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DRAM慘跌拖累 美光營(yíng)收衰退近3成
- DRAM市場(chǎng)供過(guò)于求，而分散營(yíng)收的努力尚待開(kāi)花結(jié)果，導(dǎo)致美光(Micron)最新一季營(yíng)收、凈利均大幅衰退，本季展望也并不樂(lè)觀。 華爾街日?qǐng)?bào)(WSJ)、彭博(Bloomberg)等媒體報(bào)導(dǎo)，美光于22日發(fā)布截至12月3日止的2016年會(huì)計(jì)年度第1季財(cái)報(bào)，營(yíng)收衰退26.74%至33.5億美元，凈利衰退79.46%至2.06億美元。 在展望方面，美光預(yù)測(cè)本季營(yíng)收將介于29億~32億美元間，每股將虧損0.05~0.15美元，雙雙低于路透(Reuters)預(yù)估的34.6億美元及0.22美元的每股盈余
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大陸扶植DRAM供應(yīng)鏈三部曲
- 市場(chǎng)是開(kāi)放了，技術(shù)依然要自己發(fā)展，包括華為等過(guò)去幾十年發(fā)展起來(lái)的巨頭沒(méi)有一家是通過(guò)市場(chǎng)換技術(shù)換來(lái)而是通過(guò)自身努力崛起的。
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三星在IEDM上宣布：DRAM工藝可達(dá)10nm
- 韓國(guó)三星電子于2015年12月9日在國(guó)際學(xué)會(huì)“IEDM 2015”上就20nm工藝的DRAM開(kāi)發(fā)發(fā)表了演講(論文26.5)。三星此次試制出了20nm工藝的DRAM，該公司表示其特性非常良好，并表示“采用同樣的方法，可以達(dá)到10nm工藝”?！ ∽罱?，有技術(shù)人員指出DRAM的微細(xì)化極限是20nm。DRAM在單元中的電容器中儲(chǔ)存電荷，對(duì)有電荷狀態(tài)分配1、無(wú)電荷狀態(tài)分配0，以此記錄信息。但是，隨著微細(xì)化發(fā)展，電容器的表面積越來(lái)越小，不能再如愿存儲(chǔ)電荷。因此，業(yè)內(nèi)通過(guò)將電容器做成細(xì)長(zhǎng)的圓柱狀來(lái)確保表面積，也就是
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美光關(guān)閉波多黎各DRAM模組廠 產(chǎn)線遷往大陸
- 根據(jù)ComputerWorld報(bào)導(dǎo)，美國(guó)存儲(chǔ)器大廠美光(Micron)有意在12月底結(jié)束在波多黎各的DRAM模組廠，將生產(chǎn)設(shè)備轉(zhuǎn)移至大陸?！ ∶拦馕挥诓ǘ嗬韪鰽guadilla的DRAM模組廠占地約4.8萬(wàn)平方英呎，雇用約200余名勞工。美光表示，迫于市場(chǎng)壓力，該公司將在12月30日結(jié)束在波多黎各的DRAM模組廠，產(chǎn)線將遷移至大陸西安?！ 〈箨懓雽?dǎo)體業(yè)對(duì)外購(gòu)并的消息不斷，甚至不惜傾政府之力投入，拉拔半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，先前清華紫光有意出價(jià)230億美元購(gòu)并美光的消息也甚囂塵上。美國(guó)國(guó)會(huì)議員Dana Rohrab
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跟隨臺(tái)積電登陸，美光DRAM廠也傳遷廠中國(guó)
- 中國(guó)傾全力提高芯片自制比率，對(duì)全球半導(dǎo)體業(yè)產(chǎn)生強(qiáng)烈磁吸效應(yīng)，不僅臺(tái)積電擋不住，美國(guó)內(nèi)存大廠美光(Micron)7日也傳出遷廠中國(guó)消息。 據(jù)ComputerWorld報(bào)導(dǎo)，美光月底打算收掉位在波多黎各的DRAM工廠，生產(chǎn)設(shè)備準(zhǔn)備搬到中國(guó)，將導(dǎo)致185名當(dāng)?shù)貑T工失業(yè)，這對(duì)失業(yè)率已超過(guò)12%的波多黎各，無(wú)疑是雪上加霜。 美光已為島上即將失業(yè)的員工申請(qǐng)政府救濟(jì)，美光并在聲明稿上表示，遷廠是受迫于市場(chǎng)壓力，在尋無(wú)可行替代方案后所做成的決定。 雖然美光在聲明稿上絕口不提中國(guó)，但中國(guó)絕對(duì)是美光遷廠
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面對(duì)大陸供應(yīng)鏈 臺(tái)灣的三張王牌
- 面對(duì)中國(guó)紅色供應(yīng)鏈崛起，臺(tái)灣企業(yè)不管打亞洲杯或世界杯都會(huì)碰到!臺(tái)灣的產(chǎn)業(yè)政策是什么?業(yè)界該如何面對(duì)競(jìng)爭(zhēng)，找到新出路? 中國(guó)發(fā)展“進(jìn)口替代”策略，不管是走快速并購(gòu)路線的紫光集團(tuán)，或者自行發(fā)展技術(shù)的華為，都是循著國(guó)家的產(chǎn)業(yè)政策前進(jìn)。面對(duì)中國(guó)紅色供應(yīng)鏈崛起，臺(tái)灣的產(chǎn)業(yè)政策是什么?業(yè)界又該如何找出路? “紅色供應(yīng)鏈?zhǔn)侵袊?guó)發(fā)展的藍(lán)圖，透過(guò)5年規(guī)劃，把市場(chǎng)力量轉(zhuǎn)為國(guó)家的力量”，學(xué)界出身、對(duì)臺(tái)灣企業(yè)有深入研究的柜買中心董事長(zhǎng)吳壽山分析，中國(guó)內(nèi)需市場(chǎng)夠大，是它的優(yōu)勢(shì)，有人形容這是“紅色軍隊(duì)”，但這是擋不住的。臺(tái)灣
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傳美光將波多黎各DRAM廠遷至中國(guó)
