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            EEPW首頁 >> 主題列表 >> ddr5 dram

            圖解中國存儲器三大勢力 DRAM、NAND 拼量產(chǎn)

            • 中國存儲器后進廠商 2018 年開始產(chǎn)能逐步開出,目前狀況到底如何?
            • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  

            存儲器廠調(diào)漲DRAM合約價 明年Q1價格仍有望居高不下

            •   DRAM漲勢不斷,后遺癥逐步顯現(xiàn),渠道商表示,因存儲器漲幅過大,下游應用端,尤其是筆電和部分智能手機等市場,不堪侵蝕獲利,已開始朝降低搭載量抵制,加上部分新產(chǎn)量陸續(xù)在2019年產(chǎn)出,研判明年下半年,DRAM漲勢將止步,價格有下調(diào)壓力。   調(diào)研機構(gòu)研究報告顯示,三星、SK海力士及福建晉華、合肥睿力等公司的增產(chǎn)計劃,都為未來DRAM市場投下新變數(shù),明年DRAM產(chǎn)值雖仍可成長11.8%,但成長已低于今年的67.8%,到2019年,在新產(chǎn)能增加,重陷價格戰(zhàn)下,年產(chǎn)值將衰選25.9%,且預估有2年的殺戮戰(zhàn)。
            • 關(guān)鍵字: 存儲器  DRAM  

            內(nèi)存條漲價背后:廠家紛紛將產(chǎn)能挪到利潤較高的業(yè)務

            • 作為一個寡頭壟斷市場,內(nèi)存條價格一路飆升背后,是三星電子、美光科技、SK海力士內(nèi)存廠商正經(jīng)歷一次較為一致的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)變。
            • 關(guān)鍵字: 內(nèi)存條  DRAM  

            DRAM缺貨恐延至明年 兩大模組廠喊缺

            •   臺灣兩大存儲器模組廠威剛與創(chuàng)見一致認為,動態(tài)隨機存取存儲器( DRAM )將持續(xù)缺貨。威剛預期,DRAM缺貨情況可能延續(xù)到明年。   威剛指出,全球人工智能與物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展,帶動云端基礎設備及服務規(guī)模大舉躍升,連帶刺激全球DRAM需求急遽成長。   只是全球DRAM大廠近年都專注于制程改良,并未就新增產(chǎn)能進行巨額投資,威剛表示,這使得今年來全球DRAM缺貨問題不斷延燒。   創(chuàng)見預期,第4季DRAM市場仍將持續(xù)供不應求,產(chǎn)品價格也將維持高檔。   威剛更指出,韓系DRAM大廠已預告明年第1
            • 關(guān)鍵字: DRAM  

            DRAM核心設計的新舊存取技術(shù)差異

            •   本文討論不同的存取技術(shù)對于DRAM在進行實體設計時所發(fā)生的改變,尤其是指由1電晶體+1電容器組成的儲存單元——DRAM的最小記憶單位…   不同的存取技術(shù)對于動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)在進行實體設計時將發(fā)生什么改變?當動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)中的儲存單元(storage cell)加上控制端點以及數(shù)據(jù)端點后,就被稱為1T1C DRAM單元;其中,控制端點也就是字組線(WL),用于傳遞位址訊號,數(shù)據(jù)端點也就是位元線(BL),用于傳遞數(shù)據(jù)值。   陣列結(jié)
            • 關(guān)鍵字: DRAM  

            0.7納秒!相變存儲器速度新極限

            •   隨著數(shù)字全球化,爆炸式增長的信息對數(shù)據(jù)的存儲與傳輸提出了極大的挑戰(zhàn),而且目前商用計算體系架構(gòu)內(nèi)各存儲部件,即緩存(SRAM)、內(nèi)存(DRAM)和閃存(NAND Flash)之間性能差距日益加大,其間的數(shù)據(jù)交換效率也已成為了電子設備發(fā)展的瓶頸。因此研發(fā)具備存儲密度大、讀寫速度快、能耗低、非易失(即斷電后數(shù)據(jù)不丟失)等特點的新式通用式存儲介質(zhì)勢在必行。        近日,美國Science雜志發(fā)表了西安交通大學與上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所的合作論文——《Red
            • 關(guān)鍵字: 相變存儲器  DRAM  

            蘋果掃貨 DRAM本季已漲10% 下季料將續(xù)漲5%

            •   由于蘋果包下了三星、SK海力士、美光等三大廠第四季行動式DRAM產(chǎn)能,在產(chǎn)能排擠效應發(fā)酵下,標準型、服務器、利基型等DRAM持續(xù)缺貨,第四季合約價順利再漲6~10%,業(yè)界對明年第一季淡季續(xù)漲5%已有高度共識,法人點名南亞科、華邦電、威剛將受惠最大。   南亞科受惠于DRAM合約價順利調(diào)漲,加上20納米制程新產(chǎn)能全面開出,6日公告10月合并營收月增9.2%達新臺幣50.72億元,創(chuàng)下單月營收歷史新高,與去年同期相較亦大增32.7%。華邦電及威剛尚未公告10月營收,但法人樂觀預估華邦電營收將介于新臺幣4
            • 關(guān)鍵字: 蘋果  DRAM  

