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            美光預投1,300億未來規(guī)劃中科擴廠計劃
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 　　中國臺灣地區(qū)經濟部工業(yè)局昨(17)日首度證實，全球DRAM大廠美光預計在臺投資新臺幣1，300億元，未來將落腳中部科學園區(qū)進行擴廠計劃，預計將增加逾2千個就業(yè)機會。據悉，美光鎖定中科進行新的3D封測制程，預估2-3年可量產，要打造成為亞太區(qū)營運中心。
　　工業(yè)局表示，去年協(xié)助美光在臺擴大投資，總投資金額高達新臺幣1，300億元，也就美光擴大投資所需土地、廠房、資金等提供協(xié)助，未來規(guī)劃中科擴廠計劃，將可增加2，000個以上就業(yè)機會，將臺灣塑造為高效完整的DRAM全球生產基地。

 
　
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            • 關鍵字：
                        美光  DRAM                          
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            工序失衡！2017 DRAM內存缺貨/漲價繼續(xù)蔓延
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 　　從2016年下半年開始，內存、閃存的缺貨漲價勢頭開始上揚，2017年這一局面將繼續(xù)擴散蔓延，而且一整年都未必會有改觀。

 
　　據臺灣經濟日報報道，內存大廠金士頓近日表態(tài)，今年因為主要的DRAM內存大廠都沒有增產計劃，全年DRAM內存都面臨缺貨窘境。此外，群聯(lián)公司董事長潘建成也強調，NAND閃存因為進入3D世代，制程良率無法提升，預計將缺貨一整年。
　　日前，金士頓董事長陳建華出席群聯(lián)竹南三廠上梁典禮時，針對DRAM內存市場進行了分析，他表示，目前主要DRAM內存大廠都沒有增產計劃
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            • 關鍵字：
                        DRAM  閃存                          
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            為什么說中國必須建設本土存儲產業(yè)
            
                                                            
              
                    	
            • 　　在長江存儲，晉華項目和合肥長鑫這三大存儲國產存儲基地開建之際，有很多人曾經質疑過中國為什么要投入那么多錢去做這個建設?，F在我通過一個事實告訴你原因。現在在存儲產業(yè)，基本是韓國廠商的天下，而隨著設動設備的火熱，各種設備的爆發(fā)，市場對存儲的需求日增，于是帶來了存儲產品的缺貨問題，進而導致了漲價。
　　拜DRAM價格因供給短缺而以高角度上揚之賜，部分分析師預測南韓兩大存儲廠三星與SK海力士，今年半導體營業(yè)利潤可能年增5成，來到史無前例的25兆韓圓。
　　存儲市況從2016年6月觸底反彈后，從最低每單位1
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            • 關鍵字：
                        DRAM                          
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            大陸存儲器的戰(zhàn)略布局
            
                                                            
              
                    	
            • 　　長江存儲成立后，大陸在這個階段于半導體的宏觀布局重新成形。但是為什么挑由存儲器入手?這是個關鍵選擇。尤其是在臺灣的 DRAM 產業(yè)甫因規(guī)模經濟不足導致研發(fā)無法完全自主而緩緩淡出之際，這樣的選擇需要一番辯證。進口替代當然是原因之一，但不是全部。
　　回歸基本面來看。半導體之所以為高科技是因為有摩爾定律，容許其不斷的制程微縮，而其經濟效益也高度依賴摩爾定律。DRAM 在很長的一段時間里是半導體業(yè)的驅策技術(driving technology)，也就是說DRAM的制程領導其它的半導體制程前進。半導體的先
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            • 關鍵字：
                        DRAM   存儲器                          
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            TrendForce：服務器DRAM模組供不應求，Q1報價看漲25%
            
                                                            
              
