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內(nèi)存價格10月份將持續(xù)下調(diào)
- 據(jù)HKEPC網(wǎng)站報道，市調(diào)機構(gòu)DRAMeXchange指出， 9月份下半DRAM顆粒合約價持續(xù)下調(diào)， DDR3 1Gb顆粒均價趺破2美元關(guān)口， DDR3 2GB模塊合約價亦由36美元下調(diào)至34美元，跌幅約為5.5% ，而低位更曾經(jīng)下試33美元新低水平，第三季度DDR3模塊合約價下跌約2.3% ，創(chuàng)下至去年年中減產(chǎn)后單季最大跌幅，不僅DDR3內(nèi)存DDR2合約價亦緊貼DDR3合約價下跌， DDR2 2GB模塊合約均價約為33美元水平，跌幅約為6% 。 現(xiàn)貨市場方面，由于廣州亞運將于11月舉辦，大陸方
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iSuppli：2010年半導(dǎo)體市場銷售有望破記錄
- 據(jù)國外媒體報道，研究機構(gòu)iSuppli已經(jīng)降低了對2010年半導(dǎo)體銷售額的預(yù)測，但是它仍預(yù)期年底的利潤將達到前所未有的3020億美元。最新的預(yù)測顯示利潤上升了32%，比先前預(yù)測的35.1%有所下降。這主要是由于對四季度銷售額預(yù)期的降低。 據(jù)該機構(gòu)表示說，今年的利潤有望比去年同期增長740億美元，比2007年高280億美元。根據(jù)該公司的預(yù)測這將是半導(dǎo)體市場達到巔峰的一年。 產(chǎn)品利潤預(yù)期會增長43%，DRAM將會在PC市場有一個87%的強勁增長。同時，由于智能手機不斷增長的需求，無線通信市場將
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爾必達12月將啟動30納米DRAM量產(chǎn)
- 據(jù)《日本經(jīng)濟新聞》周三報道，爾必達計劃在今年12月開始量產(chǎn)40納米以下的DRAM芯片，此舉預(yù)計可節(jié)省生產(chǎn)成本約30%。爾必達即將量產(chǎn)的DRAM芯片線寬僅略大于30納米，比三星電子的最新制程更小。至目前為止，三星仍是全球首家跨入40納米制程以下的公司。 報道稱呢個，爾必達已開發(fā)出的“雙重曝光 (double-patterning)”新技術(shù)，能用現(xiàn)有的設(shè)備來達成更精細制程，而無需進行大規(guī)模的資本投資。 爾必達位于日本廣島的工廠，將于12月率先量產(chǎn)新DRAM芯片;瑞晶電子
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甲骨文起訴美光操縱芯片價格 令Sun蒙受損失
- 甲骨文通過美國子公司在加州北區(qū)法院起訴美光科技，指控其涉嫌操縱內(nèi)存芯片價格，使Sun微系統(tǒng)付出了更高的代價。 甲骨文指控美光與其他內(nèi)存制造商勾結(jié)，人為抬高DRAM(動態(tài)隨機存儲)芯片價格。訴訟書稱，在1998年至2002年間，Sun采購了總價超過20億美元的DRAM芯片。 訴訟書還稱，美國司法部指控了世界頂尖的5家DRAM制造商，其中四家今年都已認(rèn)罪并認(rèn)罰，但美光科技因與司法部合作而得到赦免。甲骨文在2010年以約70億美元價格收購了Sun。 韓國芯片制造商海力士半導(dǎo)體的代理律師邁克
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半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣惡化 庫存修正即將發(fā)生？
- 市場研究機構(gòu)The Information Network總裁Robert Castellano表示，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)環(huán)境正在惡化，而且領(lǐng)先指標(biāo)顯示該市場即將發(fā)生庫存修正;他指出，雖然2010年將會是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷大幅反彈成長的一年，但好日子恐怕不多了。 Castellano預(yù)測，終端電子產(chǎn)品銷售將出現(xiàn)下滑，首當(dāng)而沖的就是DRAM領(lǐng)域;該市場在今年第二季還曾出現(xiàn)過135%的銷售成長;此外他也預(yù)言，PC銷售業(yè)績趨緩，將會對英特爾(Intel)、AMD等微處理器供應(yīng)商造成負面影響，連帶讓晶圓代工業(yè)者也受到
