同比增長 22.4%，而與此同時，DRAM芯片廠商仍然在試圖從去年的經濟低迷中復蘇。
去年眾多DRAM廠商沒有足夠的資金來購買新設備，今年他們從設備廠商手中訂購了大量產品。 DRAM市場成功的關鍵在于盡可能快的生產出盡可能多、盡
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三星電子 DRAM
- 存儲器大廠華邦第2季毛利率大幅提升至25%，稅后獲利較上季成長率高達222%;總經理詹東義表示，華邦宣告轉型告捷，第2季標準型DRAM營收比重降至2%，未來華邦是全方面存儲器供應商，第2季表現(xiàn)最佳的是NOR Flash產品線，其次是Mobile RAM，惟原本預計第4季才會供需平衡的NOR Flash市場，提前在第3季發(fā)生，因此預期第3季NOR Flash價格上漲不易，但華邦會推出新產品和持續(xù)耕耘一線大客戶，第3季整體成長動能仍是持續(xù)。
華邦第2季合并營收新臺幣85.31億元，較上季成長22%，
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存儲器 DRAM
- 近2年DRAM價格的高點都出現(xiàn)在上半年，下半年雖然有傳統(tǒng)旺季的加持，但DRAM價格反而都是一路走下坡的趨勢，除了是全球經濟局勢變量太多，各廠力拼制程微縮，拼命轉進新制程以增加產出，也是因素之一;目前各界認為，2010年上半1顆DDR3單價3美元的時光已難再現(xiàn)，因為隨著50奈米制程量產，每顆芯片成本降到1美元，未來DRAM產業(yè)不會有暴利，只有合理的利潤空間。
2010年3~4月是DRAM價格的高峰期，當時個人計算機(PC)換機潮涌現(xiàn)，DRAM市場陷入嚴重的供不應求，供給端大家都在轉換新制程，狀況也
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南亞科 DRAM
- 近2年DRAM價格的高點都出現(xiàn)在上半年，下半年雖然有傳統(tǒng)旺季的加持，但DRAM價格反而都是一路走下坡的趨勢，除了是全球經濟局勢變量太多，各廠力拼制程微縮，拼命轉進新制程以增加產出，也是因素之一;目前各界認為，2010年上半1顆DDR3單價3美元的時光已難再現(xiàn)，因為隨著50奈米制程量產，每顆芯片成本降到1美元，未來DRAM產業(yè)不會有暴利，只有合理的利潤空間。
2010年3~4月是DRAM價格的高峰期，當時個人計算機(PC)換機潮涌現(xiàn)，DRAM市場陷入嚴重的供不應求，供給端大家都在轉換新制程，狀況也
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三星電子 DRAM
- 市場調研公司集邦科技今天發(fā)布了二季度全球內存市場統(tǒng)計報告。受到期貨價格穩(wěn)定和出貨量小幅增長的利好影響，該季度全球DRAM收入環(huán)比上漲15.2%到107億美元。雖然1Gb DDR3的現(xiàn)貨價格環(huán)比下降了3%，但是2GB DDR3內存的期貨價格卻環(huán)比上漲了10%;受到1Gb DDR2價格進一步下滑的影響，DDR2內存該季度的出貨量大幅度降低。
二季度全球DRAM出貨量環(huán)比增長10%，但所用晶圓出貨量增長率只有3.8%。集邦科技分析稱，芯片供應商都將重點放在了制程工藝的升級，而非產能提升上面。
三
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三星 DRAM
- Digitimes Research分析師柴煥欣分析，2008年下半受金融海嘯沖擊，除三星電子(Samsung Electronics)外，全球主要DRAM廠商皆發(fā)生巨額虧損，為保有手中資金，各DRAM廠商先后采取減產、裁員、關閉不具效益廠房等策略，此舉亦讓自2006年以來全球DRAM產業(yè)擴廠競賽劃下句點。
正因產能擴充有限，并伴隨2009年第1季全球景氣見到最低點且逐季好轉，全球DRAM需求量亦同步擴張，使得長年下跌的DRAM報價亦在2009年得以止跌回升。
于此同時，全球DRAM市場的
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三星電子 DRAM