                    	
            • 　　市場調查機構TrendForce最新報告預測，服務器用DRAM模組由于供給吃緊，第一季報價可能攀升至少25%。
　　2017年第一季初，服務器DRAM模組已較前一季同期漲價逾25%，部份高密度產品合約價漲幅更是逼近30%。DDR4 R-DIMM 32GB模組目前已漲破200美元門檻，16GB模組也來到100美元。
　　TrendForce旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange發(fā)現，服務器DRAM模組報價看漲，部份是受惠于PC用DRAM持續(xù)漲價。除此之外，服務器制造業(yè)者因擔心價格持續(xù)走揚而提前
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            • 關鍵字：
                        DRAM                          
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            DRAM供貨吃緊 創(chuàng)淡季漲幅最高紀錄
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 　　集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)最新研究顯示，由于DRAM供貨吃緊至今未有改善的跡象，因此延續(xù)2016下半年的價格漲勢，2017年第一季DRAM平均銷售單價呈大幅上漲格局，DDR3 4GB模組的合約價最高已超過25美元，季漲幅超過三成，為DRAM史上首個在傳統(tǒng)淡季下仍能維持強勢漲價的季度。
　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，根據現已成交的合約看來，2017年第一季標準型內存價格持續(xù)攀高，平均漲幅接近三成，服務器內存的漲幅略同，R-DIMM 32GB模組已超過200美元
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            • 關鍵字：
                        DRAM                          
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            DRAM/NAND價格回升 存儲器產值今年將增10%
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 　　在2015、2016連續(xù)兩年下跌后，DRAM和NAND Flash存儲器平均銷售價格(ASP)正穩(wěn)健走揚，研究機構IC Insights認為，此將有助推升2017年存儲器市場銷售規(guī)模，預估整體產值可達853億美元新高紀錄，較2016年成長10%;2020年更可望首度攀至千億美元大關。
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            • 關鍵字：
                        DRAM  NAND                          
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            一文通解基于VLT技術的新型DRAM內存單元
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 　　垂直分層閘流體(Vertical Layered Thyristor;VLT)，是Kilopass研發(fā)出的新型內存單元，能夠顯著降低動態(tài)隨機存取內存(DRAM)的成本和復雜性。這是一種靜態(tài)的內存單元，無需刷新操作;兼容于現有晶圓廠的制造設備，也無需任何新的材料或工藝?！　∠噍^于一般的DRAM，VLT內存數組能節(jié)約高達45%的成本;這是因為它具有更小的VLT內存單元，以及驅動更長行與列的能力，使其得以大幅提升內存數組效率。然而，想要發(fā)揮VLT的優(yōu)勢，就必須在依據產業(yè)標準發(fā)展的成熟DR
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            • 關鍵字：
                        DRAM                          
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            紫光蓋全球最大3DNAND廠,暫時不涉足DRAM
            
                                                            
              
                    	
            • 　　大陸紫光集團在2016年終正式宣布投資總額高達240億美元，在武漢東湖高新區(qū)興建全球單一最大3D儲存型快閃存儲器(NAND Flash)廠，為全球存儲器市場投下一顆震撼彈。
　　半導體設備業(yè)透露，紫光集團由旗下長江存儲公司負責推動這項計畫。紫光集團暨長江存儲董事長趙偉國甚至將這項投資案，等同遼寧號航空母艦出海試航，是中國大陸存儲器產業(yè)從零突破的開端，也創(chuàng)下由國家戰(zhàn)略推動、地方大力支持、企業(yè)市場化運作的新合作模式。
　　由紫光集團聯(lián)合國家集成電路產業(yè)基金(大基金)、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資
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            • 關鍵字：
                        紫光  DRAM                          
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            存儲的春天 2017年存儲行業(yè)收入將創(chuàng)紀錄
            
                                                            
              
                    	
            • 　　根據ICInsights報道，在經歷了2013年與2014年連續(xù)兩年20%以上增長的好年景以后，2015年全球存儲器市場陷入困境。無論是供應商合并、產能控制還是新型應用頻出等過去認為是利好的事情，都沒有拯救2015年的存儲器市場。個人電腦市場的低迷導致存儲器庫存過多，從而在2015年下半年出現了價格暴跌，2015年存儲器銷售額最終為780億美元，同比下降了3%。
　　這種頹勢延續(xù)到了2016年上半年，但從2016年下半年開始情況發(fā)生了變化，存儲器價格開始變得異常堅挺，而且持續(xù)到了2016結束。但由于
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            • 關鍵字：
                        DRAM  存儲器                          
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            嚴防技術泄露 DRAM三大廠向跳槽大陸員工發(fā)出警告信
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 　　全球三大DRAM廠三星、SK海力士(SK Hynix)及美光，近期不約而同相繼寄出存證信函給跳槽到大陸合肥長鑫、及為福建晉華負責研發(fā)的聯(lián)電核心成員，全力防堵DRAM技術流入中國大陸，讓全力發(fā)展自主DRAM研發(fā)的中國大陸踢到鐵板，也讓近期有意跳槽到大陸的華亞科核心技術人員，遭到空前恫嚇。
　　半導體人士透露，三大DRAM廠強力防止中國大陸藉挖角剽竊技術，顯示不樂見DRAM產業(yè)寡占局面被中國大陸全力搶進而打破，三大廠采取法律制約員工跳槽的行動，如果能奏效，將使DRAM供給缺口浮現問題再擴大，明年再現飆漲
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            • 關鍵字：
                        DRAM  SK海力士                          
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            IC Insights：2017年全球存儲器市場同比增長10%
            
