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sk海力士文章進(jìn)入sk海力士技術(shù)社區(qū)

SK海力士實(shí)現(xiàn)1c nm制程DRAM內(nèi)存量產(chǎn)

據(jù)韓媒報(bào)道，近日，SK海力士成功完成了1c納米制程DRAM的批量產(chǎn)品認(rèn)證，連續(xù)多個(gè)以25塊晶圓為單位的批次在質(zhì)量和良率上均達(dá)到要求，預(yù)計(jì)SK海力士將在2月初正式啟動(dòng)1c納米DRAM的量產(chǎn)。據(jù)了解，SK海力士在2024年8月末宣布成功實(shí)現(xiàn)1c納米工藝的 16Gb DDR5-8000 DRAM 內(nèi)存開發(fā)。SK海力士曾表示，1c工藝技術(shù)將應(yīng)用于新一代HBM、LPDDR6、GDDR7等最先進(jìn)的DRAM主力產(chǎn)品群，進(jìn)一步鞏固其在內(nèi)存市場的領(lǐng)先地位。
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應(yīng)對降價(jià)：三星大幅減產(chǎn)西安工廠NAND閃存！

1月13日消息，據(jù)媒體報(bào)道，三星電子已決定大幅減少其位于中國西安工廠的NAND閃存生產(chǎn)，以此應(yīng)對全球NAND供應(yīng)過剩導(dǎo)致的價(jià)格下跌，確保公司的收入和利潤。DRAMeXchange的數(shù)據(jù)顯示，截至2024年10月底，用于存儲(chǔ)卡和U盤的通用NAND閃存產(chǎn)品的價(jià)格較9月下降了29.18%。據(jù)行業(yè)消息，三星電子已將其西安工廠的晶圓投入量減少超過10%，每月平均產(chǎn)量預(yù)計(jì)將從20萬片減少至約17萬片。此外，三星韓國華城的12號和17號生產(chǎn)線也將調(diào)整其供應(yīng)，導(dǎo)致整體產(chǎn)能降低。三星在2023年曾實(shí)施過類似的減產(chǎn)措施，當(dāng)時(shí)
關(guān)鍵字：三星 NAND 閃存存儲(chǔ)卡 U盤晶圓 SK海力士鎧俠西部數(shù)據(jù) 美光長江存儲(chǔ)

SK海力士宣布參展CES 2025，將展示122TB企業(yè)級固態(tài)硬盤等產(chǎn)品

1 月 3 日消息，SK 海力士今日宣布將參加于當(dāng)?shù)貢r(shí)間 1 月 7 日至 10 日在美國拉斯維加斯舉行的“國際消費(fèi)電子產(chǎn)品展覽會(huì)（CES 2025）”，屆時(shí)展示面向 AI 的存儲(chǔ)器技術(shù)實(shí)力。據(jù)了解，SK 海力士將在 CES2025 展出 HBM、企業(yè)級固態(tài)硬盤等面向 AI 的代表性存儲(chǔ)器產(chǎn)品，也將展示專為端側(cè) AI 優(yōu)化的解決方案和下一代面向 AI 的存儲(chǔ)器產(chǎn)品。目前，該公司已率先實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)并向客戶供應(yīng) 12 層第五代 HBM（HBM3E），在此展會(huì)將展出公司去年 11 月宣布開發(fā)完成的 16 層第五代
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拆解華為Mate 70 存儲(chǔ)芯片來自SK海力士

華為Mate 70系列旗艦手機(jī)12月4日正式開賣，研究公司TechInsights拆解后發(fā)現(xiàn)，該款手機(jī)采用南韓SK海力士制造內(nèi)存芯片，主因在于美國禁止對中國大陸出口先進(jìn)芯片制造設(shè)備，而大陸制造的內(nèi)存芯片選擇受限。《南華早報(bào)》報(bào)導(dǎo)，根據(jù)TechInsights的分析，華為Mate 70 Pro手機(jī)搭載SK海力士12GB低功耗行動(dòng)DRAM及512GB NAND，高階款Mate 70 Pro Plus也采用相同的NAND及SK海力士的16GB DRAM。TechInsights分析師崔貞東（Jeongdong
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SK 海力士被曝贏得博通 HBM 訂單，預(yù)計(jì)明年 1b DRAM 產(chǎn)能將擴(kuò)大到 16~17 萬片

12 月 20 日消息，據(jù) TheElec 報(bào)道，韓國存儲(chǔ)芯片巨頭 SK 海力士贏得了一份向博通供應(yīng) HBM 芯片的大單，但具體額度未知。消息人士稱，博通計(jì)劃從 SK 海力士采購存儲(chǔ)芯片，并將其應(yīng)用到一家大型科技公司的 AI 計(jì)算芯片上。SK 海力士預(yù)計(jì)將在明年下半年供應(yīng)該芯片。由于需要同時(shí)向英偉達(dá)和博通供應(yīng) HBM，SK 海力士肯定會(huì)調(diào)整其 DRAM 產(chǎn)能預(yù)測。這家公司計(jì)劃明年將其用作 HBM 核心芯片的 1b DRAM 產(chǎn)能擴(kuò)大到 14~15 萬片（IT之家注：單位是 300mm 直徑的 12 英寸晶
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SK 海力士新設(shè) AI 芯片開發(fā)和量產(chǎn)部門，任命首席開發(fā)官及首席生產(chǎn)官

