- 半導體設備業(yè)龍頭廠商應用材料(Applied Materials Inc.)19日于美股盤后的營收預估值擊敗分析師預估，帶動20日股價跳漲13.81%、收22.66美元，漲幅不但居費城半導體指數成分股30支成分股之冠，收盤更創(chuàng)2015年3月30日以來收盤新高。
美國記憶體大廠美光(Micron Technology)19日跟著大漲7.25%、收10.80美元，創(chuàng)4月28日以來收盤新高。TheStreet.com 20日報導，應材在財報電話會議上指出，投資活動逐漸從DRAM轉到NAND型快閃記憶體
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美光 DRAM
- TrendForce旗下存儲事業(yè)處DRAMeXchange最新報告顯示，受到市況持續(xù)供過于求、平均銷售單價下降影響，2016年第一季全球DRAM總產值為85.6億美元，環(huán)比衰退16.6%。
DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，第一季為傳統(tǒng)淡季，除中國市場的智能手機略有庫存回補的需求以外，筆記本電腦與iPhone的出貨量同步遭到下修，導致DRAM市場供過于求的現象更為明顯。
三星營收持續(xù)摘冠，美光集團開始面臨成本保衛(wèi)戰(zhàn)
三星依然穩(wěn)坐DRAM產業(yè)龍頭，第一季營收雖下跌16.6%，
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三星 DRAM
- 2016年三星電子(Samsung Electronics)于DRAM將以開發(fā)18納米制程為其投資重點，DIGITIMES Research觀察，為克服DRAM 18納米制程微縮所面臨的電容器(Capacitor)易倒塌、雜訊(Noise)增加、電荷外泄及曝光顯影變復雜等課題，三星將運用四重曝光顯影技術(Quadruple Patterning Technology;QPT)與超微細導電膜形成技術，以維持其在DRAM技術的領先地位。
三星于DRAM 18納米制程將運用自動對位QPT(Self A
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三星 DRAM
- 晶圓代工廠聯(lián)電昨天宣布，與中國大陸福建官方投資的晉華集成電路，簽署技術合作協(xié)議，由聯(lián)電開發(fā)DRAM相關制程技術。
聯(lián)電強調，所開發(fā)技術將應用于利基型DRAM生產，但該公司沒有要進入DRAM產業(yè)或投資晉華。外界解讀，聯(lián)電現階段雖然僅投入利基型記憶體技術開發(fā)，未來視兩岸政策與市場情況，說不定將進入相關代工領域。
聯(lián)電表示，這次的合作協(xié)議結合臺灣的半導體制造能力，及中國大陸的市場與資金，在臺灣進行技術研發(fā)。雙方合作開發(fā)的技術，主要應用在利基型DRAM生產，不僅能提供國內IC設計公司使用，也能結合
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聯(lián)電 DRAM
- 工研院 IEK認為，為替代進口，中國大陸發(fā)展DRAM已勢在必行，未來若中國大陸成功搶進DRAM領域，預期海力士恐將是最大潛在受害者。
聯(lián)電接受中國大陸福建省晉華集成電路委托，開發(fā)動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)相關制程技術，引起各界關注。
工研院產業(yè)經濟與趨勢研究中心(IEK)電子與系統(tǒng)研究組副組長楊瑞臨認為，為替代進口，中國大陸發(fā)展DRAM似乎已勢在必行。
楊瑞臨指出，中國大陸目前至少有 5家廠商規(guī)劃投入DRAM發(fā)展，除這次委托聯(lián)電開發(fā)技術的晉華外，還有武漢新芯，中芯也傳將重操舊業(yè)，
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DRAM 海力士
- 2016年三星電子(Samsung Electronics)于DRAM將以開發(fā)18奈米制程為其投資重點，DIGITIMES Research觀察，為克服DRAM 18奈米制程微縮所面臨的電容器(Capacitor)易倒塌、雜訊(Noise)增加、電荷外泄及曝光顯影變復雜等課題，三星將運用四重曝光顯影技術 (Quadruple Patterning Technology;QPT)與超微細導電膜形成技術，以維持其在DRAM技術的領先地位。
三 星于DRAM 18奈米制程將運用自動對位QPT(Self
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三星 DRAM
- 從獨步全球到光輝不再，日本在失落的1/4世紀中，雖力圖振作，但仍無法跟上快速變化。
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半導體 DRAM
- 全球大部分半導體產業(yè)都可能籠罩陰霾，但韓國三星電子憑借強大的技術優(yōu)勢可以擴大部分關鍵產品的市場份額，甚至可能提高營收。這將使三星在逆境中表現優(yōu)于多數同業(yè)。
全球個人電腦(PC)銷量下降，以及智能手機增長放緩，讓半導體產業(yè)遭受沉重打擊。英特爾本月宣布將最多裁員1.2萬。
高通曾表示，第三財季芯片(晶片)出貨量可能下降達22%。SK海力士周二公布季度營業(yè)利潤下降65%，這是其三年來的最差業(yè)績。