- 中國(guó)傾全力提高芯片自制比例，對(duì)全球半導(dǎo)體業(yè)產(chǎn)生強(qiáng)烈磁吸效應(yīng)，不僅臺(tái)積電擋不住，美國(guó)存儲(chǔ)器大廠美光(Micron)周一也傳出遷廠中國(guó)消息。 據(jù)ComputerWorld報(bào)導(dǎo)，美光月底打算收掉位在波多黎各的DRAM工廠，生產(chǎn)設(shè)備準(zhǔn)備搬到中國(guó)，將導(dǎo)致185名當(dāng)?shù)貑T工失業(yè)，這對(duì)失業(yè)率已超過(guò)12%的波多黎各無(wú)遺是雪上加霜。 美光已為島上即將失業(yè)的員工申請(qǐng)政府救濟(jì)，美光并在聲明稿上表示，遷廠是受迫于市場(chǎng)壓力，在尋無(wú)可行替代方案后所做成的決定。 雖然美光在聲明稿上絕口不提中國(guó)，但中國(guó)絕對(duì)是美光遷廠
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面對(duì)大陸供應(yīng)鏈 臺(tái)灣的三張王牌
- 面對(duì)中國(guó)紅色供應(yīng)鏈崛起，臺(tái)灣企業(yè)不管打亞洲杯或世界杯都會(huì)碰到! 臺(tái)灣的產(chǎn)業(yè)政策是什么?業(yè)界該如何面對(duì)競(jìng)爭(zhēng)，找到新出路? 中國(guó)發(fā)展“進(jìn)口替代”策略，不管是走快速并購(gòu)路線的紫光集團(tuán)，或者自行發(fā)展技術(shù)的華為，都是循著國(guó)家的產(chǎn)業(yè)政策前進(jìn)。面對(duì)中國(guó)紅色供應(yīng)鏈崛起，臺(tái)灣的產(chǎn)業(yè)政策是什么?業(yè)界又該如何找出路? “紅色供應(yīng)鏈?zhǔn)侵袊?guó)發(fā)展的藍(lán)圖，透過(guò)5年規(guī)劃，把市場(chǎng)力量轉(zhuǎn)為國(guó)家的力量”，學(xué)界出身、對(duì)臺(tái)灣企業(yè)有深入研究的柜買中心董事長(zhǎng)吳壽山分析，中國(guó)內(nèi)需市場(chǎng)夠大，
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Altera公開(kāi)業(yè)界第一款集成了HBM2 DRAM和FPGA的異構(gòu)SiP器件
- Altera公司今天公開(kāi)業(yè)界第一款異構(gòu)系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP，System-in-Package)器件，集成了來(lái)自SK Hynix的堆疊寬帶存儲(chǔ)器(HBM2)以及高性能Stratix® 10 FPGA和SoC。Stratix 10 DRAM SiP代表了新一類器件，其特殊的體系結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)滿足了高性能系統(tǒng)對(duì)存儲(chǔ)器帶寬最嚴(yán)格的要求。 數(shù)據(jù)中心、廣播、固網(wǎng)和高性能計(jì)算等系統(tǒng)要處理的數(shù)據(jù)量不斷攀升，需要的帶寬非常高。相對(duì)于目前的分立DRAM解決方案，Stratix 10 DRAM SiP的存儲(chǔ)器帶寬提
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數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)規(guī)?？焖俪砷L(zhǎng) 引導(dǎo)芯片產(chǎn)業(yè)購(gòu)并熱
- 數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)規(guī)模擴(kuò)張快速，連帶牽引整個(gè)科技產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向，引發(fā)企業(yè)公司相互購(gòu)并，光是在近期就已有EZChip、IDT(Integrated Device Technology)、PMC-Sierra、Mellanox、Microsemi、Skyworks、ZMDI(Zentrum Mikroelektronik Dresden)等公司宣布購(gòu)并策略，連高通(Qualcomm)、安華高(Avago)、博通(Broadcom)等大廠也受數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)影響而傳出購(gòu)并活動(dòng)。 不過(guò)，目前為止還沒(méi)有廠商購(gòu)并規(guī)模比
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DRAM現(xiàn)貨價(jià)跌破2美元 歷史新低
- 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)現(xiàn)貨價(jià)持續(xù)破底，DDR3 4Gb顆粒現(xiàn)貨均價(jià)已跌破2美元大關(guān)，達(dá)1.96美元，創(chuàng)歷史新低價(jià)。 DRAM市場(chǎng)庫(kù)存問(wèn)題依然嚴(yán)重，DRAM現(xiàn)貨價(jià)如預(yù)期持續(xù)滑落，據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技調(diào)查，DDR3 4Gb顆粒現(xiàn)貨均價(jià)滑落至1.96美元，創(chuàng)下歷史新低價(jià)。 第4季來(lái)DDR3 4Gb顆?，F(xiàn)貨均價(jià)下跌約0.16美元，跌幅約7.54%。 南亞科預(yù)期，DRAM價(jià)格可望逐步趨于穩(wěn)定，第4季產(chǎn)品價(jià)格將較第3季微幅下滑。 只是集邦科技對(duì)DRAM后市看法相對(duì)保守，表示目前市場(chǎng)已
- 關(guān)鍵字： DRAM 海力士
dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以 必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新，存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。 它的存取速度不快，在386、486時(shí)期被普遍應(yīng)用。
動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲(chǔ)元按照行和列來(lái)組 [ 查看詳細(xì) ]
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