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      EEPW首頁 >> 主題列表 >> cmos-ldo

      圖像傳感器選擇標準多?成像性能必須排第一

      • 當涉及到技術創(chuàng)新時,圖像傳感器的選擇是設計和開發(fā)各種設備過程中一個至關重要的環(huán)節(jié),這些設備包括專業(yè)或家庭安防系統(tǒng)、機器人、條形碼掃描儀、工廠自動化、設備檢測、汽車等。選擇最合適的圖像傳感器需要對眾多標準進行復雜的評估,每個標準都會影響最終產品的性能和功能。從光學格式和、動態(tài)范圍到色彩濾波陣列(CFA)、像素類型、功耗和特性集成,這些標準的考慮因素多種多樣,錯綜復雜。在各類半導體器件中,圖像傳感器可以說是最復雜的。這些傳感器將光子轉換為電信號,通過一系列微透鏡、CFA、像素和模數轉換器(ADC)產生數字輸出
      • 關鍵字: 圖像傳感器  CMOS  成像性能  

      SK海力士將關閉CIS圖像傳感器部門轉向AI存儲器領域

      • 3月7日消息,近日,綜合韓聯社、ZDNet Korea、MK等多家韓媒報道,SK海力士在內部宣布將關閉其CIS(CMOS圖像傳感器)部門,該團隊的員工將轉崗至AI存儲器領域。SK海力士稱其CIS團隊擁有僅靠存儲芯片業(yè)務無法獲得的邏輯制程技術和定制業(yè)務能力。存儲和邏輯半導體高度融合的趨勢下,將CIS團隊和存儲部門聚合為一個整體,才能進一步提升企業(yè)的AI存儲器競爭力。
      • 關鍵字: SK海力士  CIS  CMOS  AI存儲器  

      復旦大學在Si CMOS+GaN單片異質集成的探索

      • 異質異構Chiplet正成為后摩爾時代AI海量數據處理的重要技術路線之一,正引起整個半導體行業(yè)的廣泛關注,但這種方法要真正實現商業(yè)化,仍有賴于通用標準協(xié)議、3D建模技術和方法等。然而,以拓展摩爾定律為標注的模擬類比芯片技術,在非尺寸依賴追求應用多樣性、多功能特點的現實需求,正在推動不同半導體材料的異質集成研究。為此,復旦大學微電子學院張衛(wèi)教授、江南大學集成電路學院黃偉教授合作開展了Si CMOS+GaN單片異質集成的創(chuàng)新研究,并在近期國內重要會議上進行報道。復旦大學微電子學院研究生杜文張、何漢釗、范文琪等
      • 關鍵字: 復旦大學  Si CMOS  GaN  單片異質集成  

      Nexperia全新推出高精度和超低靜態(tài)電流的汽車級LDO系列

      • Nexperia今日新推出一系列符合AEC-Q100標準的超低靜態(tài)電流通用低壓差(LDO)穩(wěn)壓器。該新系列同時包含高精度帶輸出跟隨的LDO,集成輸出保護功能,且輸入電壓范圍較寬,因此可直接連接汽車電池。這些LDO采用熱優(yōu)化設計,在冷啟動條件下,也能夠為信息娛樂系統(tǒng)、ADAS、遠程信息處理及照明系統(tǒng)等汽車應用中的紋波敏感負載提供穩(wěn)定電壓源。帶輸出跟隨功能的LDO具有出色的輸出保護能力,可以在車身控制模塊、區(qū)域控制單元及動力系統(tǒng)中表現出優(yōu)異性能,可用于涉及車外負載(如傳感器)的場景。? 除了汽車應用
      • 關鍵字: Nexperia  低靜態(tài)電流  汽車級LDO  LDO  

      一篇搞定三種分立元件LDO(低成本+可調+精確輸出)

      • 前言LDO是大家最常見的電源芯片了吧,雖然存在效率不高的缺點,但相對于開關電源紋波更小、電路規(guī)模通常也更小,適用于低壓差、小功率的應用場合。在大多數場合我們都是用1117、7805這種IC來制作我們的電源。那我們可否在滿足要求的情況下,使用分立元件來實現更低成本的LDO呢?今天針對不同的應用場景,介紹三種使用分立元件搭建的LDO:1.低成本2.輸出電壓可調3.精確輸出原理不難,但若使電路可用,需認真設定每個元件的參數,Let’s do it仿真軟件版本文章中的實驗通過Multisim軟件進行仿真,有需要的
      • 關鍵字: LDO  電源管理  電源設計  

