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格芯CEO：FD-SOI是中國(guó)需要的技術(shù)

　　5G時(shí)代將對(duì)半導(dǎo)體的移動(dòng)性與對(duì)物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代的適應(yīng)性有著越來(lái)越高的要求。此時(shí)，F(xiàn)D-SOI與RF-SOI技術(shù)的優(yōu)勢(shì)日漸凸顯，人們對(duì)SOI技術(shù)的關(guān)注也與日俱增?！　?月26日，第五屆上海FD-SOI論壇成功舉辦。格芯CEO 桑杰·賈(Sanjay Jha)親臨現(xiàn)場(chǎng)，發(fā)表主題為「以SOI技術(shù)制勝(Winning with SOI)」的演講，闡述了格芯如何利用FDX?平臺(tái)推進(jìn)SOI技術(shù)的發(fā)展，介紹公司最新技術(shù)成果的同時(shí)也總結(jié)了SOI技術(shù)的現(xiàn)狀，并暢想了產(chǎn)業(yè)的未來(lái)?！　￡P(guān)于
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格芯發(fā)布基于領(lǐng)先的FDX? FD-SOI技術(shù)平臺(tái)的毫米波和射頻/模擬解決方案

　　格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布推出面向下一代無(wú)線和物聯(lián)網(wǎng)芯片的射頻/模擬PDK(22FDX?-rfa)解決方案，以及面向5G、汽車?yán)走_(dá)、WiGig、衛(wèi)星通信以及無(wú)線回傳等新興高容量應(yīng)用的毫米波PDK(22FDX?-mmWave)解決方案?！　≡搩煞N解決方案都基于格芯的22納米FD-SOI平臺(tái)，該平臺(tái)將高性能射頻、毫米波和高密度數(shù)字技術(shù)結(jié)合，為集成單芯片系統(tǒng)解決方案提供支持。該技術(shù)在低電流密度和高電流密度的應(yīng)用中都可以實(shí)現(xiàn)最高特征頻率和最高振蕩頻率，適用于對(duì)性能和功耗都有超高要求的應(yīng)用，
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格芯宣布推出基于行業(yè)領(lǐng)先的22FDX? FD-SOI 平臺(tái)的嵌入式磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器

　　格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布推出基于公司22納米 FD-SOI (22FDX?)平臺(tái)的可微縮嵌入式磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器(eMRAM)技術(shù)。作為業(yè)界最先進(jìn)的嵌入式內(nèi)存解決方案，格芯22FDX eMRAM，為消費(fèi)領(lǐng)域、工業(yè)控制器、數(shù)據(jù)中心、物聯(lián)網(wǎng)及汽車等廣泛應(yīng)用提供優(yōu)越的性能和卓越可靠性。　　正如近期在美國(guó)所展示的，格芯22FDX eMRAM具有業(yè)界領(lǐng)先的存儲(chǔ)單元尺寸，擁有在260°C回流焊中保留數(shù)據(jù)的能力，同時(shí)能使數(shù)據(jù)在125°C環(huán)境下保留10年以上。
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大容量的全新市場(chǎng)正在推動(dòng)半導(dǎo)體商機(jī)的涌現(xiàn)

預(yù)計(jì)半導(dǎo)體和代工市場(chǎng)將在2016-2020年出現(xiàn)強(qiáng)勁成長(zhǎng)，半導(dǎo)體年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)4.4%，代工業(yè)年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)7.1%，而且中國(guó)代工廠的年復(fù)合增長(zhǎng)率更高，達(dá)20%。2017年2月10日，格芯公司CEO Sanjay Jha博士在格芯成都工廠奠基典禮之后，向部分國(guó)內(nèi)媒體介紹了格芯對(duì)全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的看法及其業(yè)務(wù)擴(kuò)展計(jì)劃。
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體市場(chǎng) FD-SOI 22FDX 12FDX 代工 20170203

莫大康冷靜看待成都的“格芯”

　　全球代工巨頭格羅方德(GF)在成都落子，與成都市政府合資建12英寸生產(chǎn)線，GF占51%，并引入中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)非常有興趣的22FDX(FD-SOI)技術(shù)。　　“格芯”之所以引起業(yè)界關(guān)注有兩點(diǎn)：　　1)與廈門的”聯(lián)芯”一樣是合資企業(yè)，它不同于之前英特爾、海力士、三星及臺(tái)積電的獨(dú)資模式; 　　2)導(dǎo)入SOI技術(shù)，目前計(jì)劃是2018年開始成熟制程量產(chǎn)，以及2019年是22納米的FD-SOI技術(shù)量產(chǎn)。　　為什么SOI技術(shù)對(duì)于中國(guó)是個(gè)亮點(diǎn)? 　　在摩爾
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胡正明續(xù)寫摩爾傳奇 FinFET/FD-SOI廠商如何押寶？