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iSuppli：內(nèi)存業(yè)界芯片制造平均成本四年來首度出現(xiàn)正增長
- 據(jù)iSuppli市調(diào)公司發(fā)布的調(diào)查報告顯示，內(nèi)存業(yè)界生產(chǎn)DRAM芯片的平均制造成本出現(xiàn)了四年以來的首次正增長，不過據(jù)iSuppli公司分析，芯片 制造成本正增長的局面有望在數(shù)個季度之內(nèi)有所緩解。根據(jù)統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，今年第二季度內(nèi)存芯片的制造成本從上一季度的2美元/GB提升到了2.03美元 /GB，盡管提升的幅度僅有1.2%，但這是四年以來的首次成本正增長，相比之下，2005年至今的制造成本提升幅度則平均僅-9.2%。 據(jù)分析，造成內(nèi)存芯片制造成本攀升的原因主要是芯片制造的復(fù)雜度和技術(shù)要求越來越
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DRAM價15天爆跌10% 恐跌至2美元線
- 韓國電子時報報導(dǎo)，DRAM價格在15天內(nèi)暴跌10%，1Gb DDR3價格恐將跌至2美元線。價格跌落幅度超過預(yù)測值，不只三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)，設(shè)備業(yè)者也感到相當(dāng)緊張。據(jù)市調(diào)機構(gòu)DRAMeXange統(tǒng)計，1Gb DDR3 9月初固定交易價格較15天前跌落10.60%至2.09美元，這是DDR3自2009年1月上市以來，固定交易價格最大跌幅。甫推出DDR3時，價格僅 在1美元在線，其后持續(xù)上升，至2009年11月，以2.25美元首度突破2美元線。 D
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三星：左打臺積電、右攻英特爾，欲稱霸全球
- 全球半導(dǎo)體經(jīng)受金融危機后正邁入新一輪的增長時期，各家市場分析公司幾乎都報道了2010年半導(dǎo)體有30%的增長，達到2900億美元。 半導(dǎo)體業(yè)步入新時期 由于半導(dǎo)體業(yè)已逼近摩爾定律的終點，業(yè)界的變化規(guī)律開始發(fā)生變異，使得半導(dǎo)體業(yè)正進入一個嶄新時期。新時期最明顯的特點可以歸結(jié)為增長趨緩，未來年均增長率在6%～7%;研發(fā)費用高聳，只有很少幾家廠有能力繼續(xù)跟蹤，大多數(shù)頂級半導(dǎo)體廠都采用外協(xié)合作方案。工業(yè)的趨勢可能會形成英特爾CPU，三星存儲器及“fabless(無生產(chǎn)線半導(dǎo)體公司)+代工
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三星35納米4Q出擊 臺DRAM廠以卵擊石
- 三星電子(Samsung Electronics)制程微縮持續(xù)踩油門，繼46納米制程大量供貨，下世代35納米制程將在第4季試產(chǎn)，目標(biāo)2010年底占總產(chǎn)能達10%，由于從 35納米跳到46納米估計成本可再下降30%，屆時臺、韓DRAM之戰(zhàn)將形成以卵擊石，加上臺廠新產(chǎn)能大量產(chǎn)出時間點亦多落在第4季，面對產(chǎn)能將大量開出，近期DRAM價格跌不停，特別是DDR3 eTT已傳出通路商價格殺至1.7美元，較同容量DDR2價格還要低。 近期DRAM合約價及現(xiàn)貨價均呈現(xiàn)極度疲軟，尤其在傳統(tǒng)旺季是相當(dāng)少見情況，甚至
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DRAM價15天爆跌10% 恐跌至2美元線
