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RF-SOI技術(shù)：加強(qiáng)5G網(wǎng)絡(luò)和智能物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用

　　今天的智能手機(jī)和平板電腦內(nèi)均裝有射頻(RF)前端模塊(FEM)，一般包括功率放大器(PA)、開(kāi)關(guān)、可調(diào)諧電容器和過(guò)濾器。射頻絕緣體上硅(RF SOI)等技術(shù)可支持移動(dòng)設(shè)備調(diào)整和獲取蜂窩信號(hào)——在更廣泛的區(qū)域?yàn)闊o(wú)線設(shè)備提供持續(xù)強(qiáng)勁且清晰的網(wǎng)絡(luò)連接。　　移動(dòng)市場(chǎng)對(duì)RF SOI的追捧持續(xù)升溫，因?yàn)樗愿咝詢(xún)r(jià)比實(shí)現(xiàn)了低插入損耗，在廣泛的頻段內(nèi)實(shí)現(xiàn)低諧波和高線性度。RF SOI是一個(gè)雙贏的技術(shù)選擇，能夠提高智能手機(jī)和平板電腦的性能和數(shù)據(jù)傳輸速度，同時(shí)有望在物聯(lián)網(wǎng)中發(fā)揮關(guān)鍵作用?！　?/li>
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FD-SOI會(huì)是顛覆性技術(shù)嗎？

　　全耗盡型絕緣上覆矽(FD-SOI)制程技術(shù)正從原本的“遲到”(too-late)位置搖身一變，成為可望在物聯(lián)網(wǎng)(IoT)與汽車(chē)市場(chǎng)取代鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)的理想替代方案了。對(duì)于許多人來(lái)說(shuō)，業(yè)界主導(dǎo)廠商代表出席一場(chǎng)相關(guān)領(lǐng)域的業(yè)界活動(dòng)，象征著為這項(xiàng)技術(shù)背書(shū)。　　“我認(rèn)為，F(xiàn)D-SOI正蓄勢(shì)待發(fā)。也許還得經(jīng)過(guò)幾年的時(shí)間，但它終將獲得新的動(dòng)能，并發(fā)展成為一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，”International Business Strategies (IBS)創(chuàng)
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中國(guó)真的對(duì)FD-SOI制程技術(shù)有興趣？

　　身為一位記者，我發(fā)現(xiàn)撰寫(xiě)有關(guān)于“熱門(mén)”公司、技術(shù)與人物的報(bào)導(dǎo)，要比我通常負(fù)責(zé)的技術(shù)主題容易得多;一旦我寫(xiě)了那些“時(shí)髦”的標(biāo)題，我會(huì)確實(shí)感受到人氣飆漲。　　因為幾乎每家媒體都窮追不舍，我不需要向讀者解釋為何我要寫(xiě)那些，以及那些新聞為何對(duì)他們重要;我馬上想到的是美國(guó)總統(tǒng)候選人川普(Donald Trump)、蘋(píng)果(Apple)還有FinFET。而相反的，要寫(xiě)冷門(mén)題材、比較少人討論的話題，挑戰(zhàn)性就高得多;部分讀者會(huì)有先入為主的看法，認(rèn)為那些題目不關(guān)他們
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FD-SOI與FinFET互補(bǔ)，是中國(guó)芯片業(yè)彎道超車(chē)機(jī)會(huì)

本文介紹了Soitec半導(dǎo)體公司的全耗盡絕緣硅(FD-SOI)的特點(diǎn)、最新進(jìn)展及其生態(tài)系統(tǒng)，并將FD-SOI與FinFET作比較，分析了各自的優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用領(lǐng)域和應(yīng)用前景。
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“中國(guó)芯”入資法國(guó)半導(dǎo)體公司

中國(guó)芯片企業(yè)起步較晚，在發(fā)展中屢屢遭受?chē)?guó)際巨頭的“專(zhuān)利圍剿”，通過(guò)支持重點(diǎn)企業(yè)的兼并重組及海外收購(gòu)，培育具有核心競(jìng)爭(zhēng)力的大型企業(yè)，無(wú)疑是明智的手段，也是最有效的手段。
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Soitec半導(dǎo)體公司和FD-SOI技術(shù)：選擇理想的企業(yè)和技術(shù)，助力中國(guó)創(chuàng)新藍(lán)圖