                                                            
              
                    	
            • 　　在經歷了2013年與2014年連續(xù)兩年20%以上增長的好年景以后，2015年全球存儲器市場陷入困境。無論是供應商合并、產能控制還是新型應用頻出等過去認為是利好的事情，都沒有拯救2015年的存儲器市場。個人電腦市場的低迷導致存儲器庫存過多，從而在2015年下半年出現了價格暴跌，2015年存儲器銷售額最終為780億美元，同比下降了3%。
　　這種頹勢延續(xù)到了2016年上半年，但從2016年下半年開始情況發(fā)生了變化，存儲器價格開始變得異常堅挺，而且持續(xù)到了2016結束。但由于上半年跌價太狠，IC Insi
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            • 關鍵字：
                        存儲器  DRAM                          
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            力晶黃崇仁：2017年DRAM市況非常好
            
                                                            
              
                    	
            • 　　力晶執(zhí)行長黃崇仁20日出席臺灣物聯(lián)網產業(yè)技術協(xié)會成立大會時表示，明年存儲器市況不錯，但力晶沒有到大陸生產存儲器的計劃;同時他發(fā)表傳出前中華電信董事長蔡力行要去紫光看法，他認為蔡力行對于老東家臺積電有程忠誠度，不會去挖臺積電的墻角。
　　20日市場傳出，蔡力行將加入大陸紫光集團，協(xié)助在成都蓋12吋晶圓代工廠，黃崇仁對此提出看法表示 ，以他與蔡力行是老朋友的身分觀察，蔡力行對臺積電是有忠誠度的，不會去挖臺積電的墻角。
　　由于力晶已經前進大陸合肥在當地蓋12吋晶圓代工廠合晶，目前廠房已經蓋好，明年將進
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            • 關鍵字：
                        力晶  DRAM                          
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            華亞科被高薪挖角 大陸存儲點燃DRAM主導權大戰(zhàn)
            
                                                            
              
                    	
            • 　　中國大陸紫光集團長江存儲、合肥長鑫及福建晉華都積極爭取大陸存儲主導權，隨著三大體建廠計劃預定2018年量產，三大體系將正面對決。
　　長鑫目前已網羅SK海力士、華亞科及臺廠DRAM設計公司相關人員，構成中日臺的存儲研發(fā)團隊。長鑫日前正式曝光相關投資計劃，預定第一期在合肥空港經濟示范區(qū)興建第一座12吋晶圓廠，明年7月動工，目前團隊已逾50位員工，預定明年要達千人規(guī)模、2018年上看2，000人，這也是為何急于對臺挖角的關鍵。
　　大陸發(fā)展自主存儲已列入大陸國家發(fā)展目標，多方勢力積極主導地位，其中，紫
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            • 關鍵字：
                        華亞科  DRAM                          
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            SK海力士開發(fā)出10納米級DRAM　與三星拉近差距
            
                                                            
              
                    	
            • 　　傳聞SK海力士(SK Hynix)即將在2017年上半啟動10奈米級DRAM量產，這將是繼三星電子(Samsung Electronics)之后，第二家投產10奈米級DRAM的半導體業(yè)者。目前SK海力士已完成1x奈米技術研發(fā)，同時著手開發(fā)1y奈米，并組成1z奈米研發(fā)團隊，持續(xù)追求更高的技術競爭力。
　　據韓媒ET News報導，14日業(yè)界消息指出，SK海力士以Alius作為計畫名稱的1x奈米DRAM即將正式量產。其目前已完成客戶樣品生產，正進行最后的可靠度檢測，預定2017年第2季由M14新廠正式量
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            • 關鍵字：
                        SK海力士  DRAM                          
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            dram介紹
            
      			
            
		      	
            
		      			      			      	DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數據就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應用。 
 
動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組		      	[ 查看詳細 ]
		      			      	
            
    		
            
  		
            
  		  		  		  		
  		  		  		
  		  		  		
  		            
        		  		
  		  		
            
    		
            
      			
            
        			
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