- 未來半導體制造將越來越困難已是不爭的事實。巴克萊的C J Muse認為如DRAM制造商正處于關鍵的成品率挑戰(zhàn)階段，在4x，3x節(jié)點時發(fā)現(xiàn)了許多問題。目前盡管EUV光刻己經基本就緒(或者還沒有)，是黃金時刻，然后在芯片制造中其它的工藝技術的挑戰(zhàn)也有很多，如兩次圖形曝光(在NAND，DRAM及l(fā)ogic中)，高k金屬柵等。由此，在未來的2011-2012年，甚至更長一段時期內必須要加大投資強度。(Citigroup的Tim Arcuri建議要有五年時間，它是在牛/熊市小組座談會上發(fā)表此看法) 。另一位會議
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半導體制造 DRAM NAND
- Digitimes Research分析師柴煥欣分析，2008年下半受金融海嘯沖擊，除三星電子(Samsung Electronics)外，全球主要DRAM廠商皆發(fā)生巨額虧損，為保有手中資金，各DRAM廠商先后采取減產、裁員、關閉不具效益廠房等策略，此舉亦讓自2006年以來全球DRAM產業(yè)擴廠競賽劃下句點。
正因產能擴充有限，并伴隨2009年第1季全球景氣見到最低點且逐季好轉，全球DRAM需求量亦同步擴張，使得長年下跌的DRAM報價亦在2009年得以止跌回升。
于此同時，全球DRAM市場的
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三星電子 DRAM
- 內存價格最近是一路下滑，特別是已經失去主流地位的DDR2。不過力晶半導體董事長黃崇仁近日就表示，DRAM芯片價格將在8月份反彈，價格回漲，十一月份和十二月份可能會受季節(jié)性銷售因素影響再度下滑。
黃崇仁稱，DRAM芯片近期的價格下滑是由于市場需求過低導致，并不是芯片供應商之間的價格戰(zhàn)引起，而且他還認為，PC OEM廠商為了降低生產成本，降低了一些產品的存儲容量，從而影響了市場需求。
他還對未來2-3年的DRAM持樂觀態(tài)度，不過認為芯片容量的上升對產業(yè)健康發(fā)展的促進有限。
此外黃崇仁還表
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力晶 DRAM 內存價格
- 近期韓系DRAM大廠──三星、海力士先后宣布上調2010年資本支出，手筆之大令人驚愕。三星將對芯片業(yè)務支出20萬億韓元(約合177億美元)，該數字是此前支出計劃的兩倍多;海力士也將資本支出提高了三分之一，達到3.05萬億韓元(約合27億美元)。預計這些支出中將有相當一部分進入DRAM業(yè)務。
2007年以來，DRAM市場開始了一段令廠商苦不堪言的低迷期，直到2009年第一季度見底。此間曾排名第三的DRAM大廠奇夢達轟然倒塌，令業(yè)界震驚扼腕。市場低迷的根本原因是產能過剩、供過于求。2006年市場獲得
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奇夢達 DRAM
- 全球半導體產業(yè)走入50奈米制程后，浸潤式曝光機臺(Immersion Scanner)出現(xiàn)大缺貨，尤其是最新款的NXT:1950i機種上，交期幾乎拉到快12個月，使得2010年才下訂單的臺系DRAM廠苦等多時;存儲器業(yè)者透露，爾必達(Elpida)陣營開始轉向采購舊機種XT:1950i應急。然美光(Micron)陣營則認為，舊機種頂多用到40奈米制程就是極限，不像新機種NXT:1950i可以一路做到30奈米。
半導體產業(yè)在進入50奈米以下制程，都必須開始用Immersion Scanner，此機
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Elpida DRAM 50奈米
dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數據就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應用。
動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [
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