　　近日格羅方德12英寸晶圓廠落戶中國(guó)成都引起業(yè)界關(guān)注，為何?因?yàn)镕D-SOI技術(shù)。　　眾所周知，當(dāng)柵極長(zhǎng)度逼近20nm大關(guān)時(shí)，對(duì)電流控制能力急劇下降，漏電率相應(yīng)提高。FinFET與FD-SOI恰是半導(dǎo)體微縮時(shí)代續(xù)命的高招。　　盡管FinFET與FD-SOI師出同門，但是，兩者卻被“陣營(yíng)化”，F(xiàn)inFET陣營(yíng)占據(jù)絕對(duì)優(yōu)勢(shì)。格羅方德是為數(shù)不多的FD-SOI技術(shù)堅(jiān)守與推動(dòng)者了。FD-SOI能是否叫板FinFET?希望格羅方德12英寸晶圓廠能給出答案。　　今天我們就來(lái)談?wù)凢i
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SOI與finFET工藝對(duì)比中國(guó)需要發(fā)展誰(shuí)才正確

中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展可能關(guān)鍵不在于方向在那里?而是確定方向之后，如何踏實(shí)去干，去解決一個(gè)一個(gè)難題。任何進(jìn)步?jīng)]有捷徑，其中骨干企業(yè)的責(zé)任尤為重要。
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新型智能手表顯示FD-SOI正當(dāng)時(shí)？

　　在今年，業(yè)界對(duì)FD-SOI的討論終于從理論性的制程技術(shù)比較，轉(zhuǎn)移到由產(chǎn)品與應(yīng)用所決定的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)。　　因?yàn)闆](méi)有可見的終端產(chǎn)品能證明其號(hào)稱超低功耗的特色，全空乏絕緣上覆矽(fully Depleted Silicon On Insulator，F(xiàn)D-SOI)制程一直得努力克服半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界許多工程師的質(zhì)疑，例如：該技術(shù)的好處在哪?在商業(yè)市場(chǎng)上有實(shí)際產(chǎn)品嗎?它真正的優(yōu)勢(shì)何在? 　　終于，現(xiàn)在有實(shí)際產(chǎn)品可以做為FD-SOI制程的實(shí)證──是一只中國(guó)智慧型手機(jī)品牌業(yè)者小米(Xiaomi)副品牌華米(Huami
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RF-SOI在中國(guó)已建立起完整的生態(tài)系統(tǒng)

　　日前在上海舉辦的“RF-SOI研討會(huì)”上，SOI產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟稱，RF-SOI生態(tài)系統(tǒng)現(xiàn)已建立完善，并成為天線調(diào)諧器與射頻開關(guān)的主流技術(shù)，占據(jù)了95%的市場(chǎng)份額，該系統(tǒng)有利于IoT連接和5G的發(fā)展，為了更深層地與射頻前端器件結(jié)合，RF-SOI這種突破型技術(shù)還需要更多的創(chuàng)新和突破性的方案。　　　　目前，RF-SOI技術(shù)主要應(yīng)用于智能手機(jī)、WiFi等無(wú)線通訊領(lǐng)域，具有性能高、成本低等優(yōu)勢(shì)。上海新傲科技股份有限公司總經(jīng)理王慶宇稱，國(guó)際上3G/4G手機(jī)用的射頻器件
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格羅方德推出12nm FD-SOI工藝并拓展FDX路線圖

　　格羅方德9月8日發(fā)布12nm FD-SOI半導(dǎo)體工藝平臺(tái)12FDXTM，實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)首個(gè)多節(jié)點(diǎn)FD-SOI路線圖。新一代12FDXTM平臺(tái)建立在其22FDXTM平臺(tái)的成功基礎(chǔ)之上，12FDXTM提供全節(jié)點(diǎn)縮放和超低功耗，并通過(guò)軟件控制實(shí)現(xiàn)按需定制性能，專為未來(lái)的移動(dòng)計(jì)算、5G連接、人工智能、無(wú)人駕駛汽車等各類應(yīng)用智能系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。　　隨著數(shù)以百萬(wàn)計(jì)的互聯(lián)設(shè)備出現(xiàn)，世界正在逐步融合為一體，眾多新興的應(yīng)用也不斷要求著半導(dǎo)體的進(jìn)一步創(chuàng)新。用于實(shí)現(xiàn)這些應(yīng)用的芯片正逐漸演進(jìn)為微系統(tǒng)，集成包括無(wú)線連接、非易失性存
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格羅方德半導(dǎo)體推出12nm FD-SOI工藝，拓展FDX路線圖

