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三星加速制程微縮 DRAM進入40納米世代
- 三星電子(Samsung Electronics)加速制程微縮，積極導入40納米制程，第4季已開始小幅試產(chǎn)DDR3，預計2010年下半40納米將成為主流制程，成本結(jié)構(gòu)再度領(lǐng)先競爭同業(yè)，而美光 (Micron)陣營50納米制程2010年大量產(chǎn)出，爾必達(Elpida)也將導入Extra 65納米制程，之后跳40納米制程，2010年全球DRAM產(chǎn)業(yè)成本進一步下滑。 三星目前56納米制程DRAM產(chǎn)能比重超過一半，并已開始小量采用新一代的40納米制程生產(chǎn)DDR3芯片，成本結(jié)構(gòu)再度領(lǐng)先同業(yè)，市調(diào)機構(gòu)預估，
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DRAM廠想靠DDR3翻身 得先過技術(shù)門檻
- 市場研究機構(gòu)DIGITIMES Research指出，2007年以來，全球DRAM廠商在過度樂觀的預期下，相繼投入產(chǎn)能擴充競賽，這也使得DRAM供過于求的陰影揮之不去;自此，DRAM價格持續(xù)下挫，過去八季中，除龍頭廠商三星電子外，多數(shù)DRAM廠商也都難逃嚴重虧損的命運。 其中，德國DRAM制造商奇夢達更因不堪虧損，于2009年第一季宣布破產(chǎn)，自此退出DRAM市場。正因如此，新一代DRAM規(guī)格DDR3的推出，被視為全球DRAM產(chǎn)業(yè)再起的重要關(guān)鍵。 DIGITIMES Research指出，事
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DRAM臺日5家聯(lián)手抗韓 隱見TIMC身影
- 盡管臺灣創(chuàng)新存儲器公司TIMC在立院緊急喊卡，但最近與TIMC洽談合作的日商爾必達，仍是與臺灣的茂德、華邦電進行業(yè)務(wù)合作，如果加上力晶和瑞晶，也形成臺日5家DRAM廠，聯(lián)手抗韓的局面，爾必達系統(tǒng)廠商，未來的市占率和排名第二的韓國海力士，也只有百分之零點三的差距。至于爾必達與茂德、華邦電的合作，是否由宣明智穿針引線，他則是強調(diào)對方相當重視臺灣業(yè)界。 全球DRAM大廠日商爾必達，連日來動作頻頻，接連與茂德和華邦電進行合作計畫，加上力晶本來就是爾必達的合作廠商，又握有瑞晶六成四的股份，以爾必達為首的臺
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臺“立法院”要求“經(jīng)濟部”停止推動DRAM產(chǎn)業(yè)再造計劃
- 臺“經(jīng)濟部”力推「DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案計畫」，在宣布臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)已獲審查通過后，“立法院”經(jīng)濟委員會11日提出重要決議，要求“經(jīng)濟部”停止推動DRAM產(chǎn)業(yè)再造計畫，等同禁止“經(jīng)濟部”協(xié)助TIMC獲得國發(fā)基金投資。 值得注意的是，目前TIMC浮上臺面投資金主包括矽品、京元電、兆豐金等，潛在投資者更囊括半導體產(chǎn)業(yè)和創(chuàng)投資金，但前提必須是TIMC要明確獲得國發(fā)基金資金挹注，原本投資TIMC
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DRAM合約價大漲，今年沒淡季