12 月 5 日消息，據(jù) Businesses Korea 今日報(bào)道，SK 海力士今日宣布完成 2025 年的高管任命和組織架構(gòu)優(yōu)化。本次調(diào)整任命了 1 位總裁、33 位新高管及 2 位研究員。為提升決策效率，該公司推行“C-Level”管理體系，依據(jù)核心職能分工明確責(zé)任與權(quán)限，業(yè)務(wù)單元被劃分為包括 AI 基礎(chǔ)設(shè)施（CMO）、未來技術(shù)研究院（CTO）、研發(fā)（CDO）和生產(chǎn)（CPO）在內(nèi)的五大部門。據(jù)介紹，新設(shè)的 AI 芯片開發(fā)部門整合了 DRAM、NAND 和解決方案的開發(fā)能力，著眼于下一代 AI 內(nèi)存等
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老對頭三星、SK海力士結(jié)盟！聯(lián)手推動(dòng)LPDDR6-PIM內(nèi)存

12月2日消息，據(jù)韓國媒體報(bào)道，在全球內(nèi)存市場上長期競爭的三星電子和SK海力士，近日出人意料地結(jié)成聯(lián)盟，共同推動(dòng)LPDDR6-PIM內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)化。這也意味著兩家公司在面對AI內(nèi)存技術(shù)商業(yè)化的共同挑戰(zhàn)時(shí)，愿意擱置競爭，共同推動(dòng)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的制定。雙方合作旨在加速專為人工智能優(yōu)化的低功耗內(nèi)存技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)化進(jìn)程，以適應(yīng)設(shè)備內(nèi)AI技術(shù)的發(fā)展。隨著設(shè)備內(nèi)AI技術(shù)的興起，PIM內(nèi)存技術(shù)越來越受到重視。PIM技術(shù)通過將存儲(chǔ)和計(jì)算結(jié)合，直接在存儲(chǔ)單元進(jìn)行計(jì)算，有效解決了傳統(tǒng)芯片在運(yùn)行AI算法時(shí)的“存儲(chǔ)墻”和“功耗墻
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SK海力士開始量產(chǎn)全球最高的321層NAND閃存

2024年11月21日，SK海力士宣布，開始量產(chǎn)全球最高的321層 1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）* 4D NAND閃存。SK海力士表示：“公司從2023年6月量產(chǎn)當(dāng)前最高的上一代238層NAND閃存產(chǎn)品，并供應(yīng)于市場，此次又率先推出了超過300層的NAND閃存，突破了技術(shù)界限。計(jì)劃從明年上半年起向客戶提供321層產(chǎn)品，由此應(yīng)對市場需求?！惫驹诖舜萎a(chǎn)品開發(fā)過程中采用了高生產(chǎn)效率的“3-Plug*”工藝技術(shù)，克服了堆疊局限。該技術(shù)分三次進(jìn)行通孔工藝流程，隨后經(jīng)
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SK 海力士介紹全球首款 16-High HBM3E 內(nèi)存，明年初出樣

11 月 4 日消息，SK 海力士 CEO 郭魯正今日在韓國首爾舉行的 SK AI Summit 2024 上介紹了全球首款 16-High HBM3E 內(nèi)存。該產(chǎn)品可實(shí)現(xiàn) 48GB 的單堆棧容量，預(yù)計(jì)明年初出樣。雖然一般認(rèn)為 16 層堆疊 HBM 內(nèi)存直到下一世代 HBM4 才會(huì)正式商用，但參考內(nèi)存領(lǐng)域 IP 企業(yè) Rambus 的文章，HBM3E 也有擴(kuò)展到 16 層的潛力。此外注意到，SK 海力士為今年 2 月 IEEE ISSCC 2024 學(xué)術(shù)會(huì)議準(zhǔn)備的論文中也提到了可實(shí)現(xiàn) 1280G
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AI需求持續(xù)爆發(fā)！“HBM霸主”SK海力士Q3營收、利潤雙創(chuàng)記錄

獲悉，周四，SK海力士公布了創(chuàng)紀(jì)錄的季度利潤和營收，這反映出市場對與英偉達(dá)(NVDA.US)處理器一起用于人工智能開發(fā)的存儲(chǔ)芯片的強(qiáng)勁需求。作為英偉達(dá)的供應(yīng)商，這家韓國存儲(chǔ)芯片巨頭第三季度的營業(yè)利潤達(dá)到7.03萬億韓元(51億美元)，上年同期為虧損1.8萬億韓元，高于分析師預(yù)期的6.9萬億韓元。營收大增94%，達(dá)到17.6萬億韓元，而市場預(yù)期為18.2萬億韓元。今年以來，SK海力士股價(jià)累計(jì)上漲逾35%，原因是該公司在設(shè)計(jì)和供應(yīng)為英偉達(dá)人工智能加速器提供動(dòng)力的尖端高帶寬內(nèi)存(HBM)方面擴(kuò)大了對三星電子(S
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全球首款12層堆疊HBM3E，開始量產(chǎn)了