將于周四公布第一季財報的三星，也難免遇挫。市場廣泛預計三星芯片獲利將會下降，一些分析師預測1-
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DRAM NAND
- 三星電子(Samsung Electronics Co.)28日表示，拜韓圜相對于主要貨幣貶值之賜、2016年第1季(1-3月)營益預估因而增加0.4兆韓圜，主要反映在零件事業(yè)盈余數據上。
三星Q1資本支出金額為4.6兆韓圜，半導體事業(yè)、顯示面板事業(yè)各占2.1兆韓圜、1.8兆韓圜。三星尚未敲定2016年全年資本支出預算、但預估將略高于2015年水準。
三星顯示面板事業(yè)今年的資本支出在OLED面板強勁需求帶動下可望攀高。DRAM資本支出預計將依照市場供需變化彈性調整、目前初估將低于去年水準。
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三星 DRAM
- 市場研究公司ICInsights近日為其《2016McCleanReport》預測報告發(fā)布更新，在該報告統(tǒng)計的33項主要IC產品類別中，有14項產品類別在今年的成長率將超過2%，尤其是手機應用處理器MPU與訊號轉換IC的成長幅度居冠。
ICInsights的《2016McCleanReport》預測33項主要IC產品類別在2020年以前的市場成長。如圖1列出33項主要的IC產品類別，分別以更新的2016年成長率排名。ICInsights預測，今年將有14項產品類別的成長幅度超過2%—
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IC DRAM
- 公平交易委員會于2016年4月13日第1,275次委員會議決議，核準美商美光(Micron)擬透過其子公司臺灣美光取得華亞科全部股權，向該會申報事業(yè)結合乙案，依公平交易法第13條第1項規(guī)定，不禁止其結合。
公平會表示，本案系屬公平法第10條第1項第2、5款之結合型態(tài)，又美商美光于相關市場之市占率達25%，符合公平法第11條第1項第2款規(guī)定之申報門檻，且無同法第12條所規(guī)定除外適用情形，故依法提出結合申報。
公平會表示，華亞科系屬美光DRAM的代工廠，其所生產之DRAM全數售予美光，故華亞科
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DRAM 美光
- 三星量產18nm DRAM，生產成本的競爭優(yōu)勢拉大，就算DRAM價格繼續(xù) 下滑，其他業(yè)者陷入虧損，三星仍能維持獲利，這招比較狠。
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三星 DRAM
- 三星電子(Samsung Electronics)連續(xù)24年蟬聯(lián)全球DRAM存儲器半導體市占率第一，為半導體產業(yè)寫下新歷史;2015年市占率達45.3%，營收突破200億美元，不但刷新自身紀錄，也成為存儲器價格持續(xù)下跌聲中，唯一還能獲利的業(yè)者。
據韓媒Money Today報導，市調機構IHS資料顯示，2015年三星DRAM營收為204.34億美元，較2014年186.61億美元成長9.5%，首次突破200億美元。雖然全球DRAM市場規(guī)模由462.46億美元萎縮至450.93億美元，但三星營收卻
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三星 DRAM
- 韓國三星電子2016年4月5日宣布，開始量產采用10nm級工藝制造的首款DRAM芯片。新產品為DDR4型8Mbit產品。
此次發(fā)布的DDR4型DRAM芯片采用10nm級(1x)工藝制造。三星面向此次的芯片，新開發(fā)了自主設計的新存儲單元結構、四重曝光(Quadruple Patterning Technology)技術、采用極薄絕緣膜形成技術制作的厚度均勻的存儲電容等。由此，無需使用EUV裝置，可利用現有的液浸ArF裝置量產。三星還預定將此次的技術用于下一代10nm(1
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三星 DRAM
- 目前，全球DRAM(Dynamic Random Access Memory，也稱動態(tài)隨機存取存儲器，是最為常見的系統(tǒng)內存)市場主要由三星、SK海力士和美光占有。近日美國市調公司IHS指，韓國企業(yè)三星和SK海力士的市占率進一步沖高至接近75%，這已經是連續(xù)6個季度創(chuàng)下歷史新高，那么第三位的美光前途在何方呢?
三星已在技術方面遙遙領先
據DRAMeXchange的報告，受2015年四季度全球DRAM市場營收下滑約9%的影響，三星、SK海力士、美光三家的營收分別下滑9.7%、9.3%、10.5
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DRAM 美光
dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數據就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應用。
動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [
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