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            三星最快7月啟動DRAM 17產(chǎn)線 對手或跟進(jìn)擴(kuò)產(chǎn)

            •   三星電子(Samsung Electronics)最快將于7月啟動在韓國京畿道華城的17產(chǎn)線。在初期稼動,17產(chǎn)線預(yù)定僅啟動整體生產(chǎn)能力(CAPA)的10~30%。雖然不會立即對目前DRAM市場產(chǎn)生巨大影響,但不排除競爭對手SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)跟進(jìn)加速擴(kuò)產(chǎn)競爭的可能性。   據(jù)Digital Times報(bào)導(dǎo),三星預(yù)計(jì)在第3季投產(chǎn)17產(chǎn)線DRAM。預(yù)定投入20納米DRAM制成的17產(chǎn)線,目前設(shè)備已經(jīng)全數(shù)搬入,并進(jìn)入試驗(yàn)稼動中,最快將于7月或8月正式投產(chǎn)。   熟稔三星
            • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM   

            拼年底量產(chǎn)3D NAND、傳SK海力士大買設(shè)備

            •   記憶體大廠整軍經(jīng)武,準(zhǔn)備展開新一波大戰(zhàn)!據(jù)傳三星電子和SK 海力士 (SK Hynix )將大買設(shè)備,積極投資3D NAND Flash;另外DRAM也將轉(zhuǎn)進(jìn)新制程,拉高戰(zhàn)力。   韓媒etnews 6日報(bào)導(dǎo),記憶體大廠爭相量產(chǎn)3D NAND Flash,新制程和傳統(tǒng)NAND Flash相比,差別在于從平面改為立體,能層層堆疊,提高效能。據(jù)了解,由2D轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND Flash,顯影制程不變,但是金屬化和刻蝕步驟將分別增加50~60%、30~40%,需要采購不少新設(shè)備。據(jù)了解,三星最早量產(chǎn)3D
            • 關(guān)鍵字: SK 海力士  DRAM  

            DRAM市占率維持上升趨勢 三星、SK海力士春風(fēng)得意

            •   受惠DRAM事業(yè)蓬勃發(fā)展,三星1Q半導(dǎo)體事業(yè)營收與營利成長率都勝過英特爾。三星官網(wǎng)2015年第1季半導(dǎo)體前五大業(yè)者中,只有三星電子(Samsung Electronics)與SK海力士(SK Hynix)的市占率維持上升趨勢,受惠于DRAM事業(yè)蓬勃發(fā)展,兩企業(yè)可謂春風(fēng)得意。   不只PC、筆記型電腦(NB),連電視、冰箱、洗衣機(jī)都搭載DRAM的物聯(lián)網(wǎng)(IoT)時(shí)代正在來臨,使DRAM產(chǎn)業(yè)成為最大的受惠者。而在十多年競爭中存活下來的DRAM三大業(yè)者三星電子、SK海力士與美光(Micron),正在享受寡
            • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  

            全球內(nèi)存條市場:中國記憶科技高居第二

            • 全球內(nèi)存條市場十大廠商,中國竟排名二名。
            • 關(guān)鍵字: 內(nèi)存  DRAM  

            兩岸再攜手建12英寸晶圓代工廠 合肥 力晶誰沾了誰的光?

            • 如果一切順利,力晶很有可能超越目前正在考慮西進(jìn)大陸的臺積電,成為繼臺聯(lián)電登陸廈門后,中國大陸迎來的第二座臺灣12英寸晶圓廠。
            • 關(guān)鍵字: 晶圓  DRAM  

            2014年全球DRAM模組廠營收排名

            •   根據(jù)Trendforce旗下記憶儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新發(fā)布的全球記憶體模組廠排名調(diào)查,2014年全球模組市場總銷售金額約為88億美元,與2013年的73億美元相比,大幅成長約21%左右,主要受惠于標(biāo)準(zhǔn)型記憶體價(jià)格的平穩(wěn)走勢與合約市場的比重提升。   前五大記憶體模組廠仍占據(jù)整體銷售金額的81%,前十名幾乎囊括全球模組市場中92%的營業(yè)額,其中金士頓(Kingston)仍穩(wěn)坐模組廠龍頭之位,營收較前年成長約44%;記憶科技(Ramaxel)與威剛(ADATA)則分居二、三名,都有著不錯(cuò)
            • 關(guān)鍵字: 金士頓  DRAM  