      安森美 AR0823AT Hyperlux CMOS Digital Image Sensor

      • onsemi AR0823AT 是一款 1/1.8 英寸的 CMOS 數位影像感測器,擁有 3840 H x 2160 V 的有效像素陣列。這款先進的汽車用感測器能以高動態(tài)范圍 (HDR) 并結合 LED 閃爍抑制 (LFM) 捕捉影像。AR0823AT 可在每一幀中同時捕捉低光與極高亮度的場景,其 2.1 μm 超級曝光像素能實現高達 150 dB 的動態(tài)范圍,而無需進行自動曝光調整。這顯著降低了場景依賴的汽車關鍵系統(tǒng)的延遲,實現更快速且更安全的數據收集與決策。AR0823AT 的雙輸出
      • 關鍵字: 安森美  AR0823AT  Hyperlux  CMOS Digital Image Sensor  

      一些LDO基礎知識

      • 本節(jié)分享下LDO的基礎知識,主要來源于Ti的文檔《LDO基礎知識》,原文檔下載鏈接如下:https://www.ti.com.cn/cn/lit/eb/zhcy089a/zhcy089a.pdf內容會回答這些問題:1、當輸入電壓與目標輸出電壓壓差不滿足Vdropout,會發(fā)生什么?2、決定Vdropout電壓大小的因素是什么?3、芯片選定后,Vdropout電壓就是固定的嗎?與電壓,電流是否有關?4、溫度,直流電壓對濾波電容有哪些影響?5、LDO封裝如何選擇?6、LDO輸出過流了會發(fā)生什么?7、給定芯片的
      • 關鍵字: LDO  電容  電路設計  

      國產無反相機產業(yè)鏈初現

      • 根據相機及影像產品協(xié)會(CIPA)公布的數據,2024 年 1 月至 5 月,中國市場相機出貨量全球占比達到 23.4%,躍居繼美洲之后的全球第二大市場。在智能手機沖擊下曾一度遇冷的相機市場,如今因直播電商、短視頻等新興產業(yè)的崛起而重新煥發(fā)生機。產品創(chuàng)新與流量經濟的交織,正在為傳統(tǒng)行業(yè)打開一條全新的消費路徑。日本佳能副社長、執(zhí)行董事小澤秀樹也表示,2023 年中國數碼相機市場實現了 25% 的增長,其中無反相機更是增長了 31%,預計 2024 年這一增長勢頭將持續(xù),無反相機的增長有望達到 35%。隨著近
      • 關鍵字: 無反相機  CMOS  傳感器  

      打破索尼壟斷!晶合集成1.8億像素相機全畫幅CMOS成功試產:業(yè)內首顆

      • 8月19日消息,今日,晶合集成宣布與思特威聯合推出業(yè)內首顆1.8億像素全畫幅(2.77英寸)CMOS圖像傳感器(以下簡稱CIS),為高端單反相機應用圖像傳感器提供更多選擇。據了解,晶合集成基于自主研發(fā)的55納米工藝平臺,與思特威共同開發(fā)光刻拼接技術,克服了在像素列中拼接精度管控以及良率提升等困難,成功突破了在單個芯片尺寸上,所能覆蓋一個常規(guī)光罩的極限。同時確保在納米級的制造工藝中,拼接后的芯片依然保證電學性能和光學性能的連貫一致。晶合集成表示,首顆1.8億像素全畫幅CIS的成功試產,既標志著光刻拼接技術在
      • 關鍵字: CMOS  晶合  圖像傳感器  索尼  

      業(yè)內首顆!國產 1.8 億像素相機全畫幅 CMOS 圖像傳感器成功試產

      • 8 月 19 日消息,晶合集成今日官宣,該公司與思特威聯合推出業(yè)內首顆 1.8 億像素全畫幅(2.77 英寸)CIS(CMOS 圖像傳感器),為高端單反相機應用圖像傳感器提供更多選擇?!?產品圖,圖源晶合集成,下同據介紹,為滿足 8K 高清化的產業(yè)要求,高性能 CIS 的需求與日俱增。晶合集成基于自主研發(fā)的 55 納米工藝平臺,攜手思特威共同開發(fā)光刻拼接技術,克服了在像素列中拼接精度管控以及良率提升等困難,成功突破了在單個芯片尺寸上,所能覆蓋一個常規(guī)光罩的極限,同時確保在納米級的制造工藝中,拼接后的芯片依
      • 關鍵字: CMOS  圖像傳感器  CIS  