- 韓國電子時報報導(dǎo)，DRAM價格在15天內(nèi)暴跌10%，1Gb DDR3價格恐將跌至2美元線。價格跌落幅度超過預(yù)測值，不只三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)，設(shè)備業(yè)者也感到相當(dāng)緊張。 據(jù)市調(diào)機構(gòu)DRAMeXange統(tǒng)計，1Gb DDR3 9月初固定交易價格較15天前跌落10.60%至2.09美元，這是DDR3自2009年1月上市以來，固定交易價格最大跌幅。甫推出DDR3時，價格僅在1美元在線，其后持續(xù)上升，至2009年11月，以2.25美元首度突破2美元線。DD
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德意志銀行予半導(dǎo)體業(yè)買入評級 2010年產(chǎn)業(yè)收入預(yù)計增長16%
- 9月9日《半導(dǎo)體行業(yè)特別報告》出版，涉及項目包括有：庫存補充、企業(yè)升級周期、智能電話作為主要趨勢、移動性長期轉(zhuǎn)變、供應(yīng)鏈動態(tài)、3G和4G的構(gòu)建。 涉及企業(yè)包括有：AMD公司(AMD)、ARM 集團(ARMH)、AT&;T公司(T)、Altera公司(ALTR)、蘋果公司(APPL)、Atheros(ATHR)、愛特梅爾公司(Atmel：ATML)和其他多家企業(yè)。 以下內(nèi)容摘錄自《半導(dǎo)體行業(yè)特別報告》，專業(yè)分析師在其中討論了該板塊的前景和投資展望。 2005年進入德意志銀行的鮑
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電腦內(nèi)存芯片生產(chǎn)成本近4年來首次上升
- 據(jù)國外媒體報道，市場研究公司iSuppli 15日表示，由于爾必達公司和南亞科技股份有限公司生產(chǎn)費用出現(xiàn)增長，電腦內(nèi)存芯片的生產(chǎn)成本近4年來首次上升。 美國加州的市場研究公司iSuppli周二的調(diào)查報告顯示，動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)內(nèi)存芯片的平均生產(chǎn)成本從第一季度的每G內(nèi)存2美元上升到了第二季度的2.03美元，而上一次內(nèi)存芯片制造成本的上升發(fā)生在2006年的第三季度。 爾必達公司和南亞科技股份有限公司分別是全球第三和第五大芯片制造商。iSuppli表示，南亞科技股份有限公司在采用新的
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DRAM內(nèi)存芯片成本遭遇近4年來首次上漲
- 市場調(diào)研iSuppli近期發(fā)布報告稱，今年二季度的DRAM內(nèi)存芯片生產(chǎn)成本遭遇了自2006年三季度以來的首次上漲，這也引發(fā)了外界對于廠商在內(nèi)存芯片生產(chǎn)花費支出的擔(dān)憂。從2005年開始，內(nèi)存芯片的生產(chǎn)成本就大致以平均每季度9.2%的幅度在下降。然而今年二季度的每Gb DRAM芯片的平均價格卻達到了2.03美元，相比上一季度的2.00美元小幅上漲。雖然價格上漲幅度非常小，但這完全顛覆了之前沿襲的規(guī)律。 其實，二季度內(nèi)存芯片生產(chǎn)成本的上漲也并不是忽然至來。從2009年三季度開始，DRAM芯片季度生產(chǎn)成
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日圓強升 內(nèi)存廠更仰賴臺廠
- 日圓兌美元匯率強勢升值，創(chuàng)近15年來新高;臺灣存儲器業(yè)者表示，日圓走勢對日系廠商營運勢必產(chǎn)生壓力，未來將更仰賴臺灣合作伙伴。 日本兩大半導(dǎo)體廠在全球市場占有舉止輕重的影響力，其中爾必達 (Elpida)今年第2季在全球動態(tài)隨機存取內(nèi)存 (DRAM)市場占有率為18%，是全球第3大DRAM廠。 東芝(Toshiba)今年第2季在全球儲存型閃存(NAND Flash)市場占有率達33.1%，僅次于韓國三星，居全球第2大廠地。 南亞科技副總經(jīng)理白培霖指出，日圓急遽升值，對日本內(nèi)存廠爾必達及
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dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應(yīng)用。
動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細 ]
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