            美光2015年三季度利潤大幅減少,受個(gè)人電腦市場低迷影響

            •   美光科技日前發(fā)布了截至2015年6月4日的第三季度財(cái)報(bào),銷售額同比減少3%,為38.53億美元,營業(yè)利潤同比減少25%,為6.31億美元;凈利潤同比減少39%,為4.91億美元(英文發(fā)布資料)。該公司表示,業(yè)績惡化是因?yàn)槭艿搅藗€(gè)人電腦市場需求停滯等的影響。經(jīng)營個(gè)人電腦相關(guān)產(chǎn)品的計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)業(yè)務(wù)部門的業(yè)績本季度大幅惡化。   與上季度(2014年12月~2015年2月)相比,總銷售額減少8%,毛利潤率也降低了約3個(gè)百分點(diǎn),約為31%。減收減益的主要原因是DRAM的平均銷售單價(jià)環(huán)比降低10%。不過,削減制
            • 關(guān)鍵字: 美光  DRAM  

            美光本季財(cái)測差 PC不妙

            •   電腦晶片制造商美光科技公司(Micron)上季獲利下滑39%,并警告本季的營收可能低于市場預(yù)期,因?yàn)閭€(gè)人電腦(PC)晶片的價(jià)格可能繼續(xù)下跌。   美光生產(chǎn)PC用的動態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)晶片,以及行動裝置用來儲存音樂、相片等資料的NAND記憶晶片。DRAM約占美光總營收的60%。   美光25日公布,截至6月4日的年度第3季營收為38.5億美元,較去年同期減少3.2%,是兩年多來首次下滑,也不如分析師預(yù)期的39億美元。   上季獲利為4.91億美元,或每股42美分,低于一年前的8.06億美
            • 關(guān)鍵字: 美光  DRAM  

            DRAM報(bào)價(jià)慘!美光獲利掉近四成、盤后暴跌

            •   美國記憶體大廠美光科技(Micron Technology Inc.)最新財(cái)報(bào)(2015會計(jì)年度第三季)出爐,受PC景氣蕭條影響,美光當(dāng)季獲利暴瘦近四成,且本季展望也不如預(yù)期。   DRAM與NAND記憶體是美光主要產(chǎn)品,也多用在PC上。美光執(zhí)行長Mark Durcan在財(cái)報(bào)上明講,景氣逆風(fēng)主要來自PC上半年需求疲弱。   翻開財(cái)報(bào)檢視,美光當(dāng)季DRAM銷售量平平,但平均售價(jià)跌了一成,拖累當(dāng)季整體營收年減3%至38.5億美元,低于分析師預(yù)估的39億美元。   凈利僅4.91億美元,較去年同期衰退
            • 關(guān)鍵字: DRAM  美光  

            ISSI 并購戰(zhàn)狂打三個(gè)月,中國進(jìn)軍 DRAM 頻遭搶親

            •   2015 年 3 月 12 日,以武岳峰為首的中國資本企業(yè)發(fā)表聲明,將以每股 19.25 美元收購美國 DRAM 廠商 ISSI,宣告中國的半導(dǎo)體布局觸角延伸到 DRAM 產(chǎn)業(yè),但邁開的這一步卻始終無法走向下個(gè)階段,時(shí)經(jīng)三個(gè)月雙方仍在并購談判中原地踏步,很大一部分原因在于殺出賽普拉斯(Cypress)這家程咬金。   你來我往的出價(jià)競賽   檢視這三個(gè)月雙方的并購發(fā)展,這場 ISSI 爭奪大戰(zhàn)打得如火如荼,5 月 13 日另家美國半導(dǎo)體廠商賽普拉斯(Cypress)出手,宣布將以每股優(yōu)于武岳峰資本
            • 關(guān)鍵字: ISSI  DRAM   

            20納米制程難轉(zhuǎn)換 DRAM次級品流竄市場

            •   DRAM芯片轉(zhuǎn)進(jìn)20納米制程難度高,市場供需失衡蔓延到各個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域。三星官網(wǎng)全球DRAM產(chǎn)業(yè)進(jìn)入20納米制程世代后,進(jìn)入門檻非常高。一方面是設(shè)備投資變大,需求的機(jī)臺設(shè)備多很多,甚至讓DRAM廠加蓋無塵室來放擺放機(jī)臺設(shè)備,否則導(dǎo)致產(chǎn)出數(shù)量大幅減少。而20納米制程的另一個(gè)高門檻就是生產(chǎn)難度大增,DRAM市場價(jià)格無法反彈,這些次級品(downgrade)的貨源大幅流竄是一大兇手。   市場終端需求不好,蘋果(Apple)下半年推出的新一代iPhone內(nèi)建存儲器容量從1G升級到2G,其他新機(jī)容量甚至提升到4
            • 關(guān)鍵字: DRAM  20納米  