SK 海力士宣布，已開始量產(chǎn) 12H HBM3E 芯片，實(shí)現(xiàn)了現(xiàn)有 HBM 產(chǎn)品中最大的 36GB 容量。
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SK海力士揭秘半導(dǎo)體全球生產(chǎn)基地及應(yīng)用領(lǐng)域

設(shè)想一下，如果沒有了智能手機(jī)、電腦或互聯(lián)網(wǎng)，世界會(huì)變成怎樣？顯而易見，缺失這些必需品的生活是無法想象的。然而，如果沒有半導(dǎo)體作為推動(dòng)眾多科技發(fā)展的引擎，世界無疑便會(huì)陷入無法想象的境地。盡管半導(dǎo)體芯片在生活中很常見，但它們的起源、用途、意義等仍然鮮為人知。時(shí)至今日，半導(dǎo)體世界仍有許多知識鮮為人知。作為現(xiàn)代科技的核心，芯片可謂是推動(dòng)科技發(fā)展背后的隱藏力量，然而很少有人目睹這些先進(jìn)設(shè)備是如何在工廠中被精心制造出來的。為了更深入地了解半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)和應(yīng)用領(lǐng)域，本期半導(dǎo)體綜述系列文章將深入探討芯片生產(chǎn)工廠及屬地，并探索
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SK海力士全球率先量產(chǎn)12層堆疊HBM3E

2024年9月26日，SK海力士宣布，公司全球率先開始量產(chǎn)12層HBM3E新品，實(shí)現(xiàn)了現(xiàn)有HBM*產(chǎn)品中最大**的36GB（千兆字節(jié)）容量。公司將在年內(nèi)向客戶提供產(chǎn)品，繼今年3月全球率先向客戶供應(yīng)8層HBM3E后，僅時(shí)隔6個(gè)月再次展現(xiàn)出其壓倒性的技術(shù)實(shí)力。 SK海力士強(qiáng)調(diào):“自2013年全球首次推出第一代HBM(HBM1)至第五代HBM(HBM3E)，公司是唯一一家開發(fā)并向市場供應(yīng)全系列HBM產(chǎn)品的企業(yè)。公司業(yè)界率先成功量產(chǎn)12層堆疊產(chǎn)品，不僅滿足了人工智能企業(yè)日益發(fā)展的需求，
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SK海力士CXL優(yōu)化解決方案成功搭載于全球最大開源操作系統(tǒng)Linux

2024年9月23日，SK海力士宣布，公司已將用于優(yōu)化CXL*（Compute Express Link）存儲(chǔ)器運(yùn)行的自研軟件異構(gòu)存儲(chǔ)器軟件開發(fā)套件（HMSDK）*中主要功能成功搭載于全球最大的開源操作系統(tǒng)Linux*上。SK海力士表示：“CXL作為繼HBM之后的下一代面向AI的存儲(chǔ)器產(chǎn)品而備受矚目，公司自主研發(fā)的CXL優(yōu)化軟件HMSDK，其性能已獲得國際認(rèn)可，并成功應(yīng)用于全球最大的開源操作系統(tǒng)Linux中。這標(biāo)志著不僅是如HBM等超高性能硬件實(shí)力方面，公司的軟件競爭力也獲得廣泛認(rèn)可，具有重大意義。”未來
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SK海力士開發(fā)出適用于數(shù)據(jù)中心的高性能固態(tài)硬盤“PEB110 E1.S”

采用第五代PCIe，較上一代產(chǎn)品性能提高一倍，能效提升30%以上· 經(jīng)客戶驗(yàn)證后，將于明年第二季度開始量產(chǎn)· 增強(qiáng)數(shù)據(jù)中心的SSD產(chǎn)品組合，滿足多樣化客戶需求· “不僅在HBM領(lǐng)域，同時(shí)在NAND閃存解決方案SSD產(chǎn)品領(lǐng)域，鞏固全球頂級面向AI的存儲(chǔ)器供應(yīng)商領(lǐng)導(dǎo)者地位”2024年9月11日，SK海力士宣布，公司開發(fā)出適用于數(shù)據(jù)中心的高性能固態(tài)硬盤（SSD，Solid State Drive）產(chǎn)品“PEB110 E1.S”（以下簡稱 PEB110）。SK海力士表示：“隨著AI時(shí)代的全面到
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SK海力士實(shí)現(xiàn)1c nm制程DRAM內(nèi)存量產(chǎn)

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SK海力士揭秘半導(dǎo)體全球生產(chǎn)基地及應(yīng)用領(lǐng)域

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