- 2009年DRAM產(chǎn)業(yè)沒有淡季，11月上旬DDR2和DDR3合約價持續(xù)大漲近20%，2GB DDR2模塊甚至一度飆到50美元天價，足見PC OEM廠拉貨力道沒有休息跡象，DRAM廠為確保DDR2和DDR3買氣同步增溫，趁機向下游廠祭出搭售方式。DRAM廠認為，隨著PC OEM廠第4季大量轉(zhuǎn)進DDR3平臺，未來DDR3現(xiàn)貨及合約價將同步凌駕DDR2，而現(xiàn)貨市場DDR3報價亦展開攻勢，一舉站上3美元大關(guān)。 DRAM價格11月上旬漲幅超乎預期，2GB DDR2模塊漲勢尤其猛烈，大漲19~21%，平均價
- 關(guān)鍵字： DRAM DDR2 DDR3
爾必達和茂德簽署DRAM代工協(xié)議
- 茂德(ProMos)已和爾必達(Elpida)簽署DRAM代工合約，爾必達將提供先進的制程技術(shù)與產(chǎn)品技術(shù)給茂德，茂德將以中科12寸晶圓廠提供爾必達DRAM代工服務(wù)。 茂德表示，代工服務(wù)以爾必達最先進的1G DDR3產(chǎn)品為主，預計2010年上半完成試產(chǎn)，2010年下半大量生產(chǎn)。此外，爾必達發(fā)言人Hiroshi Tsuboi表示，茂德每月將使用多達3.5萬片12寸晶圓為爾必達制造芯片，同時，采用65奈米制程技術(shù)。 茂德董事長暨總經(jīng)理陳民良表示，爾必達在全球DRAM產(chǎn)業(yè)中以尖端制程技術(shù)的創(chuàng)新研發(fā)
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集邦：全球DRAM產(chǎn)業(yè)Q3營收季增率高達40.7％
- 根據(jù)調(diào)查，今年第三季，DDR3在計算機系統(tǒng)廠商積極拉抬PC搭載DDR3比例下，需求量激增，DDR3合約價在第三季大漲36%，現(xiàn)貨價也在合約價的帶動下上漲24%。DDR2方面，由于DDR3合約價格大漲，亦帶動DDR2合約價格的漲勢，且在第三季國際DRAM大廠轉(zhuǎn)進DDR3相當積極，導致DDR2出貨量減少效應(yīng)持續(xù)發(fā)酵，部份PC OEM廠商亦已逆向操作增加DDR2的庫存水位，使得本季DDR2合約價漲幅高達31%、現(xiàn)貨價格漲幅亦高達30%，漲幅與DDR3不惶多讓。 第三季各DRAM廠商營收在DDR3合約價
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM DDR3 DDR2
TIMC與DRAM產(chǎn)業(yè)再造計劃
- 2008年DRAM產(chǎn)業(yè)跌落谷底，臺灣DRAM廠開門做生意平均每天虧新臺幣1億元，且龐大的負債成為臺灣科技產(chǎn)業(yè)的巨大問題，因此經(jīng)濟部為挽救臺灣內(nèi)存演產(chǎn)業(yè)，宣布要進行產(chǎn)業(yè)再造，成立臺灣內(nèi)存公司(Taiwan Memory Company;TMC)，之后因為此名字已被其它公司注冊，因此改名為Taiwan Innovation Memory Company，簡稱為TIMC。 TIMC正式于2009年7月31日登記成立，董事長為聯(lián)電榮譽副董事長宣明智，帶領(lǐng)臺灣內(nèi)存產(chǎn)業(yè)再造的任務(wù)，目的在于協(xié)助臺灣DRAM產(chǎn)
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產(chǎn)業(yè)明顯好轉(zhuǎn)但是前景仍不明朗