　　全球領(lǐng)先的絕緣硅(SOI)晶圓制造商法國(guó)Soitec半導(dǎo)體公司今日在北京舉辦的新聞發(fā)布會(huì)中介紹了該公司在中國(guó)市場(chǎng)的發(fā)展歷史、全耗盡絕緣硅(FD-SOI)基板的成熟性和生產(chǎn)及準(zhǔn)備狀態(tài)、FD-SOI的最新進(jìn)展及其生態(tài)系統(tǒng)。與會(huì)發(fā)言人包括Soitec公司市場(chǎng)和業(yè)務(wù)拓展部高級(jí)副總裁Thomas Piliszczuk，以及Soitec公司數(shù)字電子商務(wù)部高級(jí)副總裁Christophe Maleville。會(huì)上主要討論的問(wèn)題包括該技術(shù)是否適合各代工廠及應(yīng)用設(shè)計(jì)師廣泛使用，更重要的是，該技術(shù)如何解決中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)及
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三星發(fā)飆：半導(dǎo)體28nm FD-SOI投片功耗暴降一半

　　蘋(píng)果(Apple)宣布以182萬(wàn)美元從美信半導(dǎo)體(Maxim Integrated)買(mǎi)下位于加州圣荷西的一座8吋晶圓廠。專(zhuān)家分析認(rèn)為，此舉并不會(huì)影響與蘋(píng)果合作的晶圓代工廠生意。　　據(jù)SemiWiki報(bào)導(dǎo)指出，SEMI World Fab Watch Database資料顯示，蘋(píng)果買(mǎi)下的晶圓廠于1987年建立，即使全面開(kāi)工每月也只能生產(chǎn)1萬(wàn)片晶圓，規(guī)模相對(duì)小且老舊，無(wú)法生產(chǎn)蘋(píng)果所需的應(yīng)用處理器(AP)。　　蘋(píng)果最新AP采16/14納米FinFET制程，而10納米制程也正在開(kāi)發(fā)中。8吋晶圓近日才微
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手機(jī)鏈考量？技術(shù)分水嶺抉擇？大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展FD-SOI

　　DIGITIMES Research觀察，大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)近期積極擁抱全空乏絕緣上覆矽(Fully Depleted Silicon-on-Insulator;FD-SOI，有時(shí)也稱(chēng)Ultra-Thin Body;UTB)制程技術(shù)，包含拜會(huì)關(guān)鍵晶圓片底材供應(yīng)商、簽署相關(guān)合作協(xié)議、于相關(guān)高峰論壇上表態(tài)等。大陸選擇FD-SOI路線，而非臺(tái)積電(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.;TSMC)、英特爾(Intel)的FinFET(鰭式場(chǎng)效電晶體)路線，估與手
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Leti從FD-SOI學(xué)到的一課：打造生態(tài)系統(tǒng)

　　今年由歐洲兩大主要研發(fā)中心——法國(guó)CEA-Leti和比利時(shí)IMEC舉辦的年度開(kāi)放日活動(dòng)剛好都在六月的同一時(shí)期舉行。但這種時(shí)程的沖突并不是有意的，至少Leti是這么認(rèn)為。Leti的一位官方代表指出，“在過(guò)去七年來(lái)我們一直是在六月的同一周舉行年度活動(dòng)。對(duì)他們來(lái)說(shuō)，我們的排程應(yīng)該不是什么秘密。” 　　　　Leti位于法國(guó)格勒諾布爾市創(chuàng)新園區(qū)的核心地帶　　不過(guò)，位于格勒諾布爾的Leti Days和位于布魯塞爾的IMEC技術(shù)論壇這兩大
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中國(guó)石墨烯技術(shù)重大突破——石墨烯層數(shù)可調(diào)控

可控石墨烯薄膜制備方面取得新進(jìn)展：設(shè)計(jì)了Ni/Cu體系，利用離子注入技術(shù)引入碳源，通過(guò)精確控制注入碳的劑量，成功實(shí)現(xiàn)了對(duì)石墨烯層數(shù)的調(diào)控，有助于實(shí)現(xiàn)石墨烯作為電子材料在半導(dǎo)體器件領(lǐng)域真正的應(yīng)用。　
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哪些半導(dǎo)體公司會(huì)成為22nm FD-SOI的嘗鮮者？

