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三星的“致命傷”——過(guò)渡依賴芯片產(chǎn)品
- 導(dǎo)讀：《朝鮮日?qǐng)?bào)》今日撰文稱，三星電子雖然躋身世界最大的電子企業(yè)行列，但公司銷(xiāo)售業(yè)績(jī)?cè)诤艽蟪潭壬弦蕾囉谛酒a(chǎn)品，而芯片的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)容易根據(jù)市場(chǎng)環(huán)境起伏不定，這也被認(rèn)為是三星的“致命弱點(diǎn)”。如果現(xiàn)在放松警惕，今后可能會(huì)面臨更大的危機(jī)。 以下為全文： 三星電子在韓國(guó)企業(yè)史上第一個(gè)實(shí)現(xiàn)“銷(xiāo)售額100萬(wàn)億韓元、營(yíng)業(yè)利潤(rùn)10萬(wàn)億韓元”的業(yè)績(jī)，成為世界最大的電子企業(yè)。但英國(guó)《金融時(shí)報(bào)》29日?qǐng)?bào)道稱：“從長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看，三星電子的創(chuàng)新性不足將損害收益。
- 關(guān)鍵字： 三星電子 芯片 LCD DRAM
40納米成DRAM廠流行口號(hào)
- 近期DRAM廠掀起一股40納米熱潮，這一切都要從爾必達(dá)(Elpida)說(shuō)起。因?yàn)闋柋剡_(dá)2009年沒(méi)錢(qián)轉(zhuǎn)進(jìn)50納米技術(shù)制程后，最后決定跳過(guò)50納米，直接轉(zhuǎn)進(jìn)45納米，這下刺激了美光(Micron)陣營(yíng)，南亞科和華亞科近期宣布42納米制程提前1季導(dǎo)入，讓整個(gè)DRAM產(chǎn)業(yè)在50納米都還沒(méi)看到影子時(shí)，又冒出一堆40納米的話題，但40納米能為DRAM產(chǎn)業(yè)貢獻(xiàn)多少? 真的有待商榷，只有三星電子(Samsung Electronics)在克服良率困難后，有機(jī)會(huì)大量生產(chǎn)，其它陣營(yíng)的40納米技術(shù)，都是口頭說(shuō)說(shuō)成分居多。
- 關(guān)鍵字： DRAM 40納米
LSI 針對(duì)企業(yè)網(wǎng)絡(luò)和存儲(chǔ)應(yīng)用擴(kuò)展定制 IP 產(chǎn)品系列
- LSI 公司日前宣布推出具有多核功能的 PowerPC 476 微處理器內(nèi)核和高速嵌入式 DRAM 內(nèi)存模塊，進(jìn)一步豐富了其業(yè)界領(lǐng)先的定制芯片 IP 產(chǎn)品系列。該新型處理器內(nèi)核和內(nèi)存模塊旨在加速用于諸如企業(yè)級(jí)交換機(jī)、路由器、RAID 存儲(chǔ)器、服務(wù)器以及基站等高性能應(yīng)用中的高級(jí)網(wǎng)絡(luò)和存儲(chǔ)SoC 的開(kāi)發(fā)。 定制多核集成電路 (IC) 使 OEM 廠商能夠針對(duì)計(jì)算密集型應(yīng)用開(kāi)發(fā)出高度差異化的高性能解決方案。LSI 推出的這款新型 PowerPC 476FP 器件采用 TSMC 40G 工藝制造而成，能
- 關(guān)鍵字： LSI DRAM 內(nèi)存模塊 PowerPC476
DRAM迎來(lái)希望之光 年底將“春光燦爛”
- 在DRAM市場(chǎng)的歷史上，2009年初可能是最黑暗的時(shí)期之一，當(dāng)時(shí)廠商能活下來(lái)就不錯(cuò)了。 但是，繼春季溫和復(fù)蘇之后，DRAM供應(yīng)商的黑暗日子結(jié)束，夏天迎來(lái)了光明。價(jià)格在春季的基礎(chǔ)上持續(xù)上漲，營(yíng)業(yè)收入也水漲船高。三星走在前列，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率為19%，營(yíng)業(yè)收入達(dá)22億美元，市場(chǎng)份額擴(kuò)大到35.5%的最高水平。 DDR3來(lái)臨 第三季度，下一代DRAM技術(shù)——DDR3看到希望，而且顯然這種技術(shù)代表未來(lái)的一股潮流。iSuppli公司預(yù)測(cè)，DDR3出貨量將在2010年第一季度超
- 關(guān)鍵字： DRAM DDR3 DDR2
DRAM跌價(jià)襲擊 模塊廠1月?tīng)I(yíng)收處變不驚