　　格羅方德半導(dǎo)體今日發(fā)布了全新的12nm FD-SOI半導(dǎo)體工藝平臺(tái)12FDXTM，實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)首個(gè)多節(jié)點(diǎn)FD-SOI路線圖，從而延續(xù)了其領(lǐng)先地位。新一代12FDXTM平臺(tái)建立在其22FDXTM平臺(tái)的成功基礎(chǔ)之上，專為未來(lái)的移動(dòng)計(jì)算、5G連接、人工智能、無(wú)人駕駛汽車等各類應(yīng)用智能系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。　　隨著數(shù)以百萬(wàn)計(jì)的互聯(lián)設(shè)備出現(xiàn)，世界正在逐步融合為一體，眾多新興的應(yīng)用也不斷要求著半導(dǎo)體的進(jìn)一步創(chuàng)新。用于實(shí)現(xiàn)這些應(yīng)用的芯片正逐漸演進(jìn)為微系統(tǒng)，集成包括無(wú)線連接、非易失性存儲(chǔ)器以及電源管理等在內(nèi)的越來(lái)越多的組件，
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格羅方德半導(dǎo)體推出生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴計(jì)劃以加快未來(lái)互聯(lián)系統(tǒng)創(chuàng)新

　　格羅方德半導(dǎo)體今日宣布一項(xiàng)全新合作伙伴計(jì)劃FDXcelerator™，該生態(tài)系統(tǒng)旨在為客戶加速基于22FDX™的片上系統(tǒng)設(shè)計(jì)，并縮短產(chǎn)品上市時(shí)間。　　隨著公司新一代12FDX™的發(fā)布，格羅方德現(xiàn)提供業(yè)內(nèi)首個(gè)FD-SOI 路線圖，并隨之建立了FDXcelerator™合作伙伴計(jì)劃，為希望實(shí)現(xiàn)先進(jìn)節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)的客戶提供了一條低成本的遷移路徑。　　通過(guò)格羅方德半導(dǎo)體和FDXcelerator合作伙伴解決方案，客戶將能打造各類創(chuàng)新的22FDX 片上系統(tǒng)解決方
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28納米FD-SOI制程嵌入式存儲(chǔ)器即將問(wèn)世

　　Samsung Foundry準(zhǔn)備開始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM以及快閃記憶體嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)選項(xiàng)。　　三星晶圓代工業(yè)務(wù)(Samsung Foundry)準(zhǔn)備開始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM (spin torque transfer magnetic RAM)以及快閃記憶體，做為嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)選項(xiàng)??。　　Samsung Foundry行銷暨業(yè)務(wù)開發(fā)負(fù)責(zé)人Kelvin Low在接受EE Times歐洲版訪問(wèn)時(shí)表示，該
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FD-SOI制程決勝點(diǎn)在14nm！

　　產(chǎn)業(yè)資深顧問(wèn)Handel Jones認(rèn)為，半導(dǎo)體業(yè)者應(yīng)該盡速轉(zhuǎn)移14奈米FD-SOI (depleted silicon-on-insulator)制程，利用該技術(shù)的眾多優(yōu)勢(shì)… 　　半導(dǎo)體與電子產(chǎn)業(yè)正努力適應(yīng)制程節(jié)點(diǎn)微縮至28奈米以下之后的閘成本(gate cost)上揚(yáng);如下圖所示，在制程微縮同時(shí)，每單位面積的邏輯閘或電晶體數(shù)量持續(xù)增加，其速率高于晶圓片成本增加的速率。在另一方面，當(dāng)制程特征尺寸縮減時(shí)，晶片系統(tǒng)性與參數(shù)性良率會(huì)降低，帶來(lái)較高的閘成本。　　
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Globalfoundries正進(jìn)行下一代FD-SOI制程開發(fā)

　　Globalfoundries技術(shù)長(zhǎng)GaryPatton透露，其22FDX全空乏絕緣上覆矽(FD-SOI)制程技術(shù)可望今年稍晚上市，而目前該公司正在開發(fā)后續(xù)制程。　　晶圓代工業(yè)者Globalfoundries技術(shù)長(zhǎng)GaryPatton透露，其22FDX全空乏絕緣上覆矽(fully-depletedsilicon-on-insulator，F(xiàn)D-SOI)制程技術(shù)可望今年稍晚上市，而目前該公司正在開發(fā)后續(xù)制程。　　Globalfoundries聲稱其針對(duì)不同應(yīng)用最佳化的22FDX平臺(tái)四種制程，能提
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