            三星擴產(chǎn)留一手 DRAM缺貨到明年

            •   包括三星、SK海力士、美光等三大DRAM廠近2年來產(chǎn)能擴張幅度有限,加上20納米以下先進制程轉(zhuǎn)換難度提高,DRAM位元供給成長明顯較往年放緩。但由需求面來看,智慧型手機搭載容量快速增加,物聯(lián)網(wǎng)及汽車電子的需求亦進入倍數(shù)成長階段。也因此,在供給吃緊情況下,DRAM價格由去年下半年一路漲到今年底,累計漲幅已將超過1倍。   以4GBDDR4模組合約價來看,去年第3季平均價格僅13美元,但今年第4季價格已大漲至30.5美元,不僅價格已連續(xù)6季度調(diào)漲,累計漲幅亦超過1.3倍。想當然爾,DRAM價格大漲也明顯
            • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  

            蘋果掃貨DRAM漲不停本季已漲10%,下季料將續(xù)漲5%

            •   由于蘋果包下了三星、SK海力士、美光等三大廠第四季移動式DRAM產(chǎn)能,在產(chǎn)能排擠效應發(fā)酵下,標準型、服務器、利基型等DRAM持續(xù)缺貨,第四季合約價順利再漲6~10%,業(yè)界對明年第一季淡季續(xù)漲5%已有高度共識,法人點名南亞科、華邦電、威剛將受惠最大。   南亞科受惠于DRAM合約價順利調(diào)漲,加上20納米制程新產(chǎn)能全面開出,昨(6)日公告10月合并營收月增9.2%達50.72億元,創(chuàng)下單月營收歷史新高,與去年同期相較亦大增32.7%。華邦電及威剛尚未公告10月營收,但法人樂觀預估華邦電營收將介于43~4
            • 關(guān)鍵字: DRAM  存儲器  

            半導體迎來第三次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移與升級世界將裝上“中國芯”?

            • 從過去的兩次半導體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移來看,中國如今已經(jīng)具備成為行業(yè)新霸主的條件,未來半導體行業(yè)迎來大發(fā)展可以期待。
            • 關(guān)鍵字: 中國芯  DRAM  

            DRAM風云錄,國產(chǎn)廠商也要入局

            • 三星、SK海力士和鎂光,這三家大佬目前占據(jù)了市場上95%的份額,現(xiàn)在國產(chǎn)存儲研發(fā)成功,但是良率能否提升、量產(chǎn)能否實現(xiàn),也仍然存在較大不確定性,從研發(fā)成功至量產(chǎn)并形成銷售需要長達幾年時間。
            • 關(guān)鍵字: DRAM  

            DRAM供不應求短期難解 三星計劃下季再調(diào)漲報價3~5%

            •   DRAM供不應求短期難解,全球DRAM制造龍頭韓國三星半導體通知渠道商,計劃明年第1季再調(diào)漲DRAM報價,漲幅3~5%,其中以行動式DRAM漲幅較大,這也說明三星在采取節(jié)制性增產(chǎn)下,仍不愿放棄持續(xù)拉升DRAM獲利,推升集團獲利表現(xiàn),有助破除讓近期市場擔心三星可能會擴產(chǎn),打亂DRAM產(chǎn)業(yè)秩序的疑慮。   中國臺灣地區(qū)DRAM大廠也強調(diào),目前主要大廠包括三星、美光和SK海力士等,仍以升級制程作為提高DRAM產(chǎn)出的主要方向,預料即使三星調(diào)升部分產(chǎn)線,增加的DRAM產(chǎn)出仍無法滿足市場需求,預料明年DRAM還
            • 關(guān)鍵字: DRAM  三星  

            從Gartner預測全球半導體市場強增長看行業(yè)投資線索

            •   知名信息技術(shù)研究和分析公司Gartner發(fā)布預測,2017年全球半導體市場總營收將達到4111億美元,較2016年增長19.7%。這是繼2010年從金融危機中復蘇且全球半導體營收增加31.8%之后,增長最為強勁的一次。根據(jù)Gartner統(tǒng)計及預測,全球半導體市場總營收在2014年~2016年的這3年間,規(guī)模在3400億美元左右。但2017年因為內(nèi)存價格逐季大漲,帶動半導體市場出現(xiàn)強勁增長,這也是半導體市場年度總營收首度超過4000億美元大關(guān)。   Gartner研究總監(jiān)Jon Erensen表示,以
            • 關(guān)鍵字: DRAM  高通  

            國內(nèi)芯片廠商砸180億造內(nèi)存 不再看國外臉色!

            •   去年雙11時,一條8G DDR4 2400hz的內(nèi)存僅在300元左右,轉(zhuǎn)眼1年過去了,價格已經(jīng)飆升至900元,也就是說兩條8GB的內(nèi)存足以購買一塊中端顯卡了,這樣的價格很多年沒有看到過了,也導致了許多想更換內(nèi)存的朋友望而生畏。        其實內(nèi)存主要上漲的原因就是內(nèi)存的上游原料DRAM顆粒在近1年以來瘋狂的上漲,其漲幅到達了111%,原材料的上漲導致內(nèi)存成本飆升。另一方面由于2016年時電腦市場內(nèi)存飽和,許多DRAM顆粒制作廠商紛紛把銷售方向轉(zhuǎn)向了手機,因為手機在不斷的推出新產(chǎn)
            • 關(guān)鍵字: 芯片  DRAM  

            內(nèi)存竟然降價了:幅度驚人

            • 僅僅是活動促銷,未來一段時間內(nèi),內(nèi)存價格仍然會居高不下,有需要的用戶必然要繼續(xù)糾結(jié)。
            • 關(guān)鍵字: 內(nèi)存  DRAM  
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            ddr5 dram介紹

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