　　美國(guó)時(shí)間7月13日GlobalFoundries宣布推出其全新的“22FDX”工藝平臺(tái)，成為全球第一家實(shí)現(xiàn)22nm FD-SOI(全耗盡絕緣硅)，專(zhuān)為超低功耗芯片打造。　　　　FD- SOI技術(shù)仍然采用平面型晶體管，目前并不為業(yè)內(nèi)看好，因?yàn)闊o(wú)論Intel還是三星、臺(tái)積電，22n時(shí)代起就紛紛轉(zhuǎn)入了立體晶體管，也就是FinFET。GlobalFoundries技術(shù)實(shí)力欠佳，自己搞不出足夠好的立體晶體管技術(shù)，22nm上只能繼續(xù)改進(jìn)平面型，20nm上努力了一
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格羅方德半導(dǎo)體推出業(yè)內(nèi)首個(gè)22nm FD-SOI工藝平臺(tái)

　　格羅方德半導(dǎo)體(GLOBAL FOUNDRIES)今日發(fā)布一種全新的半導(dǎo)體工藝，以滿足新一代聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的超低功耗要求。“22FDX™”平臺(tái)提供的性能和功耗媲美FinFET，而成本則與28nm平面晶體管工藝相當(dāng)，為迅速發(fā)展的移動(dòng)、物聯(lián)網(wǎng)、RF連接和網(wǎng)絡(luò)市場(chǎng)提供了一個(gè)最佳解決方案。　　雖然某些設(shè)備對(duì)三維FinFet晶體管的終極性能有要求，但大多數(shù)無(wú)線設(shè)備需要在性能、功耗和成本之間實(shí)現(xiàn)更好的平衡。22FDX 采用業(yè)內(nèi)首個(gè)22nm二維全耗盡平面晶體管技術(shù)(FD-SOI)工
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GlobalFoundries全球首發(fā)22nm FD-SOI工藝

　　GlobalFoundries今天宣布推出全新的“22FDX”工藝平臺(tái)，全球第一家實(shí)現(xiàn)22nm FD-SOI(全耗盡絕緣硅)，專(zhuān)為超低功耗芯片打造。 FD-SOI技術(shù)仍然采用平面型晶體管，目前并不為業(yè)內(nèi)看好，因?yàn)闊o(wú)論Intel還是三星、臺(tái)積電，22n時(shí)代起就紛紛轉(zhuǎn)入了立體晶體管，也就是FinFET。GlobalFoundries技術(shù)實(shí)力欠佳，自己搞不出足夠好的立體晶體管技術(shù)，22nm上只能繼續(xù)改進(jìn)平面型，20nm上努力了一陣放棄了，14nm索性直接借用三星的。　　
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只能FinFET或FD-SOI？二合一也行！

　　在我們大多數(shù)人“非黑即白”、“非此即彼”的觀念里，半導(dǎo)體業(yè)者應(yīng)該不是選擇FinFET就是FD-SOI制程技術(shù);不過(guò)既然像是臺(tái)積電(TSMC)、GlobalFoundrie或三星(Samsung)等晶圓代工廠，必須要同時(shí)提供以上兩種制程產(chǎn)能服務(wù)客戶(hù)，有越來(lái)越多半導(dǎo)體制造商也正在考慮也致力提供“兩全其美”的制程技術(shù)。　　例如飛思卡爾半導(dǎo)體(Freescale Semiconductor)最近就透露，該公司正在14至16奈米節(jié)點(diǎn)采用
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FD-SOI制程技術(shù)已到引爆點(diǎn)？

　　身為記者，我有時(shí)候會(huì)需要經(jīng)過(guò)一系列的資料收集──通常包含非正式評(píng)論、隨機(jī)事實(shí)(random facts)、推特文章、研討會(huì)/座談會(huì)資料或是公關(guān)宣傳稿，然后才能把許多線索串聯(lián)在一起;全空乏絕緣上覆矽(Fully depleted silicon-on-insulator，F(xiàn)D-SOI)就是一個(gè)例子。　　我從美國(guó)旅行到中國(guó)接著又到歐洲，在與電子產(chǎn)業(yè)人士討論技術(shù)的過(guò)程中，發(fā)現(xiàn)FD-SOI從一個(gè)不容易了解的名詞，逐漸變得越來(lái)越“有形”。關(guān)于這個(gè)技術(shù)，我在最近這幾個(gè)星期所收集到的隨機(jī)
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