      使用先進的SPICE模型表征NMOS晶體管

      • 為特定CMOS工藝節(jié)點設計的SPICE模型可以增強集成電路晶體管的模擬。了解在哪里可以找到這些模型以及如何使用它們。我最近寫了一系列關于CMOS反相器功耗的文章。該系列中的模擬采用了LTspice庫中預加載的nmos4和pmos4模型。雖然這種方法完全適合這些文章,但如果我們的主要目標是準確模擬集成電路MOSFET的電學行為,那么結合一些外部SPICE模型是有意義的。在本文中,我將介紹下載用于IC設計的高級SPICE模型并在LTspice原理圖中使用它們的過程。然后,我們將使用下載的模型對NMOS晶體管進
      • 關鍵字: CMOS,MOSFET  晶體管,Spice模型  

      CMOS反相器開關功耗的仿真

      • 當CMOS反相器切換邏輯狀態(tài)時,由于其充電和放電電流而消耗功率。了解如何在LTspice中模擬這些電流。本系列的第一篇文章解釋了CMOS反相器中兩大類功耗:動態(tài),當反相器從一種邏輯狀態(tài)變?yōu)榱硪环N時發(fā)生。靜態(tài),由穩(wěn)態(tài)運行期間流動的泄漏電流引起。我們不再進一步討論靜態(tài)功耗。相反,本文和下一篇文章將介紹SPICE仿真,以幫助您更徹底地了解逆變器的不同類型的動態(tài)功耗。本文關注的是開關功率——當輸出電壓變化時,由于電容充電和放電而消耗的功率。LTspice逆變器的實現圖1顯示了我們將要使用的基本LTspice逆變器
      • 關鍵字: CMOS,反相器,功耗  仿真,LTspice  

      CMOS反相器的功耗

      • 本文解釋了CMOS反相器電路中的動態(tài)和靜態(tài)功耗。為集成電路提供基本功能的CMOS反相器的發(fā)展是技術史上的一個轉折點。這種邏輯電路突出了使CMOS特別適合高密度、高性能數字系統(tǒng)的電氣特性。CMOS的一個優(yōu)點是它的效率。CMOS邏輯只有在改變狀態(tài)時才需要電流——簡單地保持邏輯高或邏輯低電壓的CMOS電路消耗的功率非常小。一般來說,低功耗是一個理想的功能,當你試圖將盡可能多的晶體管功能封裝在一個小空間中時,這尤其有益。正如計算機CPU愛好者提醒我們的那樣,充分去除集成電路中的熱量可能很困難。如果沒有CMOS反相
      • 關鍵字: CMOS,反相器,功耗  

      Teledyne e2v宣布擴展其Flash CMOS圖像傳感器系列

      • Teledyne Technologies[紐交所代碼:TDY]旗下公司、全球成像解決方案創(chuàng)新者Teledyne e2v宣布擴展其Flash? CMOS圖像傳感器系列,推出Flash 2K LSA,該產品專門適用于需要使用大沙姆角(LSA)的激光輪廓應用。Teledyne e2v的Flash系列CMOS圖像傳感器專為三維激光輪廓/位移應用和高速/高分辨率檢測量身定制。Flash 2K LSA是Flash 2K傳感器的衍生產品,適用于需要大沙伊姆弗勒角度的應用,其角度響應在30°角度下為四倍以上,在
      • 關鍵字: CMOS  圖像傳感器  Flash  

      TTL與CMOS,很基礎但很多人不知道

      • 問題引入在工作中,會遇到OC門與OD門的稱謂。而感性的認識一般為:OD門是采用MOS管搭建的電路,壓(電壓)控元器件。OC門是采用晶體管搭建的電路,流(電流)控元器件。而OD門的功率損耗一般是小于OC門,為什么?電平TTL電平:輸出電平:高電平Uoh >=2.4v 低電平Uol <= 0.4v輸入電平:高電平Uih >= 2.0v 低電平 Uil <= 0.8vCMOS電平:輸出電平:高電平Uoh ≈ VCC Uol ≈ GND輸入電平:高電平Uih >= 0.7*VCC U
      • 關鍵字: TTL電路  CMOS  
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      cmos-ldo介紹

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