- 2010年1月農(nóng)歷春節(jié)前的補(bǔ)貨行情落空，DRAM價(jià)格大跌，所幸NAND Flash價(jià)格比預(yù)期強(qiáng)勢(shì)，存儲(chǔ)器模塊廠1月?tīng)I(yíng)收可望維持平穩(wěn)，與2009年12月相較，呈現(xiàn)小漲或小跌的局面，整體第1季營(yíng)收受到2月農(nóng)歷過(guò)年工作天數(shù)減少影響，而呈現(xiàn)下滑，但整體行情不看淡;模塊廠認(rèn)為，DDR3目前仍是缺貨，往下修正的幅度有限，一方面DDR3利潤(rùn)較高，另一方面DDR3短期會(huì)被DDR2價(jià)格帶下來(lái)，但整體第1季DDR3供貨仍相對(duì)吃緊。 存儲(chǔ)器模塊廠2009年交出豐厚的成績(jī)單，創(chuàng)見(jiàn)、威剛都賺足1個(gè)股本，但2010年1月立
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND DDR3
設(shè)備交期拉長(zhǎng) 恐影響設(shè)備業(yè)2010年成長(zhǎng)力道
- 近期晶圓代工、DRAM等科技大廠擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃不斷，不少業(yè)者的機(jī)臺(tái)進(jìn)廠時(shí)間落在下半年，從目前的設(shè)備交期6~9個(gè)月來(lái)推算，部分機(jī)臺(tái)交貨時(shí)間恐怕落到2011年。 在2010年科技業(yè)大擴(kuò)產(chǎn)風(fēng)潮下，市場(chǎng)紛紛看好設(shè)備業(yè)業(yè)績(jī)可望較2009年成長(zhǎng)4~5成，不過(guò)近期在關(guān)鍵設(shè)備交期拉長(zhǎng)到6~9個(gè)月的隱憂下，設(shè)備業(yè)者已開(kāi)始擔(dān)憂，交期拉長(zhǎng)恐怕使部分原本可在2010年交貨的機(jī)臺(tái)，延后到2011年，使全年業(yè)績(jī)成長(zhǎng)幅度受到壓抑。 設(shè)備短缺現(xiàn)象自2009年第4季就已出現(xiàn)，尤其是關(guān)鍵機(jī)臺(tái)包括LED的金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積(MO
- 關(guān)鍵字： MOCVD，晶圓代工 DRAM
DDR3來(lái)臨 2010年DRAM市場(chǎng)云開(kāi)月明
- 2009年DRAM 市場(chǎng)烏云籠罩，廠商艱難度過(guò)黑暗時(shí)期，終于守得云開(kāi)見(jiàn)月明。春季溫和復(fù)蘇，夏季迎來(lái)光明。價(jià)格在春季的基礎(chǔ)上持續(xù)上漲，營(yíng)業(yè)收入也水漲船高。 三星走在前列，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率為19%，營(yíng)業(yè)收入達(dá)22 億美元，市場(chǎng)份額擴(kuò)大到35.5%的最高水平。 DDR3 來(lái)臨 第三季度，下一代 DRAM 技術(shù)——DDR3 看到希望，而且顯然這種技術(shù)代表未來(lái)的一股潮流。iSuppli 公司預(yù)測(cè)，DDR3 出貨量將在2010 年第一季度超過(guò)DDR2。 三星在 DDR3
- 關(guān)鍵字： DRAM DDR3
機(jī)臺(tái)交期延 DRAM廠制程微縮絆腳石
- 2010年臺(tái)DRAM廠將決戰(zhàn)50和40奈米制程技術(shù)，但新制程關(guān)鍵恐未必在技術(shù)上，而在于浸潤(rùn)式微顯影(Immersion Scanner)機(jī)臺(tái)設(shè)備采購(gòu)是否能跟上腳步，近期業(yè)界傳出瑞晶機(jī)臺(tái)原本2月要交貨，但目前交期已遞延至4月，南亞科和華亞科之前亦傳出機(jī)臺(tái)交貨不及，公司則澄清前期機(jī)臺(tái)已順利拉進(jìn)來(lái)，轉(zhuǎn)換制程進(jìn)度一切正常。 DRAM廠決戰(zhàn)50和40奈米制程技術(shù)最大挑戰(zhàn)是資金問(wèn)題，其中，機(jī)臺(tái)購(gòu)置成本占相當(dāng)大比重，由于1臺(tái)機(jī)臺(tái)設(shè)備動(dòng)輒要價(jià)新臺(tái)幣10億元，且每臺(tái)機(jī)器產(chǎn)能約僅1萬(wàn)片，若1座產(chǎn)能達(dá)10萬(wàn)片的12寸
- 關(guān)鍵字： Samsung DRAM
南亞科擴(kuò)建12寸廠 全球市占挑戰(zhàn)10%
- 南亞科將逆勢(shì)擴(kuò)建旗下12寸廠，從現(xiàn)有3萬(wàn)片擴(kuò)增至5萬(wàn)~6萬(wàn)片，成為此波DRAM景氣復(fù)蘇后，首家擴(kuò)產(chǎn)的臺(tái)系DRAM廠。值得注意的是，南亞科單月產(chǎn)能(加計(jì)華亞科)約9.5萬(wàn)片，以目前全球單月12寸廠產(chǎn)能約100萬(wàn)片計(jì)算，南亞科擴(kuò)產(chǎn)后，全球市占率將首度挑戰(zhàn)10%，成為臺(tái)塑集團(tuán)在 DRAM產(chǎn)業(yè)重要里程碑。 DRAM廠喜迎產(chǎn)業(yè)景氣復(fù)蘇，但苦于無(wú)錢(qián)擴(kuò)增產(chǎn)能，2009年下半除趕緊將減產(chǎn)的產(chǎn)能回復(fù)，對(duì)于制程演進(jìn)亦快馬加鞭，包括美光(Micron)、爾必達(dá)(Elpida)陣營(yíng)2010年紛宣布要轉(zhuǎn)進(jìn)40奈米制程世代
- 關(guān)鍵字： 南亞科 DRAM
4大DRAM陣營(yíng)競(jìng)爭(zhēng)激烈 美光、爾必達(dá)提前導(dǎo)入40納米
- 2010年4大DRAM陣營(yíng)三星電子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、爾必達(dá)(Elpida)和美光(Micron)戰(zhàn)場(chǎng)直接拉到40納米世代!繼爾必達(dá)跳過(guò)50納米制程，大舉轉(zhuǎn)換至45納米后，美光陣營(yíng)也不甘示弱宣布年中將同步轉(zhuǎn)42納米。華亞科表示，表示旗下的50納米制程是最正統(tǒng)的完整世代技術(shù)，并非是制程微縮下的產(chǎn)物，因此成本競(jìng)爭(zhēng)力有十足把握;在爾必達(dá)、美光跟上制程進(jìn)度后，年底4大陣營(yíng)技術(shù)實(shí)力大幅縮小，競(jìng)爭(zhēng)更激烈。 雖然三星電子和海力士已先一步轉(zhuǎn)到40納米世代，其中三星是
- 關(guān)鍵字： Hynix DRAM 40納米
海力士第4季獲利6,570億韓元 創(chuàng)3年新高
- 全球第2大計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器制造商海力士(Hynix)公布2009年第4季財(cái)報(bào)，隨著全球個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)景氣回溫，海力士獲利創(chuàng)下3年來(lái)新高。 2009年第4季海力士營(yíng)收為2.8兆韓元(約24.7億美元)，較第3季大幅成長(zhǎng)32%，海力士營(yíng)收成長(zhǎng)主因?yàn)镈RAM及NAND Flash存儲(chǔ)器出貨量成長(zhǎng)，同時(shí)，DRAM平均售價(jià)也上揚(yáng)，此外，第4季海力士?jī)衾麨?,570億韓元，更較第3季大幅成長(zhǎng)167%。 和2009年第3季相較，2009年第4季海力士DRAM平均售價(jià)及出貨量分別成長(zhǎng)26%及12%，至于N
- 關(guān)鍵字： Hynix DRAM NAND
三星將向Rambus支付9億內(nèi)存專利授權(quán)費(fèi)以達(dá)成和解
- 韓國(guó)三星公司與Rambus公司本周二宣布就兩家之間的專利權(quán)官司達(dá)成和解協(xié)議，三星公司將在五年之內(nèi)逐步向Rambus公司支付總額達(dá)9億美金的專利授 權(quán)費(fèi)用.據(jù)協(xié)議規(guī)定，三星將首先一次性支付給Rambus公司2億美元，并在此后的5年之中以平均每季度支付2500萬(wàn)美元的方式逐步將剩下的金額以專利授權(quán)費(fèi)的形式支付給對(duì)方，其中包括一筆用于購(gòu)買(mǎi)三星現(xiàn)有DRAM產(chǎn)品所使用的Rambus專利終身授權(quán)的資金。另外，協(xié)議還規(guī)定三星將向Rambus公司投資2億美元。 據(jù)Rambus公司高級(jí)副總裁Sharon Holt
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM 內(nèi)存
廠商采取搭售策略 挽回DDR2銷(xiāo)售頹勢(shì)
- 全球DRAM市場(chǎng)正加速進(jìn)行世代交替，DDR3芯片因缺貨使得價(jià)格持續(xù)上漲，DDR2價(jià)格卻嚴(yán)重下跌，且累積庫(kù)存越來(lái)越多，近期韓系DRAM大廠開(kāi)始祭出買(mǎi)DDR3模塊必須搭配買(mǎi)DDR2模塊的搭售策略，希望系統(tǒng)廠和模塊廠不要只購(gòu)買(mǎi)DDR3模塊，由于DDR3模塊在現(xiàn)貨市場(chǎng)貨源奇缺，使得部分下游通路商亦跟進(jìn)DRAM大廠，采取搭售策略，希望在DDR2與DDR3 模塊世代交替的同時(shí)，避免產(chǎn)品價(jià)格嚴(yán)重背道而馳。 近期DRAM市場(chǎng)已呈現(xiàn)兩極化發(fā)展，DDR3芯片市場(chǎng)缺貨情況持續(xù)惡化，但DDR2芯片庫(kù)存卻是愈堆愈多，存儲(chǔ)
- 關(guān)鍵字： DRAM DDR3
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