            中芯主導(dǎo) 國產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片廠落戶武漢

            •   國內(nèi)廠商現(xiàn)在處理器市場已經(jīng)獲得了一席之地,華為海思、瑞芯微、展訊、瑞迪科已經(jīng)是其中的佼佼者,不過整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中國內(nèi)的力量還是很弱的,國內(nèi)廠商還不到自滿的時(shí)候,下一個(gè)目標(biāo)看起來就是DRAM內(nèi)存芯片了,現(xiàn)在本土的DRAM廠已經(jīng)確定落戶武漢市了,新廠將由中芯國際的高管主導(dǎo)。        與移動處理器市場不同,DRAM芯片的技術(shù)及工廠主要集中在了美光、三星、SK Hynix這幾家手中,日系DRAM基本上滅了,還有的就是臺灣的一些DRAM廠商了,比如茂德、南亞等?,F(xiàn)在國內(nèi)也把注意力放在D
            • 關(guān)鍵字: DRAM  美光  

            國家大基金扶植半導(dǎo)體上路 邏輯、存儲器芯片攻勢猛

            •   大陸扶植半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)開始執(zhí)行上路,近7成資金將挹注在IC制造/設(shè)備領(lǐng)域。法新社大陸設(shè)立大基金扶植半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)開始執(zhí)行上路,半導(dǎo)體業(yè)者透露,分5年總計(jì)人民幣6,000億元資金有近7成將挹注在IC制造/設(shè)備領(lǐng)域,重點(diǎn)扶植項(xiàng)目包括邏輯芯片、DRAM及NAND Flash芯片等,其中,邏輯芯片將以中芯國際為首,至于存儲器領(lǐng)域?qū)⑾葟腄RAM芯片切入,長期目標(biāo)是大陸內(nèi)需50%半導(dǎo)體芯片全數(shù)自制。   半導(dǎo)體業(yè)者指出,大陸國家IC產(chǎn)業(yè)投資基金,每年提撥人民幣1,200億元投入自建半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈,初期規(guī)劃5年、共人民幣6
            • 關(guān)鍵字: 存儲器  DRAM  

            DRAM微縮到頂!新存儲器MRAM、ReRAM等接班?

            •   DRAM和NAND Flash微縮制程逼近極限,業(yè)界認(rèn)為次世代記憶體“磁電阻式隨機(jī)存取記憶體”(MRAM)、“可變電阻式記憶體”(ReRAM)可能即將現(xiàn)身,要以更快的存取速度橫掃市場。        韓媒BusinessKorea 16日報(bào)導(dǎo),南韓半導(dǎo)體業(yè)者指出,16奈米將是DRAM微縮制程的最后極限,10奈米以下制程需要縮小電晶體體積,但是薄膜厚度卻無法縮減,也可能不適合采用高介電常數(shù)(High-K)材料和電極。MRAM和ReRAM
            • 關(guān)鍵字: DRAM  MRAM  

            電子元器件行業(yè):半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入DRAM產(chǎn)業(yè)呼聲漸高

            •   06月8日-06月14日,電子行業(yè)表現(xiàn)強(qiáng)于大市。截止06月12日收盤時(shí),中信電子行業(yè)指數(shù)大漲3.82%,滬深300(5064.821, -156.35, -2.99%)指數(shù)上漲2.0%,上證綜指上漲2.85%。電子元器件子板塊全線上漲,其中半導(dǎo)體材料和顯示器件漲幅最大,分別為7.03%和7.62%。分立器件和光學(xué)元件板塊漲幅較小,分別為0.88和2.81%。   行業(yè)觀點(diǎn):電子行業(yè)上周出現(xiàn)全面上漲,半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)漲幅最大。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基金分5年總計(jì)6,000億元注入到在集成電路制造、設(shè)備、材料領(lǐng)域,重
            • 關(guān)鍵字: DRAM  OLED   
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            ddr5 dram介紹

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