- 全球半導體產(chǎn)業(yè)受金融危機的沖擊已經(jīng)一年過去。此次危機是歷史上最嚴重的一次，所以盡管各國政府都奮力相救，但是由于受損太嚴重，產(chǎn)業(yè)的完全康復仍需要過程與時間。 至此，產(chǎn)業(yè)鏈中各類公司今年前三個季度的財報都已紛紛出籠，正如ICInsight公司所言，如果依季度比較，工業(yè)恢復的過程十分明顯。今年的Q1是慘不成睹，仍在下降軌跡，半導體的產(chǎn)能利用率在50%以下，各類投資幾乎為零。到Q2時已經(jīng)看到回升的跡象，但是大部分公司仍陷赤字之中。至Q3結(jié)束時，部分公司已經(jīng)扭虧為盈，工業(yè)已經(jīng)明顯看到好轉(zhuǎn)的局面，但是與去年
- 關(guān)鍵字： 半導體 DRAM
對DRAM價格樂觀 力晶停止紓困
- 力晶在DRAM價格強勁回文件下，將恢復財務(wù)自主能力，力晶董事會2日通過，從明年開始停止紓困，全力正常恢復營運，可望從明年起針對銀行正常還款。力晶對第四季價格仍保持每顆2美元至2.5美元的樂觀預期，今年第四季將有機會轉(zhuǎn)虧為盈。 力晶昨日領(lǐng)先各大DRAM廠，率先公布10月營收，由于產(chǎn)能滿載，加上DRAM價格回文件，該公司10月營收達42.39億元(新臺幣，以下同)、較9月大增28%，創(chuàng)下今年以來新高，預估11月、12月營收將會維持持續(xù)成長的動能。 力晶指出，在政府政策與銀行團大力支持之下，透過
- 關(guān)鍵字： 力晶 DRAM 封測
臺系DRAM廠3Q虧損175億元 4Q可望飛越損平點
- 受惠DRAM價格谷底翻身，臺系DRAM廠第3季虧損金額大幅縮小，合計力晶、茂德、南亞科和華亞科4家DRAM廠共虧新臺幣175億元，累計前3季虧損731億元，其中茂德虧損最多，華亞科虧損金額最小，展望第4季，DRAM價格持續(xù)走強越過2.5美元后，頗有朝3美元的實力，各廠全產(chǎn)能投片后，可望力拼單月?lián)p益兩平，其中力晶旗下瑞晶第3季已轉(zhuǎn)虧為盈，力晶董事長黃崇仁也表示，若報價維持在2.5美元水平，第4季也有機會擠身獲利之林。 DRAM 產(chǎn)業(yè)在2008年此時受到供過于求嚴重失衡的影響，虧損嚴重到一度將存儲器
- 關(guān)鍵字： 力晶 DRAM 晶圓
Intel宣布一項技術(shù)突破 內(nèi)存加工工藝可縮小到5納米
- 英特爾和芯片技術(shù)公司Numonyx本周三發(fā)布了一項新技術(shù).這兩家公司稱,這種新技術(shù)將使非易失性存儲器突破NAND閃存的20納米的極限,使加工工藝縮小到5納米,從而更加節(jié)省成本. 英特爾研究員和內(nèi)存技術(shù)開發(fā)經(jīng)理Al Fazio星期三向記者解釋說,這種技術(shù)產(chǎn)生的堆疊內(nèi)存陣列有可能取代目前DRAM內(nèi)存和NAND閃存的一些工作.這種技術(shù)甚至能夠讓系統(tǒng)設(shè)計師把一些DRAM內(nèi)存和固態(tài)內(nèi)存的一些存儲屬性縮小到一個內(nèi)存類. This image shows phase-change memory bu
- 關(guān)鍵字： Intel 5納米 DRAM NAND
福布斯:亞洲芯片商前景樂觀 下滑趨勢將結(jié)束
- 據(jù)國外媒體報道，數(shù)家亞洲大型芯片廠商財報預期顯示，本季度有望實現(xiàn)數(shù)年來的首次扭虧為盈，芯片下滑趨勢或?qū)⒔Y(jié)束。 三星電子本月初表示，其季度利潤有望超市場預期，分析師對其預期為每股收益1.98萬韓元(約合16.83美元)。 投行Macquarie Group對三星股票評級為“表現(xiàn)突出”(outperform)，將三星目標股價由84萬韓元調(diào)高至90萬韓元。該投行在研究報告中稱，因三星上半年收益強勁，預計其股價將持續(xù)上漲。周一，三星股價在首爾股票交易所收盤于75.3萬韓元(
- 關(guān)鍵字： 海力士 DRAM 內(